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首页 > 热门关键词 > 镁光存储器
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128Mb、3V 多输入输出串行闪存
型号：MT25QL128ABA8E12-0SIT 编号：C2062174
封装：TPBGA-24
品牌：micron(镁光)
特性：SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率（STR/DTR）。 时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。 双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议
数据手册

  • 1+

    ￥23.02

  • 10+

    ￥20.01

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    ￥18.13
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    2Gb：X4、X8、X16 DDR3L SDRAM
    型号：MT41K256M8DA-125:K 编号：C393874
    封装：FBGA-78
    品牌：micron(镁光)
    1.35V DDR3L SDRAM 器件是 1.5V DDR3 SDRAM 器件的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。
    数据手册

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      ￥27.21

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    1Gb：X4、X8、X16 DDR3L SDRAM
    型号：MT41K64M16TW-107 IT:J 编号：C524855
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。
    数据手册

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      ￥40.99

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    256Mb、3V 多输入输出串行闪存
    型号：MT25QL256ABA8E12-1SIT 编号：C598832
    封装：TPBGA-24
    品牌：micron(镁光)
    特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。 时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。 双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。 即插即用（XIP）。 编程/擦除暂停操作

    • 1+

      ￥41.01

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    1Gb, 3V 多 I/O 串行闪存
    型号：MT25QL01GBBB8E12-0SIT 编号：C5128467
    封装：TPBGA-24
    品牌：micron(镁光)
    特性：堆叠设备（两个512Mb管芯）。 SPI兼容串行总线接口。 单双传输速率（STR/DTR）。 所有STR协议的时钟频率最高133MHz。 所有DTR协议的时钟频率最高90MHz。 双/四I/O命令，吞吐量最高可达90MB/s
    数据手册

    • 1+

      ￥161.79

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      ￥144.6
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    MTFC256GBCAVHF-WT
    型号：MTFC256GBCAVHF-WT 编号：C27864528
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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      ￥292.32

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      ￥284.2
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    MT47H128M8SH-25E:M
    型号：MT47H128M8SH-25E:M 编号：C151070
    封装：FBGA-60
    品牌：micron(镁光)
    SDRAM 1GBIT
    数据手册

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      ￥28.18

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    2Gb:x8 NAND闪存
    型号：MT29F2G08ABAGAWP-IT:G 编号：C2891524
    封装：TFSOP-48-18.4mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2176字节 (2048 + 128字节)。块大小：64页 (128K + 8K字节)。平面大小：2个平面，每个平面1024个块。设备大小：2Gb，2048个块

    • 1+

      ￥29.98

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      ￥29.03
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    4Gb x8/x16汽车级DDR3L SDRAM
    型号：MT41K256M16TW-107 AIT:P 编号：C524866
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    4Gb x16 Automotive DDR3L SDRAM，支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容。工作温度范围为-40°C至+125°C。

    • 1+

      ￥60.61

    • 10+

      ￥52.08

    • 30+

      ￥46.88
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    1Gb、1.8V多I/O串行闪存
    型号：MT25QU01GBBB1EW9-0SIT 编号：C17366270
    封装：WPDFN-8(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。 双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

    • 1+

      ￥114.8

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    MT41K512M16HA-125:A
    型号：MT41K512M16HA-125:A 编号：C410866
    封装：FBGA-96
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

    • 1+

      ￥188.34

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      ￥168.94

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    MT53D512M32D2DS-046 WT:D
    型号：MT53D512M32D2DS-046 WT:D 编号：C22437469
    封装：WFBGA-200(10x14.5)
    品牌：micron(镁光)
    特性：超低电压核心和I/O电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V（标称1.80V），VDD2(overline) = 1.06-1.17V（标称1.10V），VDDQ(overline) = 1.10V（标称）或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V（标称0.60V）。 频率范围2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/Pin）。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体，可并发操作

    • 1+

      ￥258.4

    • 30+

      ￥247
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    16Gb：X4、x8、X16 DDR4 SDRAM
    型号：MT40A1G16TB-062E IT:F 编号：C20562221
    封装：FBGA-96(7.5x13)
    品牌：micron(镁光)
    特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

    • 1+

      ￥881.57

    • 30+

      ￥836
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    128Mb、1.8V 多输入/输出串行闪存
    型号：MT25QU128ABA1EW9-0SIT TR 编号：C2065307
    封装：W-PDFN-8-EP(8x6)
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率:STR下所有协议最高166 MHz。DTR下所有协议最高90 MHz

    • 1+

      ￥20.86

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      ￥17.68

    • 30+

      ￥16.02
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    并行NOR闪存嵌入式存储器
    型号：JS28F256P30TFE 编号：C598859
    封装：TSOP-56-14.0mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：高性能。简易球栅阵列（Easy BGA）初始访问时间为100ns。薄小外形封装（TSOP）初始访问时间为110ns。25ns 16字异步页读取模式。零等待状态下52MHz（Easy BGA）和17ns时钟到数据输出同步突发读取模式。突发模式提供4、8、16和连续字选项
    数据手册

    • 1+

      ￥21.25

    • 10+

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    • 100+

      ￥19.34
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    128Mb、1.8V 多输入/输出串行闪存
    型号：MT25QU128ABA1EW7-0SIT 编号：C1523871
    封装：W-PDFN-8-EP(5x6)
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率:STR下所有协议最高166 MHz。DTR下所有协议最高90 MHz

    • 1+

      ￥22.01

    • 10+

      ￥19.04

    • 30+

      ￥16.58
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    1Gb x8、x16 NAND闪存
    型号：MT29F1G08ABAEAWP:E 编号：C2912232
    封装：TSOPI-48
    品牌：micron(镁光)
    特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。 单级单元 (SLC) 技术。 页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。 页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。 块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。 平面大小：2 个平面，每个平面 512 块
    数据手册

