美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：SST39VF1601C-70-4C-EKE 编号：C637385

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥26.2
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型号：SST39VF040-70-4C-NHE-T 编号：C632853

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 CMOS 多功能闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF400A-70-4I-EKE 编号：C59289

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

CMOS 多用途闪存增强型 (MPF+) 采用专有高性能 CMOS 超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。采用 2.7-3.6V 电源进行写入（编程或擦除）操作，符合 x16 存储器的 JEDEC 标准引脚排列。具有高性能字编程功能，典型字编程时间为 7 μs

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型号：AT27C512R-45JU 编号：C613963

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT27C512R是一款低功耗、高性能、524,288位、一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），组织形式为64K x 8位。在正常读取模式操作中，它仅需一个5V电源。任何字节都可在小于45ns内访问，无需在高性能微处理器系统上使用降低速度的WAIT状态。

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型号：25LC1024T-I/MF 编号：C612309

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1-Mbit SPI总线串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，最高时钟频率为20MHz，具有6ms的最大写周期时间，1百万次的擦写寿命，超过200年的数据保留时间和-40°C至+85°C的工作温度范围。

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型号：AT25M02-SSHD-T 编号：C2061885

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：24FC1025T-I/SM 编号：C616153

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：SST39VF3201-70-4I-EKE 编号：C637395

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥59.68
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型号：AT28C256-15PU 编号：C1348752

封装：PDIP-28

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT28C256是一款高性能的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。其256 Kb的存储器组织形式为32,768字×8位。该器件采用先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间可达150 ns，功耗仅为440 mW

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型号：AT24MAC402-SSHM-B 编号：C615482

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 256 × 8（2K）。工厂预编程 EUI-48 或 EUI-64 兼容地址。永久锁定，只读值存储在单独的存储区域。确保唯一的 EUI 地址。提供定制编程服务

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型号：24LC08B/P 编号：C613691

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC08B/P是一款8Kbit I2C串行EEPROM，具有400kHz的最大时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件支持页写功能，最大写周期时间为5ms，具有超过1百万次擦写寿命和超过200年的数据保留能力。

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￥4.06
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型号：24C02C-E/ST 编号：C619620

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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￥4.61
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型号：93LC46B-E/MS 编号：C613227

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC46B-E/MS是一款1-Kbit低电压串行EEPROM，支持Microwire兼容接口。该设备具有16位组织，适用于扩展温度范围。

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型号：24LC16B-E/P 编号：C1350197

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：24LC08B-I/P 编号：C613690

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx08 是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256×8 位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作

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型号：24LC16B/P 编号：C613702

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：24LC024T-I/MS 编号：C613325

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC024T是一款2-Kbit I2C串行EEPROM，工作电压范围为2.5V至5.5V，支持400kHz时钟频率，具有16字节页写缓冲区，数据保留超过200年，擦写次数超过1百万次。

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型号：24CW640-I/SN 编号：C615149

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW640-I/SN是一款64Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有软件写保护功能。支持32字节页面写入，内部自定时写周期，最高时钟频率为1MHz。工作电压范围为1.6V至5.5V，适用于工业温度范围。

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型号：24AA025E48T-E/SN 编号：C615598

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：24AA014-I/SN 编号：C615101

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA014/24LC014是一款1 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个128×8位的单块存储器。

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型号：93LC86B-I/SN 编号：C1350246

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

16K位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像93XX86C这类可字选的器件，其字长的设置依赖于驱动ORG引脚的外部逻辑电平。93XX86A器件提供专用的8位存储器结构，而93XX86B器件则提供专用的16位存储器结构

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￥5.02
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型号：24AA16-I/P 编号：C613623

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA16是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，两线串行接口，可编程硬件写保护，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率。

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￥5.03
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型号：24AA16-I/MC 编号：C612214

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA16-I/MC是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持100万次擦写，200年数据保持。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持400kHz时钟频率。具有低功耗CMOS技术，适用于各种低功耗应用。

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型号：25LC020AT-I/OT 编号：C616285

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC020A是一款2-Kbit SPI接口串行EEPROM，具有16字节页大小，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有低功耗CMOS技术，最大时钟频率为10 MHz，读写电流为5 mA，待机电流为5uA。存储器组织为256个8位地址，支持自定时擦除和写入周期（最大5 ms）。提供多种封装选项，包括MSOP、SOIC等。

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