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首页 > 热门关键词 > 镁光存储器
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512Mb：X4、X8、X16 DDR2 SDRAM
型号：MT47H64M8SH-25E:H 编号：C1353826
封装：FBGA-60
品牌：micron(镁光)
特性：VDD = 1.8V ± 0.1V，VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。 差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 4个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟（CL）。 后置CAS附加延迟（AL）。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可选突发长度：4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。 片上终端（ODT）。 工业温度（IT）选项。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范
数据手册

  • 1+

    ￥27.45

  • 10+

    ￥24.14

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    ￥22.17
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    MT48LC4M16A2P-6A IT:J
    型号：MT48LC4M16A2P-6A IT:J 编号：C20448432
    封装：54-TSOP II
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥27.82

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      ￥27.31

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      ￥26.98
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    MT41K128M16JT-125 AIT:K
    型号：MT41K128M16JT-125 AIT:K 编号：C20569043
    封装：96-FBGA(8x14)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥31.75

    • 10+

      ￥30.97

    • 30+

      ￥30.45
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    MT29F4G08ABBFAH4-IT:F
    型号：MT29F4G08ABBFAH4-IT:F 编号：C19753219
    封装：VFBGA-63(9x11)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥43.84

    • 10+

      ￥42.86

    • 30+

      ￥42.21
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    2Gb：x8、x16 NAND闪存
    型号：MT29F2G08ABAEAH4:E 编号：C2909811
    封装：FBGA-63
    品牌：micron(镁光)
    特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2112字节 (2048 + 64 字节)。页面大小x16：1056字 (1024 + 32 字)。块大小：64页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2个平面，每个平面1024个块

    • 1+

      ￥45.94

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      ￥39.15

    • 30+

      ￥35
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    MT25QU256ABA8E12 0AAT
    型号：MT25QU256ABA8E12-0AAT 编号：C1351315
    封装：TPBGA-24(6x8)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥53.48

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      ￥52.23

    • 30+

      ￥51.39
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    MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR
    型号：MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR 编号：C6232090
    封装：SO-8
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥55.74

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      ￥54.49

    • 30+

      ￥53.66
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    512Mb：X4、X8、X16 DDR SDRAM
    型号：MT46V32M16P-5BIT-J 编号：C5128620
    封装：TSOP-66
    品牌：micron(镁光)
    512Mb DDR SDRAM，具有双数据速率架构，支持高速操作。每个时钟周期传输两个数据字，在I/O引脚上实现。支持4个内部banks并发操作，提高有效带宽。
    数据手册

    • 1+

      ￥64.04

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      ￥54.92

    • 30+

      ￥46.98
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    512Mb：x8、x16汽车级DDR2 SDRAM
    型号：MT47H32M16NF-25E AAT:H 编号：C5330482
    封装：FBGA-84
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = 1.8V ± 0.1V，VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。 差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS与CK转换对齐。 4个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟（CL）。 后置CAS附加延迟（AL）。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可选突发长度：4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。 片上终端（ODT）。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范。 AEC-Q100。 PPAP提交。 8D响应时间
    数据手册

    • 1+

      ￥68.7

    • 10+

      ￥58.53

    • 30+

      ￥52.34
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    MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
    型号：MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR 编号：C6313714
    封装：VFBGA-63(9x11)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥72.14

    • 10+

      ￥69.94
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    MT25QU128ABB8E12-0AUT
    型号：MT25QU128ABB8E12-0AUT 编号：C5330428
    封装：TBGA-24
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥72.98

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      ￥62.18

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      ￥55.6
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    1Gb容量，x8、x16位宽汽车级DDR2 SDRAM
    型号：MT47H64M16NF-25E AAT:M 编号：C2909870
    封装：FBGA-84(8x12.5)
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = 1.8V ± 0.1V。 VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。 差分数据选通（DQS，DQS#）选项
    数据手册

    • 1+

      ￥79.13

    • 10+

      ￥64.92

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      ￥58.05
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    MT25QL512ABB8E12-0AUT
    型号：MT25QL512ABB8E12-0AUT 编号：C6847456
    封装：FBGA-24
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥86.17

    • 10+

      ￥83.55
  • 有货
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    2Gb：X16、x32汽车级LPDDR SDRAM
    型号：MT46H128M16LFDD-48 IT:C 编号：C1352703
    封装：VFBGA-60(8x9)
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。 每字节数据的双向数据选通 (DQS)。 内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构；每个时钟周期两次数据访问。 差分时钟输入 (CK 和 CK#)
    数据手册

    • 1+

      ￥92.43

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      ￥87.8

    • 30+

      ￥79.79
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    MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
    型号：MT41K256M8DA-125 AIT:K TR 编号：C2061963
    封装：FBGA-78(8x10.5)
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 1+

