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首页 > 热门关键词 > 美国微芯存储器
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64 Mbit（x16）多功能FlashPlus
型号：SST39VF6401B-70-4I-EKE 编号：C36836
封装：TSOP-48-18.4mm
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的4M x16 CMOS多功能闪存Plus (MPF+)。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。采用2.7-3.6V电源供电进行写入（编程或擦除）。符合x16存储器的JEDEC标准引脚分配
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    ￥43.78

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    ￥37.26

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    支持半阵列写保护的4K I²C串行EEPROM
    型号：24AA04HT-I/OT 编号：C616200
    封装：SOT-23-5
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24××04H 是一款 4 Kbit 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个 256×8 位的存储块组成。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作
    数据手册

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      ￥5.61

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    带有EUI-48节点标识符的2K I2C串行EEPROM
    型号：24AA02E48-I/SN 编号：C81475
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA02E48/24AA025E48（24AAXXXE48*）是一款容量为2Kb的电可擦除式可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个128x8位存储器块构成，为2线串行接口。器件采用低电压设计技术，允许工作电压最低可至1.7V，而最高待机电流和工作电流分别仅为1μA和1mA。
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    16Kbit I²C兼容串行EEPROM
    型号：AT24C16D-STUM-T 编号：C616254
    封装：SOT-23-5
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT24C16D是一款16Kbit（2,048 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V到3.6V的低电压操作。它具有多种工作模式，包括标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和快速模式加（1MHz）。该器件还具有硬件写保护功能、超低功耗和高可靠性。
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      ￥5.88

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    2K、5.0V I²C串行EEPROM
    型号：24C02C-I/SN 编号：C220673
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24C02C是一款2K位串行电可擦除PROM，电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用2线串行接口，组织为一个256×8位的单块存储器。低电流设计允许其分别以仅5μA的最大待机电流和1mA的最大工作电流运行
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      ￥6.22

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    512Kbit I2C串行EEPROM，支持低功耗应用；
    型号：24AA512-I/SN 编号：C193702
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA512是一款64Kx8(512Kbit)的I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，适用于低功耗应用，如个人通信和数据采集。该设备具有128字节的页写能力，支持随机和顺序读取。
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    SPI 串行 EEPROM
    型号：AT25256B-SSHL-B 编号：C615490
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    特性：与串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。 低电压操作：1.8V (VCC = 1.8V至5.5V)。 工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 64字节页模式。 块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。 写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。 自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 >4000V。 高可靠性: -耐用性：100万次写循环。 -数据保留：100年。 环保（无铅/无卤/符合RoHS标准）封装选项。 裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆
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      ￥6.63

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    具备唯一工厂预编程128bit 序列号的I²C兼容（两线制）串行EEPROM
    型号：AT24CS64-SSHM-B 编号：C615478
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    特性：低工作电压：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为8,192 x 8（64K）。128位唯一工厂编程序列号。永久只读值
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    2K位微线兼容串行EEPROM
    型号：93LC56BT/SN 编号：C615922
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93LC56A/B/C 是2-Kbit低电压串行EEPROM，支持Microwire兼容接口。这些器件采用先进的CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。提供多种封装选项，包括PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、SOT-23等。
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    I2C 兼容（双线）串行 EEPROM，具有工厂编程的 EUI-48 或 EUI-64 地址以及唯一序列号
    型号：AT24MAC402-STUM-T 编号：C2061068
    封装：SOT-23-5
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    特性：低电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 256 × 8（2K）。工厂预编程 EUI-48 或 EUI-64 兼容地址。永久锁定，只读值存储在单独的存储区域。确保唯一的 EUI 地址。提供定制编程服务
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    512K I²C串行EEPROM
    型号：24LC512-I/P 编号：C42048
    封装：PDIP-8-300mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA512/24LC512/24FC512（24xxx512）是一款 64K×8（512 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。
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    带128位序列号和增强型软件写保护功能的256 Kbit、3.4 MHz I2C串行EEPROM
    型号：24CS256-I/SN 编号：C5883969
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24CS256提供256 Kbit的串行EEPROM，采用具备3.4 MHz高速模式能力的I²C（两线制）串行接口。该器件组织形式为32,768个8位字节（32 Kbyte），针对消费、工业和汽车应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要。24CS256允许最多8个器件共享一条通用的I²C（两线制）总线，并且能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作

