美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LC02BT-E/OT 编号：C2061350

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC02B是一款2-Kbit I2C串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，最高时钟频率为400kHz。

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型号：25AA02E48T-I/OT 编号：C145570

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA02E48是一款2Kbit SPI总线串行EEPROM，预编程有全球唯一的48位节点地址，支持EUI-48标准。工作电压范围为1.8V至5.5V，最大时钟频率为10MHz。

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型号：AT24CS32-STUM-T 编号：C147891

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT24CS32提供32,768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为4,096个8位字。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要。AT24CS32有节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN和5引脚SOT23封装可供选择，并通过两线串行接口进行访问

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型号：24AA256-I/SN 编号：C152169

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24xx256*）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：25LC040AT-I/OT 编号：C2653496

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24AA64FT-I/MNY 编号：C2062243

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F是一款64Kbit（8K x 8-bit）I2C串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持2.5V至5.5V的工作电压范围，适用于个人通信和数据采集等低功耗应用。

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型号：SST25VF080B-50-4I-S2AF-T 编号：C629101

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品家族采用四线SPI兼容接口，支持低引脚数封装，可减少电路板占用空间，最终降低系统总体成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面均有提升。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：23LCV1024-I/SN 编号：C615097

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV1024是一款1 Mbit SPI串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗CMOS技术，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为20 MHz。支持字节、页和顺序模式读写操作。

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型号：AT24CM02-SSHD-B 编号：C220680

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为262,144个8位字。该器件的可级联特性允许最多两个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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型号：AT24C02C-SSHM-B 编号：C615453

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压运行：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128 × 8（1K）或256 × 8（2K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至5.5V

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型号：24LC08BT-E/OT 编号：C2061755

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款 8K 位电可擦除 PROM。该设备由四个 256×8 位存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下工作，待机和工作电流分别仅为 1μA 和 1mA。还具备高达 16 字节数据的页写入能力。

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型号：AT24C02D-XHM-B 编号：C619839

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C02D是一款2-Kbit (256 x 8) I2C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM，工作电压1.7V至3.6V，工业温度范围-40°C至+85°C，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为100年。

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型号：24LC02B-I/SN 编号：C1348870

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2-Kbit电可擦除PROM。该设备由一个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达8字节数据的页写入能力。

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型号：AT24C64D-SSHM-B 编号：C116707

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C64D 提供 65,536 位串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，每个字包含 8,192 个 8 位字。该器件的级联功能允许最多八个器件共享一条双线总线。该器件针对许多需要低功耗和低电压运行的工业和商业应用进行了优化。

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型号：AT93C46DN-SH-B 编号：C615511

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C46D 提供 1024 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当 ORG 引脚连接到 V_CC 时，其组织形式为 64 个字，每个字 16 位；当 ORG 引脚接地时，组织形式为 128 个字，每个字 8 位。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。AT93C46D 提供节省空间的 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC、8 引脚 TSSOP、8 焊盘 UDFN 和 8 球 VFBGA 封装

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型号：24AA01HT-I/OT 编号：C2062275

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA01H/24LC01BH（24xx01H*）是一款 1 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用 2 线串行接口，组织为一个 128×8 位的存储块。低电压设计允许其在低至 1 V 的电压下工作

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型号：24LC32A-I/SN 编号：C511262

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 32 Kbit 电可擦除 PROM。该设备被组织为一个 4K x 8 位内存的单块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和工作电流分别仅为 1 μA 和 1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达 32 字节数据的页面写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达 256 Kbits。有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN 和 MSOP 封装。也有 5 引脚 SOT-23 和芯片级封装。

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型号：AT24C64D-MAHM-T 编号：C2653494

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 8,192 x 8（64K）。工业温度范围：-40℃ 至 +85℃。 I2C 兼容（两线）串行接口: -100 kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

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型号：AT25160B-SSHL-T 编号：C6489

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25080B/160B提供8192/16384位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为1024/2048个字，每个字8位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25080B/160B有节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN、8球VFBGA和8球WLCSP封装可供选择

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型号：AT21CS11-STU10-T 编号：C2061961

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT21CS01/AT21CS11是一款双引脚存储器（SI/O和接地引脚），可从SI/O引脚获取能量为集成电路供电。它提供1024位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为128个8位字。该器件经过优化，可通过两点机械连接在无供电附件中添加配置和使用信息，这种连接方式仅为无供电附件提供一个信号（SI/O）和接地

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型号：24LC64FT-I/OT 编号：C616247

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/ 24FC64F (24XX64F*) 是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该器件被组织为一个具有 2 线串行接口的 8Kx8 位内存单块。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和读取电流分别仅为 1 μA 和 400 μAᵢ。

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型号：24LC02BT-I/MC 编号：C612280

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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￥4.6177 ￥7.57
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￥3.2181 ￥6.31
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型号：AT93C46D-PU 编号：C177151

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C46D提供1024位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当ORG引脚连接到VCC时，其组织形式为64个字，每个字16位；当ORG引脚接地时，为128个字，每个字8位。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。AT93C46D有节省空间的8引脚PDIP、8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN和8球VFBGA封装可供选择

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￥3.88
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￥3.42
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型号：93LC46B/SN 编号：C1348804

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC46AX/BX 是 1Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件的存储器配置为×8（93LC46A）或×16 位（93LC46B）。先进的 CMOS 技术使这些器件非常适合用于低功耗非易失性存储器应用

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￥4.21
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￥3.72
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型号：AT25640B-XHL-T 编号：C2061021

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25640B提供65,536位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为8,192个8位字。该设备支持SPI模式0和3，具有1.8V至5.5V的工作电压，20MHz的时钟频率，32字节页模式写入，块写保护，硬件和软件数据保护，自定时写周期（最大5ms），高可靠性（1,000,000次写周期寿命，100年数据保留）。

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￥5.37
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￥5.24
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￥5.16
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型号：24LC32AT-E/OT 编号：C2062159

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32A/24LC32A（24x32A*）是一款32 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将4Kx8位的存储器组织为单个存储块。低电压设计使其可在低至1 V的电压下工作

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型号：25AA160B-I/SN 编号：C1350191

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA160A/B、25LC160A/B（25XX160A/B*）是16Kbit串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：25LC640A-I/SN 编号：C71171

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

64 kbit 串行电可擦除 PROM，通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。与设备的通信可以通过保持引脚（HOLD）暂停。当设备暂停时，除片选外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装，包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC，以及先进封装，包括 8 引脚 MSOP、8 引脚 TSSOP、DFN 和 TDFN。

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