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首页 > 热门关键词 > 镁光存储器
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Micron 4Gb SLC NAND Flash Memory 是一款高性能、低引脚数的存储器,支持异步数据接口。该设备使用高度复用的8位总线传输命令、地址和数据,具备内部4位ECC功能。
  • 1+

    ¥31.07
  • 10+

    ¥30.48
  • 30+

    ¥30.09
  • 100+

    ¥29.7
  • 有货
  • 特性:高性能: -Easy BGA初始访问时间为60ns。TSOP初始访问时间为70ns。8字异步页读模式为25ns。零等待状态下52MHz,17ns时钟到数据输出同步突发读模式。突发模式有4、8、16和连续字选项。使用256字缓冲区,3.0V缓冲编程速度为1.8MB/s(典型值)
    • 1+

      ¥37.24
    • 10+

      ¥32.03
    • 30+

      ¥28.85
  • 有货
  • 特性:单级单元(SLC)处理技术。 密度:256Mb。 电源电压:VCC(overline) = 2.7-3.6V(编程、擦除、读取),VCCQ(overline) = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页读取。 页大小:16字或32字节。 页访问:20ns
    • 1+

      ¥38.14
    • 10+

      ¥37.23
    • 30+

      ¥36.63
  • 有货
    • 1+

      ¥39.36
    • 10+

      ¥38.48
    • 30+

      ¥37.9
  • 有货
  • 1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。
    • 1+

      ¥42.74
    • 10+

      ¥36.72
    • 30+

      ¥33.06
    • 100+

      ¥29.99
  • 有货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议为133 MHz (MAX)。DTR中所有协议为90 MHz (MAX)。双/四I/O命令,吞吐量高达90 MB/s。支持的协议:STR和DTR中的扩展、双和四I/O
    • 1+

      ¥51.72
    • 10+

      ¥45.72
    • 30+

      ¥42.07
  • 有货
    • 1+

      ¥54.27
    • 10+

      ¥46.56
    • 30+

      ¥41.86
  • 有货
  • 512Mb DDR SDRAM,具有双数据速率架构,支持高速操作。每个时钟周期传输两个数据字,在I/O引脚上实现。支持4个内部banks并发操作,提高有效带宽。
    数据手册
    • 1+

      ¥92.76
    • 10+

      ¥90.39
  • 有货
    • 1+

      ¥118.21
    • 10+

      ¥113.06
    • 30+

      ¥104.15
  • 有货
    • 1+

      ¥17.26
    • 10+

      ¥16.94
    • 30+

      ¥16.72
  • 有货
  • Micron 1Gb x8 NAND Flash Memory是一款高性能、低引脚数的NAND闪存设备,支持异步接口,具有内部ECC功能。
    • 1+

      ¥46.55
    • 10+

      ¥40.03
    • 30+

      ¥36.06
  • 有货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 时钟频率:STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。 双/四I/O命令,吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议
    数据手册
    • 1+

      ¥63.94
    • 10+

      ¥56.49
    • 30+

      ¥51.94
  • 有货
    • 1+

      ¥94.06
    • 10+

      ¥89.64
    • 30+

      ¥81.98
  • 有货
    • 1+

      ¥128.24
    • 10+

      ¥118.04
    • 30+

      ¥108.65
  • 有货
    • 1+

      ¥1277.47
    • 30+

      ¥1211.43
  • 有货
  • 特性:单级单元(SLC)技术。4Gb密度。页面大小×1:4352字节(4096 + 256字节)。块大小:64页(256K + 16K字节)。平面大小:1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口
    • 1+

      ¥44.9
    • 10+

      ¥44.09
    • 30+

      ¥43.54
  • 有货
  • 256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器,包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM,具有同步接口(所有信号在时钟信号CLK的正沿注册)。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。
    数据手册
    • 1+

      ¥55.71
    • 10+

      ¥49.77
    • 30+

      ¥42.55
  • 有货
  • 1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。
    数据手册
    • 1+

      ¥60.86
    • 10+

      ¥55.74
    • 30+

      ¥52.62
  • 有货
    • 1+

      ¥70.53
    • 10+

      ¥58.52
    • 30+

      ¥52.71
  • 有货
    • 1+

      ¥71.16
    • 10+

      ¥67.73
    • 30+

      ¥61.8
  • 有货
    • 1+

      ¥16.96
    • 10+

      ¥16.63
    • 30+

      ¥16.41
  • 有货
    • 1+

      ¥17.71
    • 10+

      ¥17.28
    • 30+

      ¥16.99
  • 有货
    • 1+

      ¥21.31
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      ¥20.8
    • 30+

      ¥20.47
  • 有货
    • 1+

      ¥22.89
    • 10+

      ¥22.47
    • 30+

      ¥22.19
  • 有货
  • 特性:高性能。简易球栅阵列(Easy BGA)初始访问时间为100ns。薄小外形封装(TSOP)初始访问时间为110ns。25ns 16字异步页读取模式。零等待状态下52MHz(Easy BGA)和17ns时钟到数据输出同步突发读取模式。突发模式提供4、8、16和连续字选项
    数据手册
    • 1+

      ¥23.36
    • 10+

      ¥19.87
    • 30+

      ¥17.8
  • 有货
  • SDRAM 1GBIT
    数据手册
    • 1+

      ¥24.55
    • 10+

      ¥20.92
    • 30+

      ¥18.76
  • 有货
    • 1+

      ¥27.7
    • 10+

      ¥27.05
    • 30+

      ¥26.62
  • 有货
  • 128Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器,内部配置为四bankDRAM,具有同步接口。每个x4的33,554,432位bank组织为4096行x2048列x4位。每个x8的33,554,432位bank组织为4096行x1024列x8位。每个x16的33,554,432位bank组织为4096行x512列x16位。
    • 1+

      ¥32.88
    • 10+

      ¥28.14
    • 30+

      ¥25.33
  • 有货
    • 1+

      ¥53.88
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    • 30+

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  • 有货
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