镁光存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT62F2G64D8ZA-020 WT:F 编号：C45568694

封装：-

品牌：micron(镁光)

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￥553.69
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￥532.7

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型号：MT53E1G32D2FW-046 IT:B 编号：C20451987

封装：200-TFBGA(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。频率范围：2133-4266 MHz（每引脚数据速率范围）

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￥715.05
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￥687.95

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型号：MTFC256GASAONS-IT 编号：C5128485

封装：TFBGA-153

品牌：micron(镁光)

特性：通用闪存存储 (UFS) 控制器和NAND闪存。VCC：2.7-3.6V。VCCQ2：1.7-1.95V。符合JEDEC/UFS规范版本2.1。先进的6信号接口。差分I/O引脚。支持2通道。高速：支持Gear 1/2/3。永久和上电写保护。引导操作（高速引导）。睡眠模式。重放保护内存块 (RPMB)。后台操作。可靠写入。丢弃/擦除。命令队列。FFU。缓存。JEDEC/UFS规范版本3.0特性。REFRESH操作。温度事件通知。保留资格:5年@55°C，PE为10%。1年@55°C，最大PE。封装合规:RoHS认证。BGA，MSL3

单价：
￥962.76 / 个

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型号：MT25QL128ABA1EW9-0SIT 编号：C2655471

封装：W-PDFN-8-EP(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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￥20.48125
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￥19.662
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￥18.84275
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￥18.3512
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￥18.0235

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型号：MT25QL256ABA8E12-0AAT 编号：C1351313

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

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￥82.96
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￥71.61

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型号：MT47H128M16RT-25E IT:C TR 编号：C2061206

封装：FBGA-84(9x12.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。发布式CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可编程突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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￥85.86
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￥76
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￥64.02

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型号：MT28EW256ABA1HJS-0SIT 编号：C598844

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：256Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页面读取。页面大小：16字或32字节。页面访问：20ns

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￥89.03
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￥85.44
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￥79.23

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型号：MT40A1G16KH-062E AAT:E 编号：C20541174

封装：96-FBGA(9x13)

品牌：micron(镁光)

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￥176.33
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￥171.99

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型号：MTFC32GAZAQDW-AAT 编号：C5128486

封装：LBGA-100(14x18)

品牌：micron(镁光)

特性：MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND 闪存。 JEDEC/MMC 标准版本 5.1 兼容（JEDEC 标准号 JESD84-B51）。 VCC：2.7-3.6V。 VCCQ：1.70-1.95V。 VCCQ（双电压）：1.70-1.95V；2.7-3.6V（仅适用于 DW 封装）。先进的 12 信号接口

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￥233.74
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￥223.95

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型号：MT29F1G01ABAFDWB-IT:F 编号：C2905686

封装：UPDFN-8

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）技术。1Gb密度。页面大小x1：2176字节（2048 + 128字节）。块大小：64页（128K + 8K字节）。平面大小：1Gb（1个平面，每个平面1024个块）。标准和扩展SPI兼容串行总线接口

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￥13.221
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￥11.6955
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￥11.187
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￥10.8819

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型号：MT29F8G08ABACAWP-IT:C 编号：C46042883

封装：TSOP-48

品牌：micron(镁光)

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￥58.4775
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￥55.935
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￥54.4095

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型号：MT25QU512ABB8E12-0SIT 编号：C2061934

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR中所有协议最高166 MHz；DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议、双I/O协议、四I/O协议。就地执行 (XIP)

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单价：
￥55 / 个

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型号：MT25QL512ABB8E12-0SIT TR 编号：C1351495

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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1+
￥143.09
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￥136.82
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￥125.96
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￥116.48

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型号：M25PX80-VMN6TP 编号：C598798

封装：SO-8

品牌：micron(镁光)

10+
￥4.5225
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￥4.355
200+
￥4.02
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￥3.685

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型号：N25Q128A13ESF40F 编号：C5876762

封装：SOIC-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口，最大时钟频率108 MHz。单电源电压2.7-3.6V。双/四I/O指令，吞吐量最高可达432 MHz。支持扩展SPI、双I/O和四I/O协议。三种协议均支持执行即取（XIP）模式，可通过易失性或非易失性寄存器配置，上电后可直接在XIP模式下工作。支持PROGRAM/ERASE SUSPEND操作，可通过单条命令连续读取整个内存

