镁光存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT40A2G8JC-062E:E 编号：C2887388

封装：FBGA-78(9x11)

品牌：micron(镁光)

1+
￥244.23
30+
￥234.33

有货

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型号：MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR 编号：C2064646

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

数据手册

1+
￥258.03
30+
￥245.36

有货

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型号：MT41K512M16VRP-107 AAT:P TR 编号：C20169600

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1+
￥266.65
30+
￥254.18

有货

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型号：MT40A4G4NEA-062E-R 编号：C5128615

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

32Gb TwinDie DDR4 SDRAM 是高速CMOS动态随机存取存储器设备，内部配置为两个16-bank DDR4 SDRAM设备。每个die在双die封装内单独测试。

单价：
￥288.83 / 个

有货

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型号：MT53D1024M32D4DT-046 WT:D 编号：C22437471

封装：VFBGA-200(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称值1.80V），VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称值1.10V），VDDQ(overline) = 1.06-1.17V（标称值1.10V）或低VDDQ = 0.57-0.65V（标称值0.60V）。频率范围2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/Pin）。 16n预取DDR架构。每个通道8个内部存储体，可并发操作

1+
￥420.2583
10+
￥409.29504
50+
￥401.9862

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型号：MT53E256M32D1KS-046 AAT:L 编号：C21462752

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥507.02
30+
￥483.31

有货

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型号：MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C 编号：C20450691

封装：200-TFBGA (10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和I/O电源: -VDD1 = 1.70-1.95V，标称值1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V，标称值1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V，标称值0.60V或VDDQ = 1.06-1.17V，标称值1.10V。频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mb/s）

1+
￥523.72
30+
￥500

有货

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型号：MT62F2G64D8ZA-020 WT:F 编号：C45568694

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥545.99
30+
￥525

有货

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型号：MT53E256M32D1KS-046 WT:L 编号：C21177800

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥572.28
30+
￥545.51

有货

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型号：MT41K256M8DA-125 IT:K 编号：C5355152

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。差分双向数据选通。 8n 位预取架构

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￥21.41
10+
￥20.98
30+
￥20.69

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型号：MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR 编号：C7001225

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构: -页面大小: -x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。 -x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备容量：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能: -随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

1+
￥50.38
10+
￥49.35
30+
￥48.66
100+
￥47.96

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型号：MT46H16M32LFB5-6 AIT:C 编号：C1351600

封装：VFBGA-90(8x13)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。每字节数据双向数据选通 (DQS)。内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构；每个时钟周期两次数据访问。差分时钟输入 (CK 和 CK#)

数据手册

1+
￥71.05
10+
￥62.19
30+
￥54.48

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型号：MT25QL256ABA8E12-0AAT 编号：C1351313

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

数据手册

1+
￥82.96
10+
￥78.81
30+
￥71.61

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型号：MT48LC4M32B2P-6A IT:L 编号：C2062095

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：micron(镁光)

特性：PC100兼容。完全同步：所有信号在系统时钟的正沿注册。内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。内部存储体用于隐藏行访问/预充电。可编程突发长度：1、2、4、8或整页。自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。自刷新模式（AT设备不可用）。自动刷新：64ms，4096周期刷新（商业和工业）；16ms，4096周期刷新（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。单3.3V±0.3V电源。支持1、2和3的CAS延迟（CL）

数据手册

1+
￥135.76
30+
￥129.03

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型号：MT25QU02GCBB8E12-0AAT 编号：C1352443

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz

1+
￥368.36
30+
￥355.08

有货

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型号：MT41K64M16TW-107 IT:J 编号：C524855

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。

数据手册

单价：
￥30.7925 / 个

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型号：MTFC4GACAJCN-1M WT- 编号：C5785005

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：micron(镁光)

e.MMC是一种通信和大容量数据存储设备，它在先进的11信号总线上集成了多媒体卡（MMC）接口、NAND闪存组件和控制器，符合MMC系统规范。其每比特成本低、尺寸小、与闪存技术无关且数据吞吐量高，使其非常适合用于嵌入式应用，如机顶盒、数码相机/摄像机、数字电视及其他各类消费产品。非易失性e.MMC在保存存储数据时无需耗电，能在较宽的工作温度范围内实现高性能，并且抗冲击和抗振动干扰

1+
￥76.03
10+
￥72.61
30+
￥66.68
100+
￥61.51

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型号：MT40A256M16GE-083EIT:B 编号：C598794

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV，片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O，TC最高可达95°C。 64ms，8192周期刷新，最高可达85°C

1+
￥136.08
30+
￥129.6

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型号：PC28F128P30BF65A 编号：C598776

封装：BGA-64

品牌：micron(镁光)

1+
￥155.94
200+
￥60.35
500+
￥58.23
864+
￥57.18

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型号：MT25QL02GCBB8E12-0SIT 编号：C1348729

封装：TPBGA-24

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最大为133MHz。所有DTR协议的时钟频率最大为90MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90MB/s

数据手册

1+
￥1697.4
10+
￥1653.12
50+
￥1623.6

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型号：MT25QL512ABB8E12-0SIT 编号：C17574673

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

1+
￥454.825
10+
￥442.96
50+
￥435.05

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型号：MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G 编号：C5784843

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构: -页面大小: -x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。 -x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备容量：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能: -随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

1+
￥22.035
20+
￥21.1536
100+
￥20.44848
200+
￥20.09592
500+
￥19.74336

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型号：MT25QU128ABA8E12-0SIT 编号：C6847460

封装：FBGA-24

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率: 所有STR协议下最大166 MHz。所有DTR协议下最大90 MHz

1+
￥67.1
10+
￥66
50+
￥63.25
100+
￥61.6
200+
￥60.5

我要订货

型号：N25Q128A13ESE40F 编号：C5367259

封装：SO-8W

品牌：micron(镁光)

1+
￥36.9
20+
￥35.4
100+
￥34.5
200+
￥33.6
500+
￥33

我要订货

型号：MT25QL128ABB1ESE-0AUT 编号：C6685550

封装：SO-8

品牌：micron(镁光)

1+
￥66.71
10+
￥57.72
30+
￥52.24
100+
￥47.64

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型号：MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT 编号：C2917791

封装：VFBGA-130

品牌：micron(镁光)

Micron的多芯片封装（PoP）产品将NAND Flash和Mobile LPDRAM设备组合在一个单个多芯片封装（MCP）中，适用于低功耗、高性能和小封装尺寸设计的移动应用。NAND Flash和Mobile LPDRAM设备具有独立的接口（无共享地址、控制、数据或电源球）。这种总线架构支持与具有独立NAND Flash和Mobile LPDRAM总线的处理器的优化接口。

数据手册

1+
￥118.48
10+
￥113.41
30+
￥104.62

有货

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型号：MTFC32GAZAQHD-AAT 编号：C5128487

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：micron(镁光)

1+
￥202.55
3+
￥193.07
30+
￥183.6

订货

我要订货

型号：MT53E4G32D8CY-046 WT:C TR 编号：C20529456

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥963.9
200+
￥384.61
500+
￥371.76
1000+
￥365.4

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型号：MT53E1G32D2FW-046 IT:B 编号：C20451987

封装：200-TFBGA(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。频率范围：2133-4266 MHz（每引脚数据速率范围）

1+
￥1218.4
30+
￥1172.22

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型号：MT41K256M16HA-125:E 编号：C248057

封装：FBGA-96(9x14)

品牌：micron(镁光)

数据手册

1+
￥35.55
10+
￥30.64
30+
￥30.11
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￥29.58

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