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      ￥8.76

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    1 Mbit SPI 串行闪存
    型号：SST25VF010A-33-4I-SAE 编号：C481384
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST的串行闪存系列采用四线、SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF010A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性
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    带EEPROM备份的4/16 Kbit静态随机存取存储器（SRAM）
    型号：47L04-I/SN 编号：C610320
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    具备EEPROM备份功能的4/16 Kbit SRAM采用512×8位或2,048×8位的存储器结构，并使用I²C串行接口。它能为SRAM提供无限次的读写循环，而EEPROM单元则能提供高耐久性的数据非易失性存储。搭配外部电容使用时，掉电时SRAM数据会自动传输至EEPROM
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    3.0V 16 Mbit 串行四线 I/O (SQI) 闪存
    型号：SST26VF016B-104I/SM 编号：C86305
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    串行四路输入输出（Serial Quad I/O™，SQI™）系列闪存设备采用六线 4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016B 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本
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    2.5V/3.0V，8Mbit 串行四线I/O（SQI）闪存
    型号：SST26VF080A-104I/SN 编号：C1012895
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Serial Quad I/O™ (SQI™) 系列闪存设备具有六线、4 位 I/O 接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间并最终降低系统成本。26 系列 SQI 系列的所有成员均采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造
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      ￥13.64

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    4 Mbit SPI串行闪存
    型号：SST25VF040B-50-4I-S2AF 编号：C178274
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25系列串行闪存产品具备四线SPI兼容接口，可采用引脚数少的封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总体成本。SST25VF040B器件在工作频率上有所提升，功耗更低。SST25VF040B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造
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      ￥16.28

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    1-Mbit I²C兼容串行EEPROM
    型号：AT24CM01-XHD-B 编号：C619855
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT24CM01是一款1,048,576位的串行EEPROM，组织为131,072个8位字。该设备支持1.7V至5.5V的工作电压，具有2线串行接口，支持页写模式和随机/顺序读取模式。它还具有硬件数据保护功能和自定时写周期（最大5毫秒）。
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    • 1+

      ￥16.6

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      ￥14.03

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    512Kbit SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC512-I/SM 编号：C185540
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需
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      ￥18.48

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      ￥15.99
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    24AA256T-E/MNY
    型号：24AA256T-E/MNY 编号：C2061569
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA256/24LC256/24FC256 是 32K x 8 (256Kbit) 的 I2C 兼容串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，支持宽电压范围 (1.7V 至 5.5V)。具有页写功能，最多可写入 64 字节数据。支持高达 8 个设备的级联。
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      ￥18.62

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      ￥14.34
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    2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit（x16）多用途闪存
    型号：SST39VF800A-70-4I-EKE 编号：C1352678
    封装：TSOP-48-12.0mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作
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      ￥29.47

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      ￥21.73
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    1 Mbit SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA1024-I/P 编号：C1349235
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA1024是1024 Kbit串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能，还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能对于字节或页写入操作不是必需的。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。
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      ￥32.776 ￥48.2

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      ￥26.7612 ￥46.14

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      ￥21.5424 ￥44.88

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      ￥21.0336 ￥43.82
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    64 Mbit串行四路I/O闪存
    型号：SST26VF064B-104I/SO 编号：C642015
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    串行四路输入输出（SQI）系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本
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    • 1+

      ￥37.5632 ￥55.24

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      ￥28.4664 ￥49.08

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      ￥21.7584 ￥45.33

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      ￥20.2512 ￥42.19
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    8 Kbit，兼容I²C（两线制）的串行EEPROM
    型号：AT24C08D-MAHM-T 编号：C616836
    封装：UDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    特性：低电压操作：VCC = 1.7V至3.6V。 内部组织为1,024 × 8（8K）。 工业温度范围：-40°C至+85°C。 I²C兼容（两线）串行接口: -100 kHz标准模式，1.7V至3.6V
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      ￥39.2896 ￥70.16

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    AT24C01D-STUM-T
    型号：AT24C01D-STUM-T 编号：C616250
    封装：SOT-23-5
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT24C01D是一款1-Kbit (128 x 8) I2C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM，工作电压1.7V至3.6V，工业温度范围-40°C至+85°C，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为100年。
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    • 1+

      ￥1.58

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    16K I²C串行EEPROM
    型号：24AA16T-I/SN 编号：C2061027
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作
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    I2C兼容（双线）串行EEPROM
    型号：AT24C01D-SSHM-T 编号：C141863
    封装：SOIC-8-150mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    特性：低电压操作：VCC = 1.7V至3.6V。内部组织为128 × 8 (1K) 或256 × 8 (2K)。工业温度范围：-40℃至+85℃。I²C兼容（两线）串行接口:100 kHz标准模式，1.7V至3.6V
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    4K I²C串行EEPROM
    型号：24AA04T-I/SN 编号：C2061464
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作
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    93LC56B/SN
    型号：93LC56B/SN 编号：C615404
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    2-Kbit 低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA56C、93LC56C 或 93C56C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，有相应设备可用；对于专用 16 位通信，也有对应设备。先进的 CMOS 技术使这些设备非常适合低功耗、非易失性存储应用。
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    128位I²C总线串行EEPROM
    型号：24LC00T-I/SN 编号：C615662
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA00/24LC00/24C00（24××00*）是一款128位电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），采用16×8结构，具备两线串行接口。24AA00版本采用低电压设计，可低至1.8伏工作，且每个版本的最大待机电流仅为1 μA，典型工作电流仅为500 μA。
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