镁光存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT41J128M16JT-093:K 编号：C395383

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

数据手册

1+
￥56.75
10+
￥50.23
30+
￥46.26
100+
￥42.93

有货

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型号：MTFC4GACAALT-4M IT 编号：C2909877

封装：TBGA-100

品牌：micron(镁光)

1+
￥77.22
10+
￥73.77
30+
￥64.72

有货

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型号：MT40A1G16RC-062E:B 编号：C22437475

封装：FBGA-96(10x13)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调 VREFDQ 生成。1.2V 伪开漏 I/O

1+
￥114.47
10+
￥110.12
30+
￥102.58

有货

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型号：MT40A2G8SA-062E:F 编号：C20416157

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

1+
￥712.06
10+
￥705.55

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型号：MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G 编号：C5784843

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构: -页面大小: -x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。 -x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备容量：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能: -随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

1+
￥23.18
10+
￥20.3
30+
￥18.59

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型号：MT41K256M16TW-093:P 编号：C2064402

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

数据手册

1+
￥32.9
10+
￥27.98
30+
￥25.59

有货

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型号：MT41K512M16VRN-107 IT:P 编号：C477950

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

1+
￥118.21
10+
￥113.06
30+
￥104.15

有货

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型号：MT53E256M32D1KS-046 AAT:L 编号：C21462752

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥289.73
30+
￥276.18

有货

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型号：MT41K128M16JT-107:K 编号：C2841151

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。

数据手册

1+
￥21.93
10+
￥19.21
30+
￥17.59

有货

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型号：MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR 编号：C2062060

封装：VFBGA-90(8x13)

品牌：micron(镁光)

该移动SDRAM具有16兆位x32位的存储容量，支持低功耗模式，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。时钟周期为6ns。

1+
￥40.75
10+
￥40
30+
￥39.5

有货

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型号：MT46V32M16P-5B:J 编号：C524862

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：micron(镁光)

512Mb DDR SDRAM，具有双数据速率架构，支持高速操作。每个时钟周期传输两个数据字，在I/O引脚上实现。支持4个内部banks并发操作，提高有效带宽。

数据手册

1+
￥44.06
10+
￥38.84
30+
￥35.66

有货

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型号：MT48LC16M16A2B4-6A IT:G 编号：C1352087

封装：VFBGA-54(8x8)

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

数据手册

1+
￥55.71
10+
￥49.77
30+
￥42.55

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型号：MT29F4G01ABAFDWB-IT:F 编号：C2909506

封装：UPDFN-8

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）技术。4Gb密度。页面大小×1：4352字节（4096 + 256字节）。块大小：64页（256K + 16K字节）。平面大小：1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口

1+
￥56.08
10+
￥49.16
30+
￥44.94

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型号：MT29F8G08ADADAH4-IT:D 编号：C2917794

封装：VFBGA-63

品牌：micron(镁光)

1+
￥56.57
10+
￥55.33
30+
￥54.5

有货

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型号：MT29F8G08ABACAH4-IT:C 编号：C2889127

封装：FBGA-63

品牌：micron(镁光)

Micron 8Gb NAND Flash Memory是一款支持异步接口和ONFI 1.0协议的闪存设备。它使用高度复用的8位总线(I/Ox)传输命令、地址和数据。该设备包括五个控制信号：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。此外，还包括硬件写保护和状态监测信号(WP#和R/B#)。该设备在工业温度范围内(-40°C至+85°C)工作，支持单平面和双平面操作。

1+
￥72.02
10+
￥63.04
30+
￥57.56
100+
￥52.97

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型号：MT48LC8M16A2B4-6A IT:L 编号：C22437472

封装：VFBGA-54(8x8)

品牌：micron(镁光)

特性：PC100和PC133兼容。完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。内部存储体用于隐藏行访问/预充电。可编程突发长度（BL）：1、2、4、8或整页。自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。自刷新模式：标准和低功耗（AT设备不可用）。自动刷新：64ms，4096周期刷新（商业和工业）；16ms，4096周期刷新（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。单3.3V±0.3V电源

1+
￥85.21
10+
￥75.33
30+
￥69.3

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型号：MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR 编号：C2061797

封装：LBGA-64(11x13)

品牌：micron(镁光)

1+
￥113.56
10+
￥109.14
30+
￥101.48

有货

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型号：M29W640GB70NA6E 编号：C20569393

封装：48-TSOP

品牌：micron(镁光)

1+
￥28.64
10+
￥27.99
30+
￥27.56

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型号：MT41K512M8DA-093:P 编号：C20507845

封装：78-FBGA (8x10.5)

品牌：micron(镁光)

1+
￥29.52 ￥39.36
10+
￥28.86 ￥38.48
30+
￥28.425 ￥37.9
100+
￥27.9825 ￥37.31

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型号：MT48LC8M16A2P-6A IT:L 编号：C20449338

封装：54-TSOPII

品牌：micron(镁光)

该产品是高速CMOS动态随机存取存储器，包含134,217,728位。它内部配置为具有同步接口的四体DRAM（所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存）。x4的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×2,048列×4位；x8的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×1,024列×8位；x16的每个33,554,432位存储体组织为4,096行×512列×16位。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按编程顺序继续访问编程数量的位置。访问从激活命令的寄存开始，然后是读或写命令。与激活命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0-A11选择行）

1+
￥40.19
10+
￥35.19
30+
￥32.22

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型号：MT41K128M16JT-125 XIT:K 编号：C598780

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 器件是 1.5V DDR3 SDRAM 器件的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

数据手册

1+
￥84.34
10+
￥76.73
30+
￥69.72

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型号：MT53E512M32D1NP-046 WT:B 编号：C21462754

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥239.36
30+
￥230.28

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型号：MT62F1G32D2DS-026 WT:B 编号：C20555309

封装：200-WFBGA(10x14.5)

品牌：micron(镁光)

特性：架构: -每通道最大带宽17.1 GB/s。频率范围：1067-5 MHz（每引脚数据速率范围：8533-40 Mb/s，WCK:CK = 4:1）。可选CKR（WCK:CK = 2:1或4:1）。LPDDR5X/LPDDR5数据接口。单x16通道/裸片。双倍数据速率命令/地址输入。差分命令时钟（CK_t/CK_c），用于高速操作。差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）