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￥27.612
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￥24.426
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￥23.364
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￥22.7268

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型号：MT25QL01GBBB8E12-0SIT TR 编号：C2061864

封装：TPBGA-24

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb管芯）。 SPI兼容串行总线接口。单双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高133MHz。所有DTR协议的时钟频率最高90MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90MB/s

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￥88.05
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￥78.13
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￥72.08
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￥67.02

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型号：MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT 编号：C2917791

封装：VFBGA-130

品牌：micron(镁光)

Micron的多芯片封装（PoP）产品将NAND Flash和Mobile LPDRAM设备组合在一个单个多芯片封装（MCP）中，适用于低功耗、高性能和小封装尺寸设计的移动应用。NAND Flash和Mobile LPDRAM设备具有独立的接口（无共享地址、控制、数据或电源球）。这种总线架构支持与具有独立NAND Flash和Mobile LPDRAM总线的处理器的优化接口。

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￥118.48
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型号：MT41K512M8DA-107 IT:P 编号：C2888412

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 数据手册规格。

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￥29.21
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￥24.97
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￥22.45
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￥18.2

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型号：N25Q128A13ESE40G 编号：C19544164

封装：SOIC-8

品牌：micron(镁光)

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￥35.07
200+
￥14
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￥13.53
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￥13.3

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型号：MT29F4G08ABADAH4-IT:D 编号：C2909813

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

特性：Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant。单级单元 (SLC) 技术。组织架构：页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 2048 块

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￥36.31
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￥35.63
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￥35.17
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￥34.72

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型号：MT29F64G08CBABAWP:B 编号：C410865

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

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￥40.4
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￥39.55
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￥38.98
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￥38.41

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型号：MT46V32M16CY-5B IT:J 编号：C598770

封装：FBGA-60

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 2.5V ± 0.2V, VDDQ = 2.5V ± 0.2V；VDD = 2.6V ± 0.1V, VDDQ = 2.6V ± 0.1V (DDR400)。双向数据选通 (DQS) 与数据一起发送/接收，即源同步数据捕获 (x16 每字节有一个)。内部流水线双数据速率 (DDR) 架构；每个时钟周期进行两次数据访问。差分时钟输入 (CK 和 CK#)

1+
￥51.7
10+
￥44.66
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￥40.37
100+
￥36.78

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型号：MT48H32M16LFB4-6 IT:C 编号：C2061935

封装：VFBGA-54(8x8)

品牌：micron(镁光)

该移动SDRAM具有32兆位x16位的存储容量，支持低功耗模式，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。时钟周期为6ns。

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￥67.61
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￥57.6
30+
￥51.51
100+
￥46.4

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型号：MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT 编号：C5128470

封装：VFBGA-137

品牌：micron(镁光)

特性：美光NAND闪存和LPDDR组件。符合RoHS标准的“绿色”封装。独立的NAND闪存和LPDDR接口。节省空间的多芯片封装/堆叠封装组合。低电压工作（1.70-1.95V）。工业温度范围：-40℃至+85℃。无需外部电压参考。无最小时钟频率要求。1.8V LVCMOS兼容输入。可编程突发长度。部分阵列自刷新（PASR）。深度掉电（DPD）模式。可选输出驱动强度。支持状态寄存器读取（SRR）。页面大小-x8：2112字节（2048 + 64字节）。页面大小-x16：1056字（1024 + 32字）。块大小：64页（128K + 4K字节）

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1+
￥134.68
30+
￥127.53

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型号：MT53D512M32D2DS-046 IT:D 编号：C22437470

封装：WFBGA-200(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称值1.80V），VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称值1.10V），VDDQ(overline) = 1.06-1.17V（标称值1.10V）或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V（标称值0.60V）。频率范围2133-10MHz（数据速率范围：4266-20Mb/s/pin）。 16n预取DDR架构。每个通道8个内部存储体，用于并发操作

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￥149.68
10+
￥145.84

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型号：MT53E256M32D2DS-053 WT:B 编号：C2838451

封装：VFBGA-200

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和 I/O 电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V，标称值 1.80V；VDD2(overline) = 1.06-1.17V，标称值 1.10V；VDDQ(overline) = 1.06-1.17V，标称值 1.10V 或低 VDDQ(overline) = 0.57-0.65V，标称值 0.60V。频率范围 2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/pin）。 16n 预取 DDR 架构。每通道 8 个内部存储体，用于并发操作