美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT27C4096-90JU 编号：C220865

封装：PLCC-44(16.6x16.6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT27C4096是一款低功耗、高性能的4,194,304位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），其结构为256K×16位。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源供电。任何字的访问时间都小于55ns，无需使用会降低速度的等待状态

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型号：24LC08B-I/SN 编号：C461558

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24LC08B是一款8Kbit I2C串行EEPROM，分为四个256x8位的存储块。其低电压设计允许在2.5V至5.5V范围内工作，具有低功耗CMOS技术，支持高达400kHz的时钟频率。

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型号：24LC02B-I/SN 编号：C1348870

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2-Kbit电可擦除PROM。该设备由一个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达8字节数据的页写入能力。

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型号：24LC08BT-E/OT 编号：C2061755

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款 8K 位电可擦除 PROM。该设备由四个 256×8 位存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下工作，待机和工作电流分别仅为 1μA 和 1mA。还具备高达 16 字节数据的页写入能力。

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型号：11AA010T-I/TT 编号：C616172

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量从1 Kbit到16 Kbit的串行电可擦除PROM。这些器件采用x8位存储块结构，并支持获得专利的单输入/输出UNI/O⊕串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为单一的串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和数值

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型号：AT24C08D-STUM-T 编号：C616252

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C08D是一款8Kbit (1024 x 8) 的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V到3.6V的低电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。它支持标准模式（100 kHz）、快速模式（400 kHz）和快速模式Plus（1 MHz）的I2C接口。该器件还具有硬件写保护、自定时写周期（最大5 ms）和高可靠性特性，如1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留。

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型号：25LC080AT-I/SN 编号：C2061506

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC080A/B是8Kbit的串行EEPROM，通过SPI接口访问，支持16字节页面写操作，具有100万次擦写寿命和超过200年的数据保持能力。

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型号：24LC32A-I/SN 编号：C511262

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 32 Kbit 电可擦除 PROM。该设备被组织为一个 4K x 8 位内存的单块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和工作电流分别仅为 1 μA 和 1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达 32 字节数据的页面写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达 256 Kbits。有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN 和 MSOP 封装。也有 5 引脚 SOT-23 和芯片级封装。

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型号：11LC010T-E/TT 编号：C2062073

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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型号：25AA040AT-I/OT 编号：C144218

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24CW160T-I/OT 编号：C616213

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

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型号：24LC02BT-E/OT 编号：C2061350

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC02B是一款2-Kbit I2C串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，最高时钟频率为400kHz。

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型号：24LC64T-E/OT 编号：C616248

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24Xx64是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：AT24C256C-MAHL-E 编号：C616843

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C256C是一款256K位（32,768 x 8）的串行EEPROM，支持I2C兼容的两线接口。它的工作电压范围为1.7V至5.5V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有写保护引脚，支持64字节页写模式，并具有超低功耗特性。

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型号：24LC16BT-I/ST 编号：C620001

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16BT是一款16Kbit I2C串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持2.5V至5.5V供电，工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件支持页写操作，可写入最多16字节的数据，具有超过1百万次擦写寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：24AA128T-I/MNY 编号：C2653498

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX128是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：24AA512-I/SN 编号：C193702

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512是一款64Kx8(512Kbit)的I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，适用于低功耗应用，如个人通信和数据采集。该设备具有128字节的页写能力，支持随机和顺序读取。

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型号：AT88SC0404CA-SH 编号：C153259

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：23LCV512-I/SN 编号：C1349237

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV512 是一款 512 Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持外部电池备份和 SDI 接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗 CMOS 技术，适用于工业温度范围。

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型号：24LC256T-I/MS 编号：C613348

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备还具备高达64字节数据的页写入能力。能够在256K边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，以实现高达2 Mbit的地址空间。

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型号：24AA256UID-I/ST 编号：C619605

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256UID是一款32K×8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，预编程有EUI - 48和EUI - 64节点地址以及一个32位唯一ID，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：25LC1024T-E/SM 编号：C2060945

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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￥20.3
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型号：SST39VF1601-70-4I-EKE-T 编号：C21923

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥44.9655 ￥48.35
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￥34.7189 ￥41.83
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￥25.2069 ￥34.53

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型号：SST39VF6401B-70-4I-EKE 编号：C36836

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的4M x16 CMOS多功能闪存Plus (MPF+)。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。采用2.7-3.6V电源供电进行写入（编程或擦除）。符合x16存储器的JEDEC标准引脚分配

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￥44.7
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￥39.93

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型号：AT24HC02C-PUM 编号：C1350028

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24HC02C提供2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为256个8位字。

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￥2.1952 ￥6.86
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￥1.2584 ￥5.72
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￥0.612 ￥5.1
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￥0.5268 ￥4.39
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￥0.4884 ￥4.07
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￥0.4716 ￥3.93

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型号：AT93C46DN-SH-B 编号：C615511

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C46D 提供 1024 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当 ORG 引脚连接到 V_CC 时，其组织形式为 64 个字，每个字 16 位；当 ORG 引脚接地时，组织形式为 128 个字，每个字 8 位。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。AT93C46D 提供节省空间的 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC、8 引脚 TSSOP、8 焊盘 UDFN 和 8 球 VFBGA 封装

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￥2.56
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￥2.05
200+
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型号：AT24C02C-SSHM-B 编号：C615453

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压运行：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128 × 8（1K）或256 × 8（2K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至5.5V

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￥2.08
150+
￥1.86

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型号：24LC024T-E/SN 编号：C2061224

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。

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￥2.706 ￥4.92
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￥2.169 ￥4.82
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￥1.659 ￥4.74
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￥1.6345 ￥4.67

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型号：93LC46BT-I/OT 编号：C2649426

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX46A/B/C 器件是 1Kbit 的低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA46C、93LC46C 或 93C46C 这类字可选器件，需依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 器件；而 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 器件则提供专用 16 位通信

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￥2.37
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￥2.1

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型号：24LC08BT-E/MNY 编号：C616489

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx08 是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256×8 位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作

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￥3.105 ￥5.75
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