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首页 > 热门关键词 > 镁光存储器
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  • 1+

    ¥55.74
  • 10+

    ¥54.49
  • 30+

    ¥53.66
  • 有货
    • 1+

      ¥56.34
    • 10+

      ¥55.08
    • 30+

      ¥54.24
  • 有货
  • 512Mb DDR2 SDRAM,支持X4, X8, X16配置,具有4n位预取架构,支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项,支持工业温度。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.71315
    • 20+

      ¥24.6679
    • 100+

      ¥24.04075
    • 200+

      ¥23.4136
    • 500+

      ¥22.9955
    • 1+

      ¥65.64
    • 10+

      ¥56.79
    • 30+

      ¥51.4
  • 有货
    • 1+

      ¥139.64
    • 30+

      ¥133.11
  • 有货
  • 特性:单级单元(SLC)工艺技术。 密度:128Mb。 电源电压:VCC(overline) = 2.7-3.6V(编程、擦除、读取),VCCQ(overline) = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页读取。 页大小:16字或32字节。 页访问:20ns
    数据手册
    • 1+

      ¥143.75
    • 10+

      ¥137.28
    • 30+

      ¥126.07
  • 有货
  • 128Mb SDRAM,4兆 x 32位,4个bank,支持PC100标准,完全同步,所有信号在系统时钟的上升沿注册。具有内部流水线操作,可编程突发长度为1、2、4、8或全页,支持自动预充电和自刷新模式。工作温度范围包括商业级(0°C至70°C)、工业级(-40°C至85°C)和汽车级(-40°C至105°C)。
    数据手册
    • 1+

      ¥150.31
    • 30+

      ¥142.93
  • 有货
  • 特性:超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V;标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V;标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V;标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V;标称值 1.10V。 频率范围:2133-4266 MHz(每引脚数据速率范围)
    数据手册
    • 1+

      ¥643.22
    • 3+

      ¥617.83
    • 30+

      ¥592.45
  • 订货
  • 特性:通用闪存存储 (UFS) 控制器和NAND闪存。VCC:2.7-3.6V。VCCQ2:1.7-1.95V。符合JEDEC/UFS规范版本2.1。先进的6信号接口。差分I/O引脚。支持2通道。高速:支持Gear 1/2/3。永久和上电写保护。引导操作(高速引导)。睡眠模式。重放保护内存块 (RPMB)。后台操作。可靠写入。丢弃/擦除。命令队列。FFU。缓存。JEDEC/UFS规范版本3.0特性。REFRESH操作。温度事件通知。保留资格:5年@55°C,PE为10%。1年@55°C,最大PE。封装合规:RoHS认证。BGA,MSL3
    • 单价:

      ¥962.76 / 个
  • 有货
  • 特性:对称128 KB块。初始访问速度:75 ns。25 ns 8字异步页面模式读取。x16模式下256字写缓冲区,x8模式下256字节写缓冲区;每字节有效编程时间1.41 μs
    数据手册
    • 1+

      ¥40.21
    • 10+

      ¥35.25
    • 30+

      ¥32.22
  • 有货
  • 1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。
    • 1+

      ¥52.13
    • 30+

      ¥49.36
  • 有货
    • 1+

      ¥64.1
    • 10+

      ¥62.67
    • 30+

      ¥61.72
  • 有货
  • 特性:PC100和PC133兼容。 完全同步;所有信号在系统时钟的正沿寄存。 内部流水线操作;列地址可以每个时钟周期更改。 内部存储体用于隐藏行访问/预充电。 可编程突发长度(BL):1、2、4、8或整页。 自动预充电,包括并发自动预充电和自动刷新模式。 自刷新模式:标准和低功耗(AT设备不可用)。 自动刷新:64ms,4096周期刷新(商业和工业);16ms,4096周期刷新(汽车)。 LVTTL兼容输入和输出。 单3.3V±0.3V电源
    • 1+

      ¥85.21
    • 10+

      ¥75.33
    • 30+

      ¥69.3
  • 有货
    • 1+

      ¥122.94
    • 10+

      ¥117.18
    • 30+

      ¥107.19
  • 有货
  • 特性:单级单元(SLC)技术。 密度:512Mb。 电源电压:VCC(overline) = 2.7–3.6V(编程、擦除、读取);VCCQ(overline) = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页读取。 页大小:16字或32字节。 页访问时间:20ns
    • 1+

      ¥123.04
    • 10+

      ¥116.88
    • 30+

      ¥106.21
  • 有货
    • 1+

      ¥140.71
    • 30+

      ¥133.81
  • 有货
  • 特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调 VREFDQ 生成。1.2V 伪开漏 I/O
    • 1+

      ¥637.44
    • 10+

      ¥616.84
  • 有货
    • 1+

      ¥25.37
    • 10+

      ¥24.72
    • 30+

      ¥24.29
  • 有货
  • 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 访问时间:20ns 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
    数据手册
    • 1+

      ¥195.2
    • 10+

      ¥192
    • 50+

      ¥184
    • 100+

      ¥179.2
    • 200+

      ¥176
    • 1+

      ¥136.36
    • 10+

      ¥130.22
    • 30+

      ¥119.59
  • 有货
    • 1+

      ¥138.63
    • 10+

      ¥132.39
    • 30+

      ¥121.58
  • 有货
  • 特性:单级单元 (SLC) 工艺技术。 电源电压:VCC(overline) = 2.7–3.6V(编程、擦除、读取),VCCQ(overline) = 1.65-VCC(I/O 缓冲器)。 异步随机/页读取。 页大小:16 字。 页访问:20ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V)。 随机访问:105ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V)
    数据手册
    • 单价:

      ¥208.83 / 个
  • 有货
  • 特性:符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8:2112字节 (2048 + 64 字节)。页面大小x16:1056字 (1024 + 32 字)。块大小:64页 (128K + 4K 字节)。平面大小:2个平面,每个平面1024个块
    • 1+

      ¥45.94
    • 10+

      ¥39.15
    • 30+

      ¥35
  • 有货
    • 1+

      ¥52.13
    • 10+

      ¥44.83
    • 30+

      ¥40.39
  • 有货
    • 1+

      ¥52.21
    • 10+

      ¥51.07
    • 30+

      ¥50.31
  • 有货
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