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首页 > 热门关键词 > 美国微芯存储器
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64Kbit I²C兼容串行EEPROM
型号：24AA64/SN 编号：C1351220
封装：SOIC-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
24AA64是一款64Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持1.7V至5.5V单电源供电，适用于个人通信和数据采集等低功耗应用。该器件具有32字节页写缓冲区，支持高达1MHz的时钟频率，可承受超过1百万次擦写周期，数据保持时间超过200年。
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    32Kbit I2C接口串行EEPROM，支持低功耗应用，工业级温度范围
    型号：24LC32AT-E/ST 编号：C2062995
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC32A是一款32Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有2线I2C接口，支持1.7V至5.5V的工作电压，适用于低功耗应用。该器件支持高达400kHz的时钟频率，具有32字节的页写缓冲区，支持超过1百万次的擦写周期，数据保持时间超过200年。工作温度范围为-40°C至+85°C。
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    16Kbit I2C串行EEPROM，低功耗CMOS技术，支持100万次擦写，200年数据保持
    型号：24LC16B-E/MC 编号：C612231
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC16B-E/MC是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持100万次擦写，200年数据保持。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持400kHz时钟频率。具有低功耗CMOS技术，适用于各种低功耗应用。
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    16Kbit SPI 串行 EEPROM，32字节页大小，1.8V~5.5V供电，工业级温度范围
    型号：25AA160DT-I/MNY 编号：C2061872
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA160DT-I/MNY 是 16Kbit 的 SPI 串行 EEPROM，具有 32 字节页大小，支持 1.8V 到 5.5V 的供电电压，适用于工业级温度范围。
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    32Kbit I²C串行EEPROM，工业级温度范围，2.5V供电
    型号：24LC32AT/SM 编号：C2062059
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC32A是一款32Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的供电范围，具有低功耗特性，适用于个人通讯和数据采集等应用。该器件具有页写功能，可写入最多32字节的数据。支持多种封装形式，包括8引脚PDIP、SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN、MSOP、SOT-23和芯片级封装。工作温度范围为-40°C至+85°C。
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    4Kbit I2C兼容串行EEPROM
    型号：AT24HC04B-PU 编号：C1350941
    封装：DIP-8P
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT24HC04B提供4,096位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为512个字节的8位数据。该设备的级联功能允许多达四个设备共享一个公共两线总线。所有封装在1.8V到5.5V范围内工作。
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    25LC040AX-I/ST
    型号：25LC040AX-I/ST 编号：C619733
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 25XX040A是一款4K位SPI总线串行EEPROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，支持16字节页写入，最高时钟速度为10 MHz。
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    1K/2K/4K 1.8V 低电压串行EEPROM
    型号：93AA46/SN 编号：C615326
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 的93AA46/56/66系列是1K、2K和4K低电压串行EEPROM，支持1.8V供电，具有低功耗CMOS技术，自定时擦除和写入周期，自动擦除前写入，上电/断电数据保护电路，行业标准3线串行I/O，序列读取功能，确保100万次擦写周期，数据保持超过200年。

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    64 Kbit I²C串行EEPROM
    型号：24AA64T-I/MS 编号：C613297
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    64Kbit I2C串行EEPROM，具有32字节页写缓冲区，支持硬件写保护，ESD保护超过4000V，数据保留超过200年。
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    4Kbit SPI串行EEPROM
    型号：25LC040AT-E/OT 编号：C2061682
    封装：SOT-23-6
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Microchip Technology Inc. 25LC040A是一款4K位串行EEPROM，支持SPI接口。该器件的工作电压范围为2.5V至5.5V，最大时钟频率为10MHz，具有16字节的页写模式。其存储容量为512字节，支持写保护功能，并具有高可靠性和数据保留时间超过200年。
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    64K I²C 串行 EEPROM
    型号：24FC64T-I/MNY 编号：C1349386
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    该产品是一款64 Kbit电可擦除PROM。设备被组织为一个8K x 8位的单块内存，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该产品还具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。该产品有标准的8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。此外，还有5引脚SOT-23和芯片级封装。
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    1K位微线兼容串行EEPROM
    型号：93C46A-I/P 编号：C1350346
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    1Kbit低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如93AA46C、93LC46C或93C46C）取决于驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用8位通信，可使用93AA46A、93LC46A或93C46A设备；而93AA46B、93LC46B和93C46B设备提供专用16位通信。先进的CMOS技术使这些设备非常适合低功耗、非易失性存储器应用。整个93XX系列有标准封装（包括8引脚PDIP和SOIC）和先进封装（包括8引脚MSOP、6引脚SOT-23、8引脚2x3 DFN/TDFN和8引脚TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。
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    24LC32AT-I/ST
    型号：24LC32AT-I/ST 编号：C616607
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    32-Kbit I2C Serial EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持400kHz时钟频率，具备硬件写保护功能，数据保留时间超过200年，擦写次数超过1百万次。
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    2K I²C串行EEPROM
    型号：24LC02B/P 编号：C1349252
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线制串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作
