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首页 > 热门关键词 > 镁光存储器
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特性:堆叠设备(两个512Mb裸片)。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量高达90 MB/s
数据手册
  • 1+

    ¥70.66
  • 10+

    ¥66.5
  • 30+

    ¥59.29
  • 100+

    ¥53
  • 订货
    • 1+

      ¥72.58
    • 200+

      ¥28.96
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      ¥27.99
    • 1152+

      ¥27.52
  • 订货
    • 1+

      ¥302.92
    • 200+

      ¥120.87
    • 500+

      ¥116.83
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      ¥114.83
  • 订货
  • 特性:超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V;标称值1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V;标称值1.10V。 VDDQ = 0.57-0.65V;标称值0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V;标称值1.10V
    • 1+

      ¥359.52
    • 10+

      ¥349.99
  • 订货
  • 特性:超低电压核心和 I/O 电源。VDD1 = 1.70-1.95V;标称 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V;标称 1.10V。VDDQ = 1.06-1.17V;标称 1.10V 或低 VDDQ = 0.57-0.65V;标称 0.60V
    • 1+

      ¥515.57
    • 30+

      ¥492.18
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      ¥10.21
    • 100+

      ¥9.34
  • 订货
  • 256Mb SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器,包含268,435,456位。它内部配置为四组bankDRAM,具有同步接口。所有信号在时钟信号CLK的正沿注册。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。
    数据手册
    • 1+

      ¥181.9752
    • 10+

      ¥178.992
    • 50+

      ¥171.534
    • 100+

      ¥164.076
    • 200+

      ¥161.0928
    MT29F2G01ABBGDWB-IT是一款2Gb密度的串行NAND闪存,采用FBGA封装,支持-40°C至+85°C的工作温度。
    • 1+

      ¥30
    • 10+

      ¥29.29
    • 30+

      ¥28.83
    • 100+

      ¥28.36
  • 订货
  • e.MMC是一种通信和大容量数据存储设备,它在先进的11信号总线上集成了多媒体卡(MMC)接口、NAND闪存组件和控制器,符合MMC系统规范。其每比特成本低、尺寸小、与闪存技术无关且数据吞吐量高,使其非常适合用于嵌入式应用,如机顶盒、数码相机/摄像机、数字电视及其他各类消费产品。非易失性e.MMC在保存存储数据时无需耗电,能在较宽的工作温度范围内实现高性能,并且抗冲击和抗振动干扰
    • 1+

      ¥91.8
    • 200+

      ¥36.63
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      ¥35.41
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      ¥34.8
  • 订货
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      ¥125.62
    • 200+

      ¥50.12
    • 500+

      ¥48.45
    • 1000+

      ¥47.62
  • 订货
    • 1+

      ¥322
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      ¥308
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      ¥302.4
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    • 10+

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    • 30+

      ¥6.17
    • 100+

      ¥6.09
  • 订货
  • 特性:单级单元(SLC)技术。4Gb密度。页面大小×1:4352字节(4096 + 256字节)。块大小:64页(256K + 16K字节)。平面大小:1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口
    • 1+

      ¥15.48
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      ¥15.2
    • 30+

      ¥15.01
    • 100+

      ¥14.83
  • 订货
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      ¥23.01
    • 50+

      ¥20.355
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      ¥19.47
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      ¥18.939
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      ¥47.73
    • 200+

      ¥19.05
    • 576+

      ¥18.41
    • 1152+

      ¥18.1
  • 订货
    • 1+

      ¥50.2
    • 200+

      ¥19.43
    • 500+

      ¥18.75
    • 1000+

      ¥18.41
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      ¥96.502
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      ¥94.92
    • 50+

      ¥90.965
    • 100+

      ¥87.01
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    • 30+

      ¥117.65
  • 订货
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      ¥123.81
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      ¥47.92
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    • 100+

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    • 30+

      ¥171.11
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    • 30+

      ¥289.18
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      ¥584.43
    • 200+

      ¥233.2
    • 500+

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    • 1000+

      ¥221.55
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      ¥423.2
    • 10+

      ¥404.8
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      ¥397.44
    • 1+

      ¥1495.96
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      ¥596.9
    • 500+

      ¥576.96
    • 1000+

      ¥567.1
  • 订货
    • 1+

      ¥15.39
    • 10+

      ¥15.05
    • 30+

      ¥14.82
    • 100+

      ¥13.81
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  • Micron 4Gb NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口,用于高性能I/O操作。这些设备使用高度复用的8位总线(I/Ox)传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口:CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态(R/B#)。该设备具有内部4位ECC,可以通过GET/SET特性命令启用。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.98
    • 10+

      ¥20.63
    • 30+

      ¥18.64
    • 100+

      ¥16.63
    • 500+

      ¥15.7
    • 1000+

      ¥15.28
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