镁光存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR 编号：C1349302

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：micron(镁光)

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1+
￥67.98
10+
￥60.27
30+
￥55.58

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型号：MT25QL512ABB8E12-0AAT 编号：C1352294

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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1+
￥70.68
10+
￥67.15
30+
￥61.02

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型号：MT28EW512ABA1HJS-0SIT 编号：C598858

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）技术。密度：512Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问时间：20ns

1+
￥76.12
10+
￥74.16

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型号：MT28FW01GABA1LPC-0AAT 编号：C5128468

封装：LBGA-64

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元 (SLC) 工艺技术。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16 字。页访问：20ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V)。随机访问：105ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V)

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单价：
￥208.83 / 个

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型号：MT40A256M16LY-062E IT:F 编号：C504879

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV，片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O，TC 最高可达 95°C。 64ms，8192 周期刷新，最高可达 85°C。 32ms，8192 周期刷新，在 >85°C 至 95°C 时。 16 个内部存储体 (x4,x8)：每组 4 个存储体，共 4 组

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1+
￥277.02
30+
￥242.19

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型号：MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT 编号：C35501263

封装：VFBGA-168(12x12)

品牌：micron(镁光)

1+
￥334.93
30+
￥322.05

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型号：MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C 编号：C20450691

封装：200-TFBGA (10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和I/O电源: -VDD1 = 1.70-1.95V，标称值1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V，标称值1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V，标称值0.60V或VDDQ = 1.06-1.17V，标称值1.10V。频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mb/s）

1+
￥625.75
30+
￥602.04

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型号：MT41K128M8DA-107 IT:J 编号：C2061978

封装：FBGA-78(8x10.5)

品牌：micron(镁光)

1+
￥25.01
10+
￥24.58
30+
￥24.29

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型号：MT40A512M16TB-062E IT:R 编号：C27063331

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

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￥33.87
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￥29.33
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￥26.63
100+
￥23.9
500+
￥22.64
1000+
￥22.08

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型号：PC28F128P33BF60A 编号：C7325112

封装：EASYBGA-64(8x10)

品牌：micron(镁光)

特性：高性能: -Easy BGA初始访问时间为60ns。TSOP初始访问时间为70ns。8字异步页读模式为25ns。零等待状态下52MHz，17ns时钟到数据输出同步突发读模式。突发模式有4、8、16和连续字选项。使用256字缓冲区，3.0V缓冲编程速度为1.8MB/s（典型值）

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￥44.02
10+
￥38.81
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￥35.63

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型号：MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F 编号：C7307835

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

Micron 1Gb x8 NAND Flash Memory是一款高性能、低引脚数的NAND闪存设备，支持异步接口，具有内部ECC功能。

1+
￥44.05
10+
￥37.53
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￥33.56

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型号：MT40A256M16GE-083EIT:B 编号：C598794

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV，片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O，TC最高可达95°C。 64ms，8192周期刷新，最高可达85°C

1+
￥75.7
10+
￥72.24
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￥66.25

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型号：MT28EW128ABA1HJS-0SIT 编号：C598842

封装：TSOP-56

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：128Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问：20ns

1+
￥85.34
10+
￥81.07
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￥73.67

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型号：MT47H256M8EB-25E:C 编号：C1348744

封装：FBGA-60(9x11.5)

品牌：micron(镁光)

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￥122.94
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￥117.18
30+
￥107.19

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型号：MT28EW512ABA1LPC-0SIT 编号：C598814

封装：LBGA-64

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）技术。密度：512Mb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。异步随机/页读取。页大小：16字或32字节。页访问时间：20ns

1+
￥123.04
10+
￥116.88
30+
￥106.21

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型号：MT53E512M16D1FW-046 WT:D 编号：C30096089

封装：-

品牌：micron(镁光)

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￥167.86
30+
￥163.5

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型号：MT53E1G32D2NP-046 WT:B 编号：C20169609

封装：WFBGA-200(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

1+
￥209.3
30+
￥201.37

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型号：MT62F2G32D8DR-031 WT:B 编号：C21818977

封装：-

品牌：micron(镁光)

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￥323.58
30+
￥311.31

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型号：MT40A1G16KNR-075:E 编号：C504878