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    支持半阵列写保护的4K I²C串行EEPROM
    型号：24LC04BH-I/SN 编号：C615185
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24XXX04H是一款4 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个256×8位存储块组成，具备两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作
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    32Kbit I2C串行EEPROM
    型号：24AA32AFT-I/SN 编号：C2065490
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA32AF/24LC32AF是一款32Kbit的Electrically Erasable PROM，具有2线串行接口，适用于低功耗应用。支持页写功能，最多可写入32字节数据。提供多种封装选项，包括8引脚PDIP、SOIC、TSSOP、TDFN和5引脚SOT-23。
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    16Kbit I²C串行EEPROM
    型号：24LC16BT-E/ST 编号：C2063096
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC16B是一款16Kbit I2C串行EEPROM，分为八个256x8位的内存块。支持低功耗CMOS技术，工作电压范围为2.5V至5.5V，具有页写功能，可写入最多16字节的数据。
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    64Kb SPI串行EEPROM
    型号：AT25640B-XHL-B 编号：C1350515
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT25640B提供65,536位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为8,192个8位字。该设备支持SPI模式0和3，具有1.8V至5.5V的工作电压，20MHz的时钟频率，32字节页模式写入，块写保护，硬件和软件数据保护，自定时写周期（最大5ms），高可靠性（1,000,000次写周期寿命，100年数据保留）。
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    4K SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA040AT-I/SN 编号：C2061356
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA040A是一款4Kbit的串行EEPROM，通过SPI接口进行通信。其主要特点包括低功耗CMOS技术、最大时钟频率10MHz、512x8位组织结构、支持页写模式（最多16字节）、自定时擦除和写周期（最大5ms）、块写保护、内置写保护电路、高可靠性（1,000,000次擦写周期）、数据保留时间超过200年。
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    16Kbit 低电压串行EEPROM
    型号：93LC86BT-I/SN 编号：C2061392
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93LC86BT-I/SN是一款16K位低电压串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围。该设备具有2048x8位或1024x16位的组织结构，支持Microwire兼容的3线串行接口。其主要特点包括低功耗CMOS技术、自定时擦除/写入周期、自动擦除所有功能以及高达1,000,000次的写周期寿命。
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    带半阵列写保护功能的2K I²C串行EEPROM
    型号：24LC024H-I/ST 编号：C619651
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA024H/24LC024H是一款2Kbit串行电可擦除PROM，可在低至1.7V的电压下工作。该器件采用2线串行接口，组织为一个256×8位的单块存储器。
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    带两线串行接口的32Kbit电可擦除可编程只读存储器
    型号：24AA32AF-I/MS 编号：C1348996
    封装：MSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA32AF/24LC32AF（24XX32AF）是一款32Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件被组织为一个带有两线串行接口的4K×8位单块存储器。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作
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    2K I²C串行EEPROM
    型号：24AA024T-I/MNY 编号：C2061346
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是一个2 kbit的串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。该设备被组织为一个256 × 8位的单块内存，具有两线串行接口。低电流设计允许其典型待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。该设备具有高达16字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，以实现高达16K位的连续EEPROM内存。该设备有标准的8引脚PDIP、8引脚SOIC (3.90 mm)、TSSOP、2x3 DFN、TDFN和MSOP封装。24AA025/24LC025也有6引脚SOT-23封装。
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    25LC010AT E/OT
    型号：25LC010AT-E/OT 编号：C2062367
    封装：SOT-23-6
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1K SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA010A-I/P 编号：C1350543
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25Xx010A 是一款 1 Kbit 串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个简单的兼容串行外设接口（SPI）的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    2K I²C串行EEPROM
    型号：24AA02-I/P 编号：C1349307
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24XX02是一款2Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许最低1V的工作电压
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    64K I²C 串行 EEPROM
    型号：24AA64T-I/MC 编号：C2064172
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，组织形式为单块8K×8位存储器。低电压设计允许其在低至1的电压下工作
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    1 Mbit SPI 串行闪存
    型号：SST25VF010A-33-4I-SAE 编号：C481384
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST的串行闪存系列采用四线、SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF010A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性
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    • 单价：

      ￥3.424 / 个
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    25AA040 I/SN
    型号：25AA040-I/SN 编号：C1350341
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    23LC512 I/SN
    型号：23LC512-I/SN 编号：C1348994
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23LC512是一款512Kbit SPI Serial SRAM，支持SDI和SQI接口，具有低功耗CMOS技术，无限读写次数，零写入时间，64K x 8-Bit组织结构，支持字节、页和顺序模式读写。
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