美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24C02CT-I/MNY 编号：C2061333

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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￥3.484 ￥6.7
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型号：24LC024T-I/MC 编号：C612277

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由一个256×8位的存储块组成。其低电压设计允许在低至1的电压下工作

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￥3.8225 ￥6.95
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型号：24LC02BT-I/MC 编号：C612280

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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￥4.0878 ￥7.57
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型号：24LC64T-I/ST 编号：C2061060

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该设备组织为一个 8K x 8 位内存的单块，具有 2 线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和工作电流分别仅为 1μA 和 3mA。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达 32 字节数据的页面写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，最多可达 512 Kbits 地址空间。有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN 和 MSOP 封装。也有 5 引脚 SOT-23 和芯片级封装。

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型号：AT24C512C-SSHD-B 编号：C615465

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 3.6V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 65,536 x 8（512K）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

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型号：AT25640B-XHL-T 编号：C2061021

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25640B提供65,536位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为8,192个8位字。该设备支持SPI模式0和3，具有1.8V至5.5V的工作电压，20MHz的时钟频率，32字节页模式写入，块写保护，硬件和软件数据保护，自定时写周期（最大5ms），高可靠性（1,000,000次写周期寿命，100年数据保留）。

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型号：AT24CS02-STUM-T 编号：C2060969

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128×8（1K）或256×8（2K）。 128位唯一工厂编程序列号。永久只读值

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型号：24AA64T-E/MNY 编号：C616452

封装：TDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24Xx64是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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￥6.21
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￥5.7058 ￥6.07
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型号：AT24C128C-XHM-B 编号：C1350717

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C128C提供128Kbit的串行EEPROM，适用于低功耗和低电压操作的汽车应用。支持I2C接口，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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型号：25AA160B-I/SN 编号：C1350191

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA160A/B、25LC160A/B（25XX160A/B*）是16Kbit串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24C02C-I/SN 编号：C220673

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除PROM，电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用2线串行接口，组织为一个256×8位的单块存储器。低电流设计允许其分别以仅5μA的最大待机电流和1mA的最大工作电流运行

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型号：24AA128T-I/MS 编号：C613286

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX128是一款16K×8（128 Kbit）串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：24LC256-E/SN 编号：C615210

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx256 是一款 32K×8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。

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型号：93LC56BT-I/ST 编号：C616748

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的93LC56BT-I/ST是一款2Kbit低电压串行EEPROM。它支持8位或16位字长，并且具有自定时擦除/写入周期。该设备具有高可靠性，擦除/写入耐久性为1,000,000次，数据保留时间为200年。工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：25LC040AT-I/OT 编号：C2653496

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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￥7.85
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型号：SST25VF512A-33-4C-QAE-T 编号：C629153

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST的串行闪存系列采用四线SPI兼容接口，该接口所需引脚数量少，占用的电路板空间小，最终可降低系统总成本。SST25VF512A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性

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￥7.9218 ￥14.67
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型号：24AA64FT-I/MNY 编号：C2062243

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F是一款64Kbit（8K x 8-bit）I2C串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持2.5V至5.5V的工作电压范围，适用于个人通信和数据采集等低功耗应用。

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￥9.01
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￥7.35
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型号：24AA512T-I/SN 编号：C615629

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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￥9.64
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￥8.01
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型号：24LC64-I/MS 编号：C1349074

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24XX64*）是一款64 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件组织为一个具有两线串行接口的8K×8位单块存储器。低电压设计允许低至1 V的工作电压

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1+
￥10.35
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￥8.72
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￥7.82

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型号：24AA256T-I/ST 编号：C2061029

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx256 是一款 32K×8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。

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型号：SST25VF040B-50-4I-S2AF 编号：C178274

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品具备四线SPI兼容接口，可采用引脚数少的封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总体成本。SST25VF040B器件在工作频率上有所提升，功耗更低。SST25VF040B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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￥12.86
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￥10.89
30+
￥9.66
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型号：AT24C64B-10TU-1.8 编号：C1348953

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:1.8V（VCC = 1.8V 至 5.5V）。2.7V（VCC = 2.7V 至 5.5V）。内部组织为 8,192 x 8（64K）。工业温度范围：-40℃ 至 +85℃

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￥14.25
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￥12
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￥10.59
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型号：AT24CM01-XHD-B 编号：C619855

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01是一款1,048,576位的串行EEPROM，组织为131,072个8位字。该设备支持1.7V至5.5V的工作电压，具有2线串行接口，支持页写模式和随机/顺序读取模式。它还具有硬件数据保护功能和自定时写周期（最大5毫秒）。

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￥16.6
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￥14.03
30+
￥12.42
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￥10.77

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型号：24CSM01T-I/Q4B 编号：C25255318

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

提供 1 Mbit 的串行 EEPROM，采用 I²C（两线）串行接口，具备 3.4 MHz 高速模式能力。该设备由 131,072 个 8 位字节（128 KB）组成，适用于需要可靠和稳定非易失性存储的消费和工业应用。允许最多八个设备共享一个公共 I²C（两线）总线，并能在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内运行。

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￥17.42
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￥14.69
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￥12.98

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型号：AT24CM02-SSHD-B 编号：C220680

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为262,144个8位字。该器件的可级联特性允许最多两个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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￥23.41
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￥19.93
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￥17.86

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型号：24LC1025-E/SM 编号：C1348763

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/ 24FC1025 (24xx1025*)是一个128K x 8 (1024K bit)串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围(1.7V至5.5V)内工作。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。该设备具有字节写入和高达128字节数据的页面写入能力。

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￥23.56
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￥20.15
30+
￥18.12

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型号：24LC1025-E/SN 编号：C1348742

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款128K x 8（1024K bit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力，能够进行随机和顺序读取。读取可在地址边界0000h至FFFFh和10000h至1FFFh内顺序进行。功能地址线允许在同一数据总线上连接多达四个设备，这使得系统EEPROM总内存可达4Mbits。该设备有标准的8引脚PDIP、SOIC和SOIJ封装。

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