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首页 > 热门关键词 > 镁光存储器
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  • MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F 是一款8Gb多芯片堆叠NAND Flash存储器,支持x8和x16数据宽度,具有300μs的页编程时间和2ms的块擦除时间,数据保留时间为10年。
    数据手册
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  • 订货
  • 特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1 = 1.70-1.95V,标称值1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V,标称值1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V,标称值0.60V或VDDQ = 1.06-1.17V,标称值1.10V。频率范围:2133-4266 MHz(每引脚数据速率范围)
    数据手册
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  • 128M x 8
    数据手册
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  • Micron e.MMC 是一种包括多媒体卡 (MMC) 接口、NAND 闪存组件和控制器的高级 12 信号总线的通信和大容量数据存储设备。其每比特成本低、封装尺寸小、可靠性高,适用于汽车应用,包括信息娱乐、导航工具、高级驾驶辅助系统等。
    数据手册
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    • 100+

      ¥74.99
  • 订货
  • 特性:超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V;标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V;标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V;标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V;标称值 1.10V。 频率范围:2133-4266 MHz(每引脚数据速率范围)
    数据手册
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  • 订货
  • 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装: 78-FBGA(7.5x11)
    数据手册
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  • MT29F8G01ADAFD12-AAT:F 是一款8Gb x8/x16 多路复用NAND闪存。它支持多种命令集,包括页面读取、随机数据读取、编程和擦除等。每个块包含64个页面,每页2,112字节(2,048 + 64字节)。读取性能为25μs随机读取和30ns顺序读取(仅限3V x8)。写入性能为300μs页面编程和2ms块擦除。数据保留时间为10年。
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  • 特性:MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND 闪存,符合 JEDEC/MMC 标准版本 5.1(JEDEC 标准号 JESD84-B51)。VCC:2.7-3.6V。VCCQ:1.70-1.95V。存储温度范围:WT:从 -40°C 到 +85°C。IT:从 -40°C 到 +95°C。先进的 12 信号接口
    • 1+

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  • 4Gb x16 Automotive DDR3L SDRAM,支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容。工作温度范围为-40°C至+105°C。
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      ¥134.71
  • 订货
  • 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 访问时间:20ns 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装: 78-FBGA(8x10.5)
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