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首页 > 热门关键词 > 美国微芯存储器
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SPI 串行 EEPROM
型号：AT25128B-XHL-B 编号：C1349880
封装：TSSOP-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
特性：与串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。 低电压操作：1.8V (VCC = 1.8V至5.5V)。 工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 64字节页模式。 块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。 写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。 自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 >4000V。 高可靠性: -耐用性：100万次写循环。 -数据保留：100年。 环保（无铅/无卤/符合RoHS标准）封装选项。 裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆
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    8K-256K SPI串行EEPROM高温系列
    型号：25LC160D-I/SN 编号：C615297
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25LC160D-I/SN 是一款8K至256K位的SPI串行EEPROM，支持高达150°C的工作温度。该器件具有低功耗CMOS技术，最高时钟频率为5MHz，擦写寿命超过100万次，数据保留时间超过200年。
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    25AA640AT I/MNY
    型号：25AA640AT-I/MNY 编号：C2061443
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    16Kbit I2C串行EEPROM，适用于1.7V至5.5V工作电压，扩展级温度范围
    型号：24AA16T-E/OT 编号：C616204
    封装：SOT-23-5
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA16T是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，两线串行接口，可编程硬件写保护，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率。
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    64K SPI总线低功耗串行SRAM
    型号：23K640T-I/SN 编号：C2061024
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23X640 是 64 Kbit 的串行 SRAM 器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    93C66B I/P
    型号：93C66B-I/P 编号：C1349824
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    4-Kbit 低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA66C、93LC66C 或 93C66C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。93XX66A 设备用于专用 8 位通信，93XX66B 设备用于专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。
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    128K I²C 串行 EEPROM
    型号：24LC128T-I/ST 编号：C2061502
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24XXX128是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。
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    1.8V低电压Microwire串行EEPROM
    型号：93AA66/SN 编号：C615340
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 的93AA66是一款1.8V低电压Microwire串行EEPROM，具有512×8或256x16位组织结构。该设备采用先进的CMOS技术，适用于低功耗非易失性存储器应用。提供标准8引脚PDIP和表面贴装SOIC封装。

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    带四分区写保护功能的64K I²C串行EEPROM
    型号：24LC64FT-I/MNY 编号：C2061829
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA64F/24LC64F/24FC64F(24XX64F*)是64Kbit电可擦除PROM。该器件组织为具有2线串行接口的8Kx8位单块存储器。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和读取电流分别仅为1μA和400μA。
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    64K SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC640-E/SN 编号：C1350184
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA640/25LC640（25XX640*）是一款64 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    64K SPI总线低功耗串行SRAM
    型号：23A640-I/ST 编号：C1352408
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23X640 是 64 Kbit 的串行 SRAM 器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    128 Kbit I²C串行EEPROM
    型号：24LC128T-E/ST 编号：C619996
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24XXX128是一款16K×8（128 Kbit）串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。
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    16K位微线兼容串行EEPROM
    型号：93C86C-I/P 编号：C1349955
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    16K 位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93XX86C）取决于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。93XX86A 设备提供专用的 8 位存储器组织，而 93XX86B 设备提供专用的 16 位存储器组织。编程使能（PE）引脚允许用户对整个存储器阵列进行写保护
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    24LC128T-E/MS
    型号：24LC128T-E/MS 编号：C613342
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    128Kbit I2C串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，适用于个人通信或数据采集等高级低功耗应用。支持页写模式，最多可写入64字节数据。
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    16Kbit I2C串行EEPROM，适用于2.5V至5.5V工作电压，扩展级温度范围
    型号：24LC16BT-E/MNY 编号：C616494
    封装：TDFN-8(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC16BT是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，两线串行接口，可编程硬件写保护，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率。
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    128K SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC128T-E/SN 编号：C2061662
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA128/25LC128（25xx128(1)）是128 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    8K SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA080-I/SN 编号：C615240
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA080/25LC080/25C080（25XX080*）是 8 Kbit 串行电可擦除 PROM。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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    SST25VF040B-50-4C-SAF-T
    型号：SST25VF040B-50-4C-SAF-T 编号：C624754
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    64K SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA640AT-I/SN 编号：C2061056
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA640A/25LC640A（25XX640A）是64 kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    25AA128-I/P
    型号：25AA128-I/P 编号：C613744
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    4K SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC040A-I/P 编号：C613775
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    256Kbit SPI串行EEPROM，工业级温度范围
    型号：25AA256-I/SM 编号：C1350946
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA256是一款256Kbit的SPI串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，具有64字节的页面写入功能，支持自定时擦除和写入周期，最高时钟频率为10MHz。
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    1 Mbit SPI串行SRAM，带电池备份和SDI接口
    型号：23LCV1024-I/ST 编号：C1523877
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23LCV1024是一款1 Mbit的SPI串行SRAM，支持电池备份和SDI接口。该设备采用低功耗CMOS技术，支持无限次读写操作，具有外部电池备份支持，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构，支持字节、页和顺序模式读写操作，具有高可靠性。工作温度范围为-40°C至+85°C。
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    256 Kbit I²C串行EEPROM
    型号：24FC256-I/SM 编号：C616132
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24xxx256 是一款 32K×8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。
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    8Mbit SPI串行闪存
    型号：SST25VF080B-50-4I-S2AE 编号：C638552
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25系列串行闪存产品具备四线SPI兼容接口，可采用引脚数较少的封装，从而减少电路板占用空间，最终降低系统总体成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面均有提升。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造
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    SST26VF032BA-104I/SM
    型号：SST26VF032BA-104I/SM 编号：C638559
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1 Mbit，I2C兼容串行EEPROM
    型号：AT24CM01-SSHD-B 编号：C615469
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。
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    256Kbit SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA256-I/P 编号：C511298
    封装：DIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA256是一款256K位SPI总线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压，具有64字节的页写入功能，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有低功耗CMOS技术，最大时钟频率为10MHz，最大写入电流为5mA，最大读取电流为6mA，待机电流为1uA。
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    SST25VF016B-50-4C-S2AF-T
    型号：SST25VF016B-50-4C-S2AF-T 编号：C629096
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    带128位序列号和增强型写保护功能的4 Mbit SPI串行EEPROM
    型号：25CSM04T-I/SN 编号：C1513065
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25CSM04采用与串行外设接口（SPI）兼容的总线，提供4 Mbit的串行EEPROM。该器件组织形式为524,288个8位字节（512 Kbyte），针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要。25CSM04能够在较宽的电压范围（2.5V至5.5V）内工作
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