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首页 > 热门关键词 > 美国微芯存储器
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2-Kbit SPI接口串行EEPROM
型号：25AA020AT-I/SN 编号：C615733
封装：SOIC-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
25AA020A是一款2-Kbit SPI接口串行EEPROM，具有16字节页大小，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有低功耗CMOS技术，最大时钟频率为10 MHz，读写电流为5 mA，待机电流为5uA。存储器组织为256个8位地址，支持自定时擦除和写入周期（最大5 ms）。提供多种封装选项，包括MSOP、SOIC等。
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    16K I²C串行EEPROM
    型号：24LC16B-I/MS 编号：C1349829
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作
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    128Kbit I2C高速串行EEPROM
    型号：24FC128T-I/MS 编号：C2062406
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 24FC128T 是一款128Kbit I2C兼容的高速串行EEPROM，可在1.7V到5.5V的宽电压范围内工作，支持高达1MHz的时钟频率，适用于各种低功耗应用。
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    128K SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC128T-I/ST 编号：C616671
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA128/25LC128（25xx128(1)）是128 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    32K I²C 串行 EEPROM
    型号：24LC32AT-E/MNY 编号：C2062869
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA32A/24LC32A (24x32A*) 是 32 Kbit 电可擦除 PROM。该器件组织为具有 2 线串行接口的 4Kx8 位单块存储器。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和工作电流分别仅为 1 μA 和 1 mA。
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    24LC22A-I/SN
    型号：24LC22A-I/SN 编号：C615209
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC22A是256 x 8位双模式电可擦除PROM。该设备设计用于需要存储和串行传输配置和控制信息的应用。支持两种操作模式：仅发送模式（1 Kbit）和双向模式（2 Kbit）。在上电后，设备将处于仅发送模式，发送从00h到7Fh的内存数组的串行比特流，由VCLK引脚时钟控制。
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    16K位微线兼容串行EEPROM
    型号：93LC86C-E/SN 编号：C1350227
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    该产品是 16K 位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93XX86C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。93XX86A 设备提供专用的 8 位存储结构，而 93XX86B 设备提供专用的 16 位存储结构。编程使能（PE）引脚允许用户对整个存储阵列进行写保护。先进的 CMOS 技术使这些设备非常适合低功耗、非易失性存储应用。整个 93XX 系列有标准封装（如 8 引脚 PDIP 和 SOIC）和先进封装（如 8 引脚 MSOP、6 引脚 SOT-23、8 引脚 2x3 DFN/TDFN 和 8 引脚 TSSOP）。所有封装均为无铅（雾锡）涂层。
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    32Kbit I2C接口串行EEPROM，支持低功耗应用，工业级温度范围
    型号：24LC32AT-E/ST 编号：C2062995
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC32A是一款32Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有2线I2C接口，支持1.7V至5.5V的工作电压，适用于低功耗应用。该器件支持高达400kHz的时钟频率，具有32字节的页写缓冲区，支持超过1百万次的擦写周期，数据保持时间超过200年。工作温度范围为-40°C至+85°C。
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    4Kbit I2C兼容串行EEPROM
    型号：AT24HC04B-PU 编号：C1350941
    封装：DIP-8P
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT24HC04B提供4,096位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为512个字节的8位数据。该设备的级联功能允许多达四个设备共享一个公共两线总线。所有封装在1.8V到5.5V范围内工作。
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    32KbitI²C串行EEPROM，支持低功耗应用，工业温度范围
    型号：24LC32AT-I/MC 编号：C2061759
    封装：DFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC32A是一款32K位（4K x 8位）的I2C串行EEPROM，它具有低功耗特性，适用于个人通讯和数据采集等应用。该器件支持页写操作，最多可写入32字节数据。支持多种封装形式，包括8引脚PDIP、SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP等。工作温度范围为-40°C至+85°C。
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    25LC040AX-I/ST
    型号：25LC040AX-I/ST 编号：C619733
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 25XX040A是一款4K位SPI总线串行EEPROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，支持16字节页写入，最高时钟速度为10 MHz。
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    64K I²C 串行 EEPROM
    型号：24FC64T-I/MNY 编号：C1349386
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    该产品是一款64 Kbit电可擦除PROM。设备被组织为一个8K x 8位的单块内存，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该产品还具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。该产品有标准的8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。此外，还有5引脚SOT-23和芯片级封装。
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    1K位微线兼容串行EEPROM
    型号：93C46A-I/P 编号：C1350346
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    1Kbit低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如93AA46C、93LC46C或93C46C）取决于驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用8位通信，可使用93AA46A、93LC46A或93C46A设备；而93AA46B、93LC46B和93C46B设备提供专用16位通信。先进的CMOS技术使这些设备非常适合低功耗、非易失性存储器应用。整个93XX系列有标准封装（包括8引脚PDIP和SOIC）和先进封装（包括8引脚MSOP、6引脚SOT-23、8引脚2x3 DFN/TDFN和8引脚TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。
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    支持半阵列写保护的4K I²C串行EEPROM
    型号：24LC04BH-I/SN 编号：C615185
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24XXX04H是一款4 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个256×8位存储块组成，具备两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作
