镁光存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT40A2G8JC-062E IT:E 编号：C2887390

封装：TFBGA-78

品牌：micron(镁光)

数据手册

1+
￥262.16
30+
￥248.6

有货

立即购买

型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

数据手册

1+
￥44
10+
￥39.06
30+
￥36.05
100+
￥31.03

有货

立即购买

型号：MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2887393

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能 I/O 操作。这些设备使用高度复用的 8 位总线 (I/Ox) 来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态 (R/B#)。

数据手册

1+
￥54.42
10+
￥48.25
30+
￥44.49
100+
￥37.44

有货

立即购买

型号：MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR 编号：C7001225

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构: -页面大小: -x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。 -x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备容量：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能: -随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

1+
￥55.78
10+
￥54.75
30+
￥54.06
100+
￥53.36

有货

立即购买

型号：M25P16-VMN6TP 编号：C151067

封装：SOIC-8-150mil

品牌：micron(镁光)

M25P16 是一款 16Mb（2Mb x 8）串行闪存存储器件，具备先进的写保护机制，可通过高速 SPI 兼容总线访问。该器件支持时钟频率高达 75MHz 的高性能命令。使用 PAGE PROGRAM 命令，每次可对 1 至 256 字节的存储器进行编程

数据手册

1+
￥46.02
10+
￥40.95
30+
￥35.56
100+
￥32.97

有货

立即购买

型号：MT40A1G8SA-062E:R 编号：C2859183

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms

数据手册

1+
￥186
30+
￥180

有货

立即购买

型号：MT40A1G16KD-062E IT:E 编号：C5330483

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

数据手册

1+
￥755.06
3+
￥721.16
30+
￥687.28

有货

立即购买

型号：MT25QL128ABA1EW7-0SIT 编号：C2887898

封装：DFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

数据手册

1+
￥22.37
10+
￥19.46
30+
￥17.72
100+
￥15.97

有货

立即购买

型号：MT47H64M16NF-25E IT:M 编号：C151066

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可选突发长度（BL）：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。汽车温度（AT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

数据手册

1+
￥32.9
10+
￥28.9
30+
￥26.53
100+
￥23.38
500+
￥22.27

有货

立即购买

型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

1+
￥34.51
10+
￥29.36
30+
￥26.3
100+
￥23.21

有货

立即购买

型号：MT29F4G08ABADAWP:D 编号：C78135

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Flash 4GBIT

数据手册

1+
￥40.59
10+
￥35.88
30+
￥33.01
100+
￥30.61

有货

立即购买

型号：MT48LC16M16A2P-6A:G TR 编号：C41881

封装：TSOP-54-400mil

品牌：micron(镁光)

特性：PC100和PC133兼容。完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。内部存储体用于隐藏行访问/预充电。可编程突发长度：1、2、4、8或整页。自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。自刷新模式（AAT设备不可用）。自动刷新：64ms，8192周期（商业和工业）；16ms，8192周期（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。单3.3V±0.3V电源。 AEC-Q100 PPAP提交。 8D响应时间

数据手册

1+
￥46.07
10+
￥40.71
30+
￥37.45
100+
￥27.63

订货

我要订货

型号：MT41K256M16TW-107 AAT:P 编号：C524865

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联访问时间:20ns 安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA(8x14)

数据手册

1+
￥81.01
10+
￥71.37
30+
￥65.5
102+
￥60.57

有货

立即购买

型号：MT41K256M8DA-125 IT:K 编号：C2063887

封装：FBGA-78(8x10.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。差分双向数据选通。 8n 位预取架构

数据手册

1+
￥41.4
10+
￥36.79
30+
￥33.98
100+
￥31.62

有货

立即购买

型号：MT25QU256ABA1EW7-0SIT 编号：C2063145

封装：WPDFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

数据手册

1+
￥47.23
10+
￥41.47
30+
￥37.95
100+
￥35

有货

立即购买

型号：MT28EW01GABA1LJS-0SIT 编号：C2064354

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：1Gb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。异步随机/页面读取。页面大小：16 字或 32 字节。页面访问：20ns

1+
￥94.47
10+
￥90.92
30+
￥84.78

有货

立即购买

型号：MT25QL512ABB8E12-0SIT 编号：C17574673

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

1+
￥272.1
10+
￥262.5

有货

立即购买

型号：MT25QU128ABA1ESE-0SIT 编号：C2653519

封装：SO-8

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高166 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

数据手册

1+
￥27.87
10+
￥23.64
30+
￥21.13
100+
￥18.59

有货

立即购买

型号：MT47H64M16NF-25E:M 编号：C367427

封装：FBGA-84(8x12.5)

品牌：micron(镁光)

1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。

数据手册

1+
￥27.91
10+
￥24.06
30+
￥21.78
100+
￥19.47

有货

立即购买

型号：MT48LC16M16A2P-6A:G 编号：C5128621

封装：TSOP-54-400mil

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

数据手册

1+
￥38.46
10+
￥33.33
30+
￥28.87

有货

立即购买

型号：MT41K128M16JT-125 AAT:K 编号：C2909868

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

1+
￥39.69
10+
￥33.65
30+
￥30.72
100+
￥28.27

有货

立即购买

型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D 编号：C20539796

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant。单级单元 (SLC) 技术。组织架构：页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 2048 块

1+
￥46.15
10+
￥40.8
30+
￥37.54
96+
￥34.8

有货

立即购买

型号：MT46H32M16LFBF-5 IT:C 编号：C2061960

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。每字节数据双向数据选通 (DQS)。内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构；每个时钟周期两次数据访问。差分时钟输入 (CK 和 CK#)

数据手册

1+
￥63.43
10+
￥54.05
30+
￥48.33
100+
￥43.53

有货

立即购买

型号：MT25QU01GBBB8E12-0SIT 编号：C2061873

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

数据手册

1+
￥137.67
10+
￥132.02
30+
￥122.24

有货

立即购买

型号：MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X 编号：C21603959

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥344.52
30+
￥335.57

有货

立即购买

型号：MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y 编号：C21674868

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥452.76
30+
￥441

有货

立即购买

型号：MT29F1G08ABAEAWP:E 编号：C524870

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放NAND闪存接口 (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2112字节 (2048 + 64字节)。页面大小x16：1056字 (1024 + 32字)。块大小：64页 (128K + 4K字节)。平面大小：2个平面，每个平面512个块

数据手册

1+
￥19.5
10+
￥19.13
30+
￥18.89

有货

立即购买

型号：MT25QU256ABA8E12-1SIT 编号：C2061023

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

1+
￥36.18
10+
￥30.83
30+
￥27.56

有货

立即购买

型号：MT25QL01GBBB8ESF-0SIT 编号：C2061920

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为133 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s

数据手册

1+
￥88.49
10+
￥84.82
30+
￥78.46

有货

立即购买

型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C46795

封装：FBGA-84(9x12.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可编程突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

数据手册

1+
￥102.48
10+
￥98.06
30+
￥82.09
100+
￥75.41

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示