      ￥94.12

    • 10+

      ￥91.11
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    2Gb：X4、X8、X16 DDR3 SDRAM
    型号：MT41K256M8DA-107:K 编号：C2063605
    封装：FBGA-78(8x10.5)
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。 差分双向数据选通。 8n 位预取架构
    数据手册

    • 1+

      ￥96.41

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      ￥89.35

    • 30+

      ￥82.86
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    MT35XU512ABA1G12-0SIT TR
    型号：MT35XU512ABA1G12-0SIT TR 编号：C6600745
    封装：TPBGA-24(6x8)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥112.28

    • 10+

      ￥108.86
  • 有货
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    2Gb：X16、x32汽车级LPDDR SDRAM
    型号：MT46H64M32LFBQ-48 IT:C 编号：C5330495
    封装：VFBGA-90
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。 每字节数据的双向数据选通 (DQS)。 内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构；每个时钟周期两次数据访问。 差分时钟输入 (CK 和 CK#)
    数据手册

    • 1+

      ￥126.62

    • 5+

      ￥120.23

    • 30+

      ￥113.85
  • 有货
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    2Gb，x8、x16汽车级DDR3L SDRAM
    型号：MT41K128M16JT-125 AUT:K 编号：C5330490
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM数据手册规格。
    数据手册

    • 1+

      ￥128.29

    • 10+

      ￥116.71

    • 30+

      ￥106.06
  • 有货
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    2Gb容量，x8、x16位宽汽车级DDR2 SDRAM
    型号：MT47H128M16RT-25E AIT:C 编号：C1352201
    封装：FBGA-84(9x12.5)
    品牌：micron(镁光)
    特性：工业和汽车温度兼容，VDD = 1.8V ± 0.1V，VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。 差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构

    • 1+

      ￥145.36

    • 30+

      ￥137.65
  • 有货
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    8Gb、x8/x16汽车级DDR4 SDRAM
    型号：MT40A512M16LY-062E IT:E 编号：C2891577
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V-125mV / + 250mV。 片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O。 在TC温度范围内的刷新时间: -40°C至85°C时为64ms。85°C至95°C时为32ms
    数据手册

    • 1+

      ￥242.98

    • 30+

      ￥232.14

    • 32+

      ￥198.88
  • 订货
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    MT40A2G8JC-062E:E
    型号：MT40A2G8JC-062E:E 编号：C2887388
    封装：FBGA-78(9x11)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥244.23

    • 30+

      ￥234.33
  • 有货
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    MT25QU01GBBB8E12 0AAT TR
    型号：MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR 编号：C2064646
    封装：TPBGA-24(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 1+

      ￥258.03

    • 30+

      ￥245.36
  • 有货
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    MT41K512M16VRP-107 AAT:P
    型号：MT41K512M16VRP-107 AAT:P 编号：C20569225
    封装：96-FBGA (8x14)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥261.54

    • 30+

      ￥249.31
  • 有货
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    MT41K512M16VRP-107 AAT:P TR
    型号：MT41K512M16VRP-107 AAT:P TR 编号：C20169600
    封装：FBGA-96(8x14)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥266.65

    • 30+

      ￥254.18
  • 有货
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    MT25QL02GCBB8E12-0AUT
    型号：MT25QL02GCBB8E12-0AUT 编号：C6685542
    封装：TPBGA-24(6x8)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥276.91

    • 30+

      ￥263.96
  • 有货
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    32Gb：X4、x8 双芯片 DDR4 SDRAM
    型号：MT40A4G4NEA-062E-R 编号：C5128615
    封装：FBGA-78
    品牌：micron(镁光)
    32Gb TwinDie DDR4 SDRAM 是高速CMOS动态随机存取存储器设备，内部配置为两个16-bank DDR4 SDRAM设备。每个die在双die封装内单独测试。

    • 单价：

      ￥288.83 / 个
  • 有货
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    MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B
    型号：MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B 编号：C5330478
    封装：TFBGA-200(10x14.5)
    品牌：micron(镁光)
    特性：超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V；标称值1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V；标称值1.10V。 VDDQ = 0.57-0.65V；标称值0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V；标称值1.10V

    • 1+

      ￥320.78

    • 30+

      ￥308.04
  • 有货
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    2Gb、1.8V 多 I/O 串行闪存
    型号：MT25QU02GCBB8E12-0AAT 编号：C1352443
    封装：TPBGA-24(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz

    • 1+

      ￥368.36

    • 30+

      ￥355.08
  • 有货
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    MTFC32GAZAQHD-AIT TR
    型号：MTFC32GAZAQHD-AIT TR 编号：C5813226
    封装：VFBGA-153(11.5x13)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥372.56

    • 30+

      ￥355.14
  • 有货
    • 立即购买
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