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    带半阵列写保护功能的2K I²C串行EEPROM
    型号：24LC024H-I/ST 编号：C619651
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA024H/24LC024H是一款2Kbit串行电可擦除PROM，可在低至1.7V的电压下工作。该器件采用2线串行接口，组织为一个256×8位的单块存储器。
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    SPI 串行 EEPROM
    型号：AT25080B-SSHL-B 编号：C1349832
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    特性：与串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (Vcc = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40°C至+85°C。20 MHz时钟速率 (5V)。32字节页模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。高可靠性:耐久性：1,000,000次写循环。数据保留：100年。环保（无铅/无卤/符合RoHS）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆
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    2K I²C串行EEPROM
    型号：24AA02-I/P 编号：C1349307
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24XX02是一款2Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许最低1V的工作电压
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    24FC64-I/P
    型号：24FC64-I/P 编号：C613659
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是一款64K位的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备被组织成一个由8K×8位存储器组成的单块，具有两线串行接口。其低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。还具有高达32字节数据的页写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有8个设备，地址空间高达512K位。
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    512K I²C串行EEPROM
    型号：24FC512-I/P 编号：C613657
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压
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    25AA040 I/SN
    型号：25AA040-I/SN 编号：C1350341
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    23LC512 I/SN
    型号：23LC512-I/SN 编号：C1348994
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23LC512是一款512Kbit SPI Serial SRAM，支持SDI和SQI接口，具有低功耗CMOS技术，无限读写次数，零写入时间，64K x 8-Bit组织结构，支持字节、页和顺序模式读写。
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    256Kbit I²C串行EEPROM
    型号：24FC256T-I/ST 编号：C2061631
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24FC256T-I/ST是一款256K位I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有400kHz和1MHz的时钟频率。该器件具有工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于低功耗应用，如个人通信和数据采集。
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    16Kbit SPI接口串行EEPROM
    型号：25LC160A-I/SN 编号：C615290
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25LC160A是一款16Kbit SPI接口串行EEPROM，具有2048x8位组织结构，支持1.8-5.5V工作电压，16字节页写入，最大写周期时间为5ms，数据保留时间超过200年。

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    256 Kbit I²C串行EEPROM
    型号：24FC256-I/MS 编号：C613102
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24xxx256 是一款 32K×8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。
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    64K SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA640A-I/P 编号：C613756
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA640A/25LC640A（25XX640A）是64 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    2K I²C串行EEPROM
    型号：24AA025T-I/MC 编号：C2061199
    封装：DFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是一款2 kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。该设备被组织为一个由256×8位存储器组成的单块，具有两线串行接口。低电流设计允许典型待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。该设备具有最多16字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个该设备，以实现高达16K位的连续EEPROM存储器。该设备有标准8引脚PDIP、8引脚SOIC（3.90 mm）、TSSOP、2x3 DFN和TDFN以及MSOP封装。24AA025/24LC025也有6引脚SOT-23封装。
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    25LC160AT-I/SN
    型号：25LC160AT-I/SN 编号：C615799
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    16K位SPI总线串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，2048x8位组织结构，支持16字节页写操作，最大时钟频率10MHz，写周期时间为5ms，数据保留超过200年，擦写寿命100万次。

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    25AA160C-I/ST
    型号：25AA160C-I/ST 编号：C619715
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA160C-I/ST是一款16Kbit SPI串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压，具有16字节页大小，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备具有低功耗CMOS技术，最大时钟速度为10MHz，数据保留时间为200年。
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    47L04T-I/SN
    型号：47L04T-I/SN 编号：C2062810
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是 4/16 Kbit SRAM 并带有 EEPROM 备份。该设备组织为 512 × 8 位或 2,048 × 8 位的内存，并采用 I²C 串行接口。SRAM 可进行无限次读写循环，而 EEPROM 单元可提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外部电容器，SRAM 数据在掉电时会自动传输到 EEPROM。也可以通过硬件存储引脚或软件控制手动传输数据。上电时，EEPROM 数据会自动恢复到 SRAM，也可以通过软件控制启动恢复操作。提供 8 引脚 PDIP、SOIC 和 TSSOP 封装。
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    8Kbit SPI串行EEPROM
    型号：25LC080C-E/SN 编号：C1350054
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25LC080C-E/SN是一款8K位的SPI串行EEPROM，支持最高5MHz的时钟频率，具有低功耗CMOS技术，适用于高可靠性应用。
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