美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：47L16T-I/SN 编号：C2062434

封装：SOIC-8

带有EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM的存储结构为512×8位或2,048×8位，并采用I²C串行接口。它为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外接电容，掉电时SRAM数据会自动传输到EEPROM中

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型号：25LC256T-E/SN 编号：C159741

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

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型号：23LCV1024-I/SN 编号：C615097

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV1024是一款1 Mbit SPI串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗CMOS技术，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为20 MHz。支持字节、页和顺序模式读写操作。

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型号：25LC1024-I/SM 编号：C40938

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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型号：AT25M02-SSHM-T 编号：C2061882

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25M02提供2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。该设备提供1.7V至5.5V或2.5V至5.5V的工作电压。

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型号：AT24C04D-STUM-T 编号：C2061208

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04D提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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型号：93LC56B-I/SN 编号：C183620

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX56A/B/C 器件是 2Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA56C、93LC56C 或 93C56C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX56A 器件；而 93XX56B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：24LC04BT-E/OT 编号：C2061304

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：25LC256-I/SN 编号：C84670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25XX256*) 是 256k -bit 串行电可擦除 PROM。该存储器可通过简单的串行外设接口 (SPI™) 兼容串行总线访问。所需的总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

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型号：24FC512-I/SN 编号：C615159

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：24LC1025T-I/SN 编号：C615697

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：24LC08BT-I/SN 编号：C5455

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA08/24LC08B（24xxx08）是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256×8 位的存储块组成，并具备两线串行接口。低电压设计使其能够在低至 1 V 的电压下工作

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型号：24LC16B-I/SN 编号：C1349383

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：AT93C86A-10SU-2.7-T 编号：C6508

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

当 ORG 引脚连接到 Vcc 时，AT93C86A 提供 16384 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 1024 个 16 位字；当该引脚接地时，则为 2048 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有重要要求的工业和商业应用进行了优化。AT93C86A 提供节省空间的 8 引脚 PDIP、8 引脚 JEDEC SOIC、8 引脚 MAP 和 8 引脚 TSSOP 封装

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￥4.93
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型号：23LC1024-I/SN 编号：C48388

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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￥16.58
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型号：23LC512-I/ST 编号：C219763

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC512 是一款 512Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持 SDI 和 SQI 接口。该器件采用低功耗 CMOS 技术，支持无限次读写，零写入时间，以及 64K x 8 -Bit组织结构。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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￥24.16
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￥20.56
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型号：24AA01T-I/OT 编号：C122877

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA01/24LC01B（24xxx01*）是一款1Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将128×8位存储器组织为一个存储块。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作

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￥2.0377
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￥1.6239
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￥1.4465
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￥1.2252

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型号：24AA08T-I/OT 编号：C144178

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA08/24LC08B（24xx08*）是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256 x 8 位的存储块组成，具备两线串行接口。低电压设计允许其在低至 1 V 的电压下工作

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￥2.6204
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￥2.1668
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￥1.7299

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型号：24AA64T-I/OT 编号：C2061092

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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1+
￥3.2
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￥2.5
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￥2.19

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型号：24LC256-I/SN 编号：C411625

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx256是32Kx8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内运行。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。该设备还具有高达64字节数据的页面写入能力。

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￥4.09
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￥3.36
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型号：AT24C32D-XHM-T 编号：C2685757

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部结构为4,096 x 8（32K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口

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￥4.15
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￥3.31
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￥2.89
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￥2.47

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型号：AT21CS01-STUM10-T 编号：C616192

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT21CS01/AT21CS11是一款双引脚存储器（SI/O和接地引脚），它可从SI/O引脚获取能量，为集成电路供电。该器件提供1024位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），以128个8位字的形式组织。该器件经过优化，可通过两点机械连接在无电源附件中添加配置和使用信息，这种连接方式仅将一个信号（SI/O）和接地端引入无电源附件

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1+
￥4.7
10+
￥3.87
30+
￥3.46
100+
￥3.05

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型号：25AA1024T-I/SM 编号：C2653525

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款1024 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。通信可以通过保持引脚（HOLD）暂停。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装，包括8引脚PDIP和SO/L，以及先进的8引脚DFN封装。所有设备都符合RoHS标准。

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1+
￥18.94
10+
￥16.18
30+
￥14.54
100+
￥12.88

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型号：25LC1024T-I/SM 编号：C616166

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在字节或页写入操作中并非必需

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1+
￥23.67
10+
￥20.66
30+
￥16.78
100+
￥14.84

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型号：93LC86CT-I/SN 编号：C2061401

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

16K位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像93XX86C这样的字可选器件，需依靠驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字长。93XX86A器件采用专用8位内存架构，而93XX86B器件采用专用16位内存架构

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1+
￥1.84
10+
￥1.79
30+
￥1.76
100+
￥1.73

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型号：AT25020B-SSHL-T 编号：C2061419

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：兼容串行外设接口 (SPI)，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (Vcc = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 8字节页面模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 < 4000V。高可靠性: -耐久性：1000000次写循环。 -数据保留：100年。环保（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

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5+
￥2.4094
50+
￥1.9293
150+
￥1.7235

有货

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型号：24LC64-I/SN 编号：C511260

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个8K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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5+
￥2.7952
50+
￥2.3113
150+
￥2.104

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型号：93LC56BT-I/SN 编号：C6164

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX56A/B/C 器件是 2Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA56C、93LC56C 或 93C56C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX56A 器件；而 93XX56B 器件则提供专用 16 位通信

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1+
￥3.21
10+
￥2.53
30+
￥2.24
100+
￥1.87

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型号：24AA02UIDT-I/OT 编号：C511274

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款 2 Kbit 电可擦除 PROM，具有预编程的 32 位唯一 ID。该设备由两个 128×8 位存储块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下工作，最大待机和工作电流分别仅为 1 μA 和 1 mA。还具备最多 8 字节数据的页写入能力（24AA025UID 为 16 字节）。有标准 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC、5 引脚 SOT-23 和 6 引脚 SOT-23 封装。

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1+
￥3.64
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￥2.94
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￥2.59
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￥2.24
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￥1.89

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型号：AT24C04C-PUM 编号：C8811

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT24C04C和AT24C08C提供4096/8192位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为512/1024个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。AT24C04C/08C有节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装可供选择，并可通过两线串行接口访问

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1+
￥5.8113 ￥5.87
10+
￥4.2453 ￥4.77
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￥3.3338 ￥4.22
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￥2.8993 ￥3.67
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￥2.6386 ￥3.34
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