美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：93AA66C-I/SN 编号：C153277

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93AA66C 是一个4K位低电压串行EEPROM，支持8位或16位组织，具有自动擦除/写入功能，适用于低功耗、非易失性存储应用。

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型号：AT24CS08-SSHM-B 编号：C1349247

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为512 × 8（4K）或1,024 × 8（8K）。128位唯一工厂编程序列号。永久只读值

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型号：AT25256B-SSHL-B 编号：C615490

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：与串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (VCC = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 64字节页模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 >4000V。高可靠性: -耐用性：100万次写循环。 -数据保留：100年。环保（无铅/无卤/符合RoHS标准）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

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型号：93LC56BT/SN 编号：C615922

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC56A/B/C 是2-Kbit低电压串行EEPROM，支持Microwire兼容接口。这些器件采用先进的CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。提供多种封装选项，包括PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、SOT-23等。

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型号：25LC128T-I/SN 编号：C2061563

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA128/25LC128（25xx128(1)）是128 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：93LC66A-I/P 编号：C1349080

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX66A/B/C 器件是 4 Kbit 的低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA66C、93LC66C 或 93C66C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX66A 器件；而 93XX66B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：24LC128-I/ST 编号：C1348915

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24LC128 是一款128Kbit I2C兼容的串行EEPROM，可在1.7V到5.5V的宽电压范围内工作，支持高达400kHz的时钟频率，适用于各种低功耗应用。

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型号：25C160-I/SN 编号：C615263

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA160/25LC160/25C160（25XX160*）是16 Kbit的串行电可擦除PROM。该存储器通过兼容简单串行外设接口（SPI）的串行总线进行访问。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24LC16BHT-I/MNY 编号：C616493

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16BH是一款16K位I2C串行EEPROM，具有半阵列写保护功能。该设备分为八个256字节的内存块，支持2.5V至5.5V的单电源供电，最大时钟频率为400kHz。

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型号：24LC32AT-E/OT 编号：C2062159

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32A/24LC32A（24x32A*）是一款32 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将4Kx8位的存储器组织为单个存储块。低电压设计使其可在低至1 V的电压下工作

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型号：24AA128T-I/ST 编号：C619920

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX128是一款16K×8（128 Kbit）串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：SST39VF1601C-70-4C-B3KE 编号：C633377

封装：FBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF1601C和SST39VF1602C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M×16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：93LC86C-I/SN 编号：C615447

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC86C-I/SN 是16K位低电压串行EEPROM，兼容Microwire协议，具有8或16位组织，工作电压2.5V至5.5V，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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型号：93LC46/SN 编号：C615396

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是1K、2K和4K低电压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。设备内存根据ORG引脚的外部逻辑电平配置为×8或×16位。先进的CMOS技术使其非常适合低功耗非易失性存储器应用。有标准8引脚PDIP和表面贴装SOIC封装。旋转引脚输出的型号仅提供“SN”封装。

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型号：SST25PF020B-80-4C-SAE 编号：C631779

封装：SOIC-8-150mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25PF020B器件具备更高的工作频率和更低的功耗。SST25PF020B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：24AA64-I/P 编号：C1350179

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24XX64）是一款64 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：24LC65/P 编号：C613721

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA65/24LC65/24C65（24XX65）是一款“智能”的8K×8串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件专为个人通信等先进低功耗应用而研发，通过采用许多新的用户可编程特性，为系统设计人员提供了灵活性。24XX65为频繁更改的数据提供了一个可重新定位的4K位超高耐久性存储块

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￥10.6528 ￥33.29
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型号：24C65/SM 编号：C1349174

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA65/24LC65/24C65（24Xx65）是一款“智能”的8K×8串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。该器件专为个人通信等先进低功耗应用而开发，通过使用许多新的用户可编程特性，为系统设计人员提供了灵活性。24Xx65为频繁更改的数据提供了一个可重定位的4K位超高耐久性存储块

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型号：25LC320-I/SN 编号：C47093

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

32-Kbit(4K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 5.5V

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型号：25LC640A-I/ST 编号：C619764

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640A/25LC640A（25XX640A）是64 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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￥13.26
10+
￥11.26
30+
￥10

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型号：25AA640-I/SN 编号：C615255

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit串行电可擦除PROM [EEPROM]。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。可以通过保持引脚（HOLD）暂停与设备的通信。当设备暂停时，将忽略其输入上的转换，但片选除外，允许主机处理更高优先级的中断。

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￥13.38
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￥10.374 ￥11.4
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￥6.5529 ￥8.09

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型号：SST39VF3201B-70-4I-B3KE 编号：C633391

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF320xB器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF320xB可在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥14.8911 ￥30.39
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￥8.0098 ￥27.62

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型号：25LC256-I/P 编号：C511271

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

256K位串行EEPROM，通过SPI接口访问，支持2.5-5.5V供电，工业温度范围-40°C到+85°C。

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￥16.34
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￥16.07

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型号：SST39VF401C-70-4I-EKE 编号：C637407

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF401C/402C 和 SST39LF401C/402C 器件是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 256K x16 CMOS 多用途闪存 Plus（MPF+）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39LF401C/402C 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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