美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8-208mil

串行四路输入/输出（SQI）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：25AA040AT-I/OT 编号：C144218

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24LC64-I/P 编号：C16472

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：25LC256-I/SN 编号：C84670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25XX256*) 是 256k -bit 串行电可擦除 PROM。该存储器可通过简单的串行外设接口 (SPI™) 兼容串行总线访问。所需的总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

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型号：AT24C16C-STUM-T 编号：C2061175

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16C提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为2048个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。该器件提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23、8球VFBGA和8焊盘XDFN封装

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型号：24LC16BT-E/OT 编号：C616242

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16BT是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，两线串行接口，可编程硬件写保护，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率。

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型号：AT24CM01-SHD-T 编号：C36057

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01是一款1,048,576位的串行EEPROM，组织为131,072个8位字。该设备支持1.7V至5.5V的工作电压，具有2线串行接口，支持页写模式和随机/顺序读取模式。它还具有硬件数据保护功能和自定时写周期（最大5毫秒）。

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型号：AT24C02C-PUM 编号：C8810

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01C/02C提供1024/2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为128/256个字，每个字8位。两款器件均具备级联功能，最多允许8个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对众多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

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型号：AT24C256C-MAHL-T 编号：C2063074

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压运行:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 32,768 x 8 (256K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I2C 兼容 (2 线) 串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

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型号：24CW1280T-I/OT 编号：C2061808

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

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型号：23LCV512-I/SN 编号：C1349237

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV512 是一款 512 Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持外部电池备份和 SDI 接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗 CMOS 技术，适用于工业温度范围。

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型号：23LC1024-I/ST 编号：C1523870

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI（双线）和SQI（四线）接口。该设备通过简单的SPI兼容串行总线访问内存，支持无限次读写操作，零写入时间，以及字节、页和顺序模式的读写操作。

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型号：AT27C4096-90JU 编号：C220865

封装：PLCC-44(16.6x16.6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT27C4096是一款低功耗、高性能的4,194,304位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），其结构为256K×16位。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源供电。任何字的访问时间都小于55ns，无需使用会降低速度的等待状态

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型号：AT24C08D-SSHM-T 编号：C116669

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C08D 提供 8192 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 1024 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多两个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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型号：AT25040B-SSHL-T 编号：C111443

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25010B/020B/040B提供1024/2048/4096位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为128/256/512个字，每个字8位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25010B/020B/040B采用节省空间的JEDEC SOIC、UDFN、TSSOP、XDFN和VFBGA封装

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型号：93LC66BT-I/SN 编号：C46698

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 4Kbit 低电压串行电可擦除 PROM（EEPROM）。字可选设备（如 93AA66C、93LC66C 或 93C66C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93XX66A 设备，而 93XX66B 设备提供专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个 93XX 系列有标准封装（包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC）和先进封装（包括 8 引脚 MSOP、6 引脚 SOT-23、8 引脚 2x3 DFN/TDFN 和 8 引脚 TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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型号：AT24C16D-MAHM-T 编号：C2061409

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16D提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为2048个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。该器件提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23和8球VFBGA封装

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型号：24LC128-I/SN 编号：C92359

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA128/24LC128/24FC128（24××128*）是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：24CW160T-I/OT 编号：C616213

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

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型号：24LC64T-E/OT 编号：C616248

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24Xx64是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：24AA128T-I/MNY 编号：C2653498

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX128是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：25LC320-I/SN 编号：C47093

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

32-Kbit(4K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 5.5V

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型号：24AA256UID-I/ST 编号：C619605

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256UID是一款32K×8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，预编程有EUI - 48和EUI - 64节点地址以及一个32位唯一ID，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：24FC256T-I/SN 编号：C144294

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24FC256是一款256Kbit高速I2C EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，适用于低功耗应用，支持高达1MHz的时钟频率。

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型号：SST39VF6401B-70-4C-EKE 编号：C11321

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF640xB 器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 4M x16 CMOS 多功能闪存增强版（MPF+）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF640xB 在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：24LC04B-I/SN 编号：C1348732

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：AT24CS01-MAHM-T 编号：C616851

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS01/AT24CS02 是 I2C 兼容的串行 EEPROM，具有 128 位唯一工厂编程的序列号。存储容量分别为 1Kbit 和 2Kbit。支持 1.7V 至 5.5V 的低电压操作，工业温度范围为 -40°C 至 +85°C。

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型号：24LC64T-I/ST 编号：C2061060

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该设备组织为一个 8K x 8 位内存的单块，具有 2 线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和工作电流分别仅为 1μA 和 3mA。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达 32 字节数据的页面写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，最多可达 512 Kbits 地址空间。有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN 和 MSOP 封装。也有 5 引脚 SOT-23 和芯片级封装。

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型号：AT24C08D-STUM-T 编号：C616252

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C08D是一款8Kbit (1024 x 8) 的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V到3.6V的低电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。它支持标准模式（100 kHz）、快速模式（400 kHz）和快速模式Plus（1 MHz）的I2C接口。该器件还具有硬件写保护、自定时写周期（最大5 ms）和高可靠性特性，如1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留。

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型号：AT24C04C-PUM 编号：C8811

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT24C04C和AT24C08C提供4096/8192位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为512/1024个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。AT24C04C/08C有节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装可供选择，并可通过两线串行接口访问

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