美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24FC04-I/P 编号：C1353901

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：24LC024T-I/SN 编号：C2061308

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一个2 Kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。该设备被组织为一个由256x8位存储器组成的单块，具有2线串行接口。低电流设计允许典型待机和活动电流分别仅为1 μA和1 mA。

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型号：25AA040A-I/P 编号：C613734

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XXX040A 是一款 4 Kbit 的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。可通过与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24LC024/SN 编号：C512106

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC024是一款2K位串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，具有硬件写保护功能。该器件组织为一个256字节的单块存储器，支持I2C接口。

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型号：24LC64T-E/ST 编号：C2061456

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。低电压设计允许其在低至1（此处原文未完整给出电压值）的电压下工作

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型号：AT24C16C-XHM-B 编号：C1349291

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为2048 x 8（16K）。工业温度范围：-40℃至+85℃。I²C兼容（两线）串行接口:100 kHz标准模式，1.7V至5.5V

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型号：24AA16HT-I/OT 编号：C2061344

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24××16H 是一款 16 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（PROM）。该器件采用两线串行接口，将存储单元组织为 8 个 256×8 位的存储块。其低电压设计允许在低至 1 的电压下工作

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型号：93LC66C-I/MS 编号：C1350907

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC66C-I/MS是一款4Kbit低电压串行EEPROM，支持512x8位或256x16位组织。工作电压范围为2.5V至5.5V，适用于工业温度范围。

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型号：23A640-I/SN 编号：C1351098

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23X640 是 64 Kbit 的串行 SRAM 器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：AT25160B-SSHL-B 编号：C615489

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25160B是一款16K位（2048 x 8）的串行EEPROM，支持SPI接口，工作电压为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至+85°C，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留时间。

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型号：93C66A-I/MS 编号：C1351842

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX66A/B/C 器件是 4 Kbit 的低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA66C、93LC66C 或 93C66C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX66A 器件；而 93XX66B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：AT25080B-SSHL-B 编号：C1349832

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：与串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (Vcc = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40°C至+85°C。20 MHz时钟速率 (5V)。32字节页模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。高可靠性:耐久性：1,000,000次写循环。数据保留：100年。环保（无铅/无卤/符合RoHS）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

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型号：25AA320AT-I/MNY 编号：C616520

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

32K SPI Bus Serial EEPROM，具有32字节页面，工作电压1.8V-5.5V，工业级温度范围-40°C至+85°C，支持自定时擦除和写入周期，内置写保护功能。

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型号：AT24C04D-MAHM-T 编号：C616832

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V至3.6V。内部组织为512 × 8（4K）。工业温度范围：-40℃至+85℃。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至3.6V

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型号：24LC08B/SN 编号：C615192

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24LC08B/SN 是一款8Kbit I2C兼容的串行EEPROM。该设备具有低功耗CMOS技术，支持2.5V至5.5V的工作电压，最大时钟频率为400kHz，工作温度范围为-40°C至+125°C。具有100万次擦写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：25LC640AT-I/MNY 编号：C2062337

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC640A 是一款 64K SPI 总线串行 EEPROM。该设备通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存，支持 1.8V 至 5.5V 的工作电压，最高时钟频率为 10MHz，具有 32 字节的页大小和 8192 x 8 位的组织结构。它还具有自定时擦除和写入周期、块写保护和高可靠性特性。

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型号：93AA66A-I/MS 编号：C1350759

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

4-Kbit Microwire Compatible Serial EEPROM, 低功耗CMOS技术，支持工业温度范围，具有自动擦除和写入功能，数据保留时间超过200年，ESD保护超过4000V。

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型号：24LC024-I/ST 编号：C619652

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC024-I/ST 是一款2-Kbit I2C串行电可擦除只读存储器（EEPROM）。该设备组织为一个256x8位的内存块，具有两线串行接口。

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型号：AT24C512C-SHD-B 编号：C615464

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 3.6V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 65,536 x 8 (512K)。工业温度范围：-40℃ 至 +85℃

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型号：24AA32AFT-I/MNY 编号：C616448

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

32Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有I2C接口，支持低电压操作，适用于低功耗应用。

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型号：24FC256-I/MS 编号：C613102

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx256 是一款 32K×8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。

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型号：25AA640A-I/P 编号：C613756

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640A/25LC640A（25XX640A）是64 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：AT24C16C-MAHM-T 编号：C616840

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16C是一款低功耗、1.7V至5.5V工作电压的16K位（2048 x 8）I2C兼容串行EEPROM。支持工业温度范围（-40°C至+85°C），具有100kHz标准模式、400kHz快速模式和1MHz快速模式Plus（FM+）。具有硬件写保护、自定时写周期（最大5ms）、ESD保护（>4000V）、100年数据保留和100万次写周期寿命。

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型号：24C02C-I/P 编号：C613644

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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型号：24AA025E48-E/SN 编号：C1353232

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64 (24AA02XEXX) 是 2 Kbit 电可擦除 PROM。该设备由两个 128x8 位内存块组成，具有 2 线串行接口。低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下运行，I-Temp. 下的最大待机电流仅为 1 μA，E-Temp. 下为 5 μA，最大工作电流为 1 mA。

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型号：93C66B-I/P 编号：C1349824

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

4-Kbit 低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA66C、93LC66C 或 93C66C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。93XX66A 设备用于专用 8 位通信，93XX66B 设备用于专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。

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