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

这款16Gb（TwinDie™）DDR4 SDRAM采用美光的8Gb DDR4 SDRAM芯片；将两片x8芯片组合成一片x16芯片。其信号与单x16芯片类似，多一个ZQ连接以实现更快的ZQ校准，并且x8寻址需要一个BG1控制信号。

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￥345.78
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￥332.22

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型号：MT53E1G32D2FW-046 WT:B 编号：C20453120

封装：200-TFBGA(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

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￥533.51
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￥511.92

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型号：JS28F128J3F75A 编号：C598830

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：micron(镁光)

特性：对称128 KB块。初始访问速度：75 ns。25 ns 8字异步页面模式读取。x16模式下256字写缓冲区，x8模式下256字节写缓冲区；每字节有效编程时间1.41 μs

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￥40.21
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￥35.25
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￥32.22

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型号：MT48LC2M32B2B5-6A IT:J 编号：C1351490

封装：VFBGA-90(8x13)

品牌：micron(镁光)

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￥63.64
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￥56.34
30+
￥51.89

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型号：MT25QU512ABB8ESF-0AAT 编号：C1351422

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

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￥79.98
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￥76.55
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￥70.62

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型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C524858

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

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￥85.35
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￥71.46
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￥64.81

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型号：MT47H128M16RT-25E IT:C 编号：C477948

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-FBGA（9x12.5）

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￥114.57
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￥109.16
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型号：MTFC16GAPALBH-AAT 编号：C5221840

封装：TFBGA-153(11.5x13)

品牌：micron(镁光)

特性：MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND Flash。JEDEC/MMC 标准版本 5.1 兼容 (JEDEC 标准号 JESD84-B51)。VCC 2.7-3.6V。VCCQ (双电压): 1.70-1.95V; 2.7-3.6V

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￥196.3
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￥188.5

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型号：MT62F512M32D2DS-031 AIT:B 编号：C20554863

封装：WFBGA-200(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：架构：每通道最大带宽12.8 GB/s；频率范围800-5 MHz（每引脚数据速率范围6400-40 Mb/s，WCK:CK = 4:1）；可选CKR。 LPDDR5数据接口：单x16通道/管芯；双倍数据速率命令/地址输入；差分命令时钟（CK_t/CK_c），用于高速操作；差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）；差分读取选通（RDQS_t/RDQS_c）；16n位或32n位预取架构；4KB页大小，8存储体（8B模式），2KB页大小，存储体组（BBG模式），或16存储体（16B模式）操作；命令可选突发长度BL = 16或32（在存储体组或16存储体模式下）；背景ZQ校准/基于命令的ZQ校准；链路保护（链路ECC）支持；部分阵列自刷新（PASR）和部分阵列自动刷新（PAAR），带段掩码。超低电压核心和I/O电源：VDD1 = 1.70–1.95V；1.8V标称值；VDD2H = 1.01–1.12V；1.05V标称值；VDD2L = VDD2H或0.87-0.97V；0.9V标称值；VDDQ = 0.5V标称值或0.3V标称值（ODT关闭）。 I/O特性：接口-LVSTL 0.5/0.3 I/O类型：低摆幅单端，VSS端接，VOH补偿输出驱动；可编程VSS片上终端（ODT）；非目标ODT支持；DVFSQ支持。低功耗特性：DVFSC：动态电压频率缩放核心；单端CK，单端WCK和单端RDQS；数据复制；写入X。选项：LPDDR5 VDD1/VDD2H/VDD2L/VDDQ：1.8V/1.05V/0.9V/0.5V；阵列配置-512兆x 32（2通道x16 I/O）512M32；1吉x 32（2通道x16 I/O）1G32；器件配置-封装中2个管芯D2；封装中4个管芯D4；FBGA“绿色”封装-315球TFBGA（12.4mm x 15.0mm，安装高度：最大1.1mm，Ø0.48 SMD）；速度等级，周期时间（t'WCK）-6400 Mb/s-031；功能安全（FuSa）F1；美光硬件评估（ISO 26262-8:2018，第13条）；FMEDA（ISO 26262-5:2018，第8、9条）；适用于高达ASILD的系统；汽车级A-AEC-Q100；PPAP；工作温度：- 40°C ≤ TC ≤ +95°C IT；- 40°C ≤ TC ≤ +105°C AT；- 40°C ≤ TC ≤ +125°C UT2；版本：B