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首页 > 热门关键词 > 美国微芯存储器
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128Kbit I2C高速串行EEPROM
型号：24FC128-I/MS 编号：C613101
封装：MSOP-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
Microchip Technology Inc. 24XX128 是一款128Kbit (16K x 8) 的I2C高速串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压范围。该设备适用于低功耗应用，如个人通信或数据采集。它具有64字节的页写缓冲区，可进行高达1百万次的擦写操作，数据保留时间超过200年。
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    16K位微线兼容串行EEPROM
    型号：93C86C-I/P 编号：C1349955
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    16K 位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93XX86C）取决于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。93XX86A 设备提供专用的 8 位存储器组织，而 93XX86B 设备提供专用的 16 位存储器组织。编程使能（PE）引脚允许用户对整个存储器阵列进行写保护
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    512Kbit I2C兼容串行EEPROM
    型号：AT24C512C-XHD-T 编号：C2062201
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT24C512C提供512Kbit（65,536 x 8）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。支持I2C兼容的两线接口，具有低功耗和标准电压操作。工作温度范围为-40°C至+85°C。
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    128-Kbit I²C 串行 EEPROM
    型号：24LC128T-E/MS 编号：C613342
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    128Kbit I2C串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，适用于个人通信或数据采集等高级低功耗应用。支持页写模式，最多可写入64字节数据。
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    带唯一32位序列号的2K SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA02UIDT-I/OT 编号：C616281
    封装：SOT-23-6
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA02UID是一款2 Kbit的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），具备预编程的32位唯一ID。可通过与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    64K SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC640AT-E/MS 编号：C613401
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25LC640AT 是一款 64K 位 SPI 总线串行 EEPROM，具有 32 字节页大小，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。该设备具有低功耗 CMOS 技术，最大时钟频率为 10 MHz，最大写电流为 5 mA，待机电流为 1uA。该设备还支持块写保护和自定时擦除及写周期。
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    128Kbit串行EEPROM，SPI接口，工业温度范围
    型号：AT25128B-SSHL-B 编号：C615488
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT25128B是一款128K位串行EEPROM，支持SPI接口，具有1.8V至5.5V的工作电压范围和-40°C至+85°C的工业温度范围。该器件支持20MHz的时钟频率，具有100年的数据保留时间和100万次的写周期寿命。
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    128K SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC128T-E/SN 编号：C2061662
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA128/25LC128（25xx128(1)）是128 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    8K SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA080-I/SN 编号：C615240
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA080/25LC080/25C080（25XX080*）是 8 Kbit 串行电可擦除 PROM。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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    47L04 I/ST
    型号：47L04-I/ST 编号：C1348825
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    47L04/47C04/47L16/47C16（47XXX）是一款带EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM。该器件的存储器组织形式为512×8位或2048×8位，并采用I²C串行接口。47XXX可为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则可实现数据的高耐久性非易失性存储
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    兼容I²C（两线制）的串行EEPROM
    型号：AT24C04C-STUM-T 编号：C2061136
    封装：SOT-23-5
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    特性：低电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为512×8（4K）或1024×8（8K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至5.5V
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    4K SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC040A-I/P 编号：C613775
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    兼容I2C的512 Kbit串行EEPROM
    型号：AT24C512C-XHM-B 编号：C1349768
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    特性：低电压和标准电压运行:VCC = 1.7V 至 3.6V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部结构为 65,536 x 8（512K）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C
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    512Kbit SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA512-I/SN 编号：C219767
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需使用这些功能
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    32Mbit 串行四路I/O闪存
    型号：SST26VF032B-104I/SM 编号：C1523856
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    串行四路输入/输出（SQI）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本
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    SST25VF040B-50-4I-SAE-T
    型号：SST25VF040B-50-4I-SAE-T 编号：C624755
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    该系列串行闪存采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。该器件具有更高的工作频率和更低的功耗。采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。该器件显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。该器件使用2.7V-3.0V的单电源进行写入（编程或擦除）。与其他闪存技术相比，SuperFlash技术在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量更少。
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    24FC512-I/MF
    型号：24FC512-I/MF 编号：C612222
    封装：DFN-8-EP(5x6)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1 Mbit SPI 串行 SRAM，带电池备份和 SDI 接口
    型号：23LCV1024T-I/SN 编号：C2060967
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是一款 1 Mbit 串行 SRAM 设备，通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过片选 (CS) 输入控制对设备的访问。此外，如果应用需要更快的数据速率，还支持 SDI（串行双接口）。该设备还支持对内存阵列进行无限次读写，并支持通过连接到 VBAT（引脚 7）的外部电池/硬币电池进行数据备份。有标准封装，包括 8 引脚 SOIC、PDIP 和先进的 8 引脚 TSSOP。
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    SST39VF1601C-70-4C-EKE
    型号：SST39VF1601C-70-4C-EKE 编号：C637385
    封装：TSOPI-48
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    SST39VF040704ITU
    型号：SST39VF040704ITU 编号：C43651917
    封装：TSOP-32
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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      ￥26.46

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      ￥25.5
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    SST26VF032BAT-104I/MF
    型号：SST26VF032BAT-104I/MF 编号：C629160
    封装：WDFN-8-EP(5x6)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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      ￥26.68

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    16Mbit/32Mbit多用途闪存增强版
    型号：SST39VF1601-70-4I-EKE 编号：C34469
    封装：TSOPI-48
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作
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      ￥27.89

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    SST39SF040-55-4I-NHE-T
    型号：SST39SF040-55-4I-NHE-T 编号：C632847
    封装：PLCC-32(11.4x14)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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      ￥29.45
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    512 Kbit SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC512T-E/SN 编号：C615816
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需这些功能
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    512 Kbit SPI串行SRAM，带电池备份和SDI接口
    型号：23LCV512-I/ST 编号：C220280
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23LCV512是一款512Kbit的SPI兼容串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该设备支持无限次读写操作，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为20MHz，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。
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    1024K I²C串行EEPROM
    型号：24LC1026T-I/SN 编号：C615699
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC1026是一款1024K位（128K字节）的I2C兼容串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压范围，最高时钟频率为400kHz。
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      ￥40.57

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      ￥38.98
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    1024K I²C串行EEPROM
    型号：24FC1025T-I/SM 编号：C616153
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力
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    256 Kbit 分页并行 EEPROM
    型号：AT28C256-15JU 编号：C613973
    封装：PLCC-32(11.4x14)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT28C256是一款256Kbit（32,768 x 8）并行EEPROM，具有快速读取访问时间和自动页面写入操作。它采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性。

    • 单价：

      ￥95 / 个
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    256 Kbit工业级高速并行EEPROM
    型号：AT28HC256-70SU 编号：C609689
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT28HC256是一款高性能电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。其256 Kb的存储器组织形式为32,768个字，每个字8位。该器件采用先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间可达70 ns，功耗仅为440 mW
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      ￥123.07

    • 30+

      ￥117.04
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    256Kbit 低功耗并行EEPROM
    型号：AT28BV256-20SU 编号：C1348826
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT28BV256是一款256K位的低功耗并行EEPROM，采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造。该设备提供200纳秒的快速读取访问时间，支持自动页写操作，内部地址和数据锁存器可处理64字节，具有硬件和软件数据保护功能。
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