    • 1+

      ￥23.23

    • 10+

      ￥20.01

    • 30+

      ￥18.1
  • 有货
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    128Mb、1.8V 多输入/输出串行闪存
    型号：MT25QU128ABA8E12-0SIT 编号：C6847460
    封装：FBGA-24
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率: 所有STR协议下最大166 MHz。 所有DTR协议下最大90 MHz

    • 1+

      ￥30.68

    • 10+

      ￥30.11

    • 30+

      ￥29.74
  • 有货
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    128Mb，x4、x8、x16 SDRAM
    型号：MT48LC4M16A2P-6A:J 编号：C1351881
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：micron(镁光)
    128Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个x4的33,554,432位bank组织为4096行x2048列x4位。每个x8的33,554,432位bank组织为4096行x1024列x8位。每个x16的33,554,432位bank组织为4096行x512列x16位。

    • 1+

      ￥39.96

    • 10+

      ￥35.22

    • 30+

      ￥32.4
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    即将停产 64 Mbit低压串行闪存，具备75 MHz SPI总线接口
    型号：M25P64-VME6TG 编号：C524848
    封装：VDFN-8(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    M25P64 是一款 64 Mbit（8M×8）的串行闪存，通过高速 SPI 兼容总线访问，时钟频率最高可达 75 MHz。使用页编程指令，每次可对 1 至 256 字节进行编程。此外，还提供增强型快速编程/擦除模式
    数据手册

    • 1+

      ￥42.03

    • 10+

      ￥36.43

    • 30+

      ￥29.8
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    128Mb、3V 多输入输出串行闪存
    型号：MT25QL128ABB8E12-0AUT 编号：C5678136
    封装：TPBGA-24(6x8)
    品牌：micron(镁光)
    特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议为133 MHz (MAX)。DTR中所有协议为90 MHz (MAX)。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：STR和DTR中的扩展、双和四I/O

    • 1+

      ￥51.72

    • 10+

      ￥45.72

    • 30+

      ￥42.07
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    1Gb，x8、x16 汽车级 DDR3L SDRAM
    型号：MT41K64M16TW-107 AAT:J 编号：C1351825
    封装：FBGA-96(8x14)
    品牌：micron(镁光)
    1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。

    • 1+

      ￥52.13

    • 30+

      ￥49.36
  • 有货
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    128Mb，X32 SDRAM
    型号：MT48LC4M32B2P-6A IT:L 编号：C2062095
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：PC100兼容。 完全同步：所有信号在系统时钟的正沿注册。 内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。 内部存储体用于隐藏行访问/预充电。 可编程突发长度：1、2、4、8或整页。 自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。 自刷新模式（AT设备不可用）。 自动刷新：64ms，4096周期刷新（商业和工业）；16ms，4096周期刷新（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。 单3.3V±0.3V电源。 支持1、2和3的CAS延迟（CL）
    数据手册

    • 1+

      ￥79.7

    • 10+

      ￥69.55

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      ￥63.36
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    MTFC4GMWDM-3MAITA
    型号：MTFC4GMWDM-3MAITA 编号：C2911181
    封装：FBGA-153(11.5x13)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥124.32

    • 10+

      ￥118.52

    • 30+

      ￥108.48
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    2Gb、3V 多 I/O 串行闪存
    型号：MT25QL02GCBB8E12-0SIT 编号：C1348729
    封装：TPBGA-24
    品牌：micron(镁光)
    特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率（STR/DTR）。 所有STR协议的时钟频率最大为133MHz。 所有DTR协议的时钟频率最大为90MHz。 双/四I/O命令，吞吐量高达90MB/s
    数据手册

    • 1+

      ￥170.69

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      ￥163.87

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      ￥152.06
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    1Gb：X4、X8、X16 DDR2 SDRAM
    型号：MT47H128M8SH-25E IT:M 编号：C2839094
    封装：FBGA-60(8x10)
    品牌：micron(镁光)
    1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。
    数据手册

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      ￥20.64

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      ￥19.76
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    2Gb：x8、x16 NAND闪存
    型号：MT29F2G08ABAEAH4-IT:E 编号：C395385
    封装：VFBGA-63
    品牌：micron(镁光)
    Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 是一款高性能的闪存设备，支持异步接口，具有单层单元 (SLC) 技术。该设备提供 2112 字节的页面大小，每个块包含 64 个页面，总共有 2048 个块。支持 1.8V 和 3.3V 供电电压，工业温度范围为 -40°C 到 +85°C。
    数据手册

    • 1+

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    128Mb x8/x16，3V嵌入式并行NOR闪存
    型号：MT28EW128ABA1LJS-0SIT 编号：C598856
    封装：TFSOP-56-18.4mm
    品牌：micron(镁光)
    特性：单级单元（SLC）工艺技术。 密度：128Mb。 电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。 异步随机/页读取。 页大小：16字或32字节。 页访问：20ns

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      ￥41.82

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      ￥33.85
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    4Gb：X4、x8、X16 DDR3L 同步动态随机存取存储器
    型号：MT41K512M8DA-107:P 编号：C508272
    封装：FBGA-78(8x10.5)
    品牌：micron(镁光)
    数据手册

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      ￥40.76
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    128Mb x8/x16，3V嵌入式并行NOR闪存
    型号：MT28EW128ABA1HPC-0SIT 编号：C438960
    封装：LBGA-64
    品牌：micron(镁光)
    特性：单级单元（SLC）工艺技术。 密度：128Mb。 电源电压：VCC(overline) = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取），VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O缓冲器）。 异步随机/页读取。 页大小：16字或32字节。 页访问：20ns
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