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首页 > 热门关键词 > 美国微芯存储器
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4K SPI总线串行EEPROM
型号：25LC040T-I/SN 编号：C2061461
封装：SOIC-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
25AA040/25LC040/25C040（25XX040*）是一款 4 Kbit 串行电可擦除 PROM。可通过与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    64K SPI总线低功耗串行SRAM
    型号：23A640-I/ST 编号：C1352408
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23X640 是 64 Kbit 的串行 SRAM 器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    带128位序列号和增强型软件写保护功能的256 Kbit、3.4 MHz I2C串行EEPROM
    型号：24CS256-I/SN 编号：C5883969
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24CS256提供256 Kbit的串行EEPROM，采用具备3.4 MHz高速模式能力的I²C（两线制）串行接口。该器件组织形式为32,768个8位字节（32 Kbyte），针对消费、工业和汽车应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要。24CS256允许最多8个器件共享一条通用的I²C（两线制）总线，并且能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作

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    带四分区写保护功能的64K I²C串行EEPROM
    型号：24AA64F-I/SN 编号：C615135
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA64F/24LC64F/ 24FC64F (24XX64F*) 是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该器件被组织为一个具有 2 线串行接口的 8Kx8 位内存单块。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和读取电流分别仅为 1 μA 和 400 μAᵢ。
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    具备软件写保护功能的16K-128K I²C串行EEPROM
    型号：24CW1280T-I/SN 编号：C615645
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要
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    16Kbit SPI 串行 EEPROM，32字节页大小，2.5V~5.5V供电，工业级温度范围
    型号：25LC160DT-E/SN 编号：C2061843
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25LC160DT-E/SN 是 16Kbit 的 SPI 串行 EEPROM，具有 32 字节页大小，支持 2.5V 到 5.5V 的供电电压，适用于工业级温度范围。
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    16Kbit 低电压串行EEPROM
    型号：93AA86BT-I/OT 编号：C2062030
    封装：SOT-23-6
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    93AA86A/B/C 是 16K 位低电压串行 EEPROM，支持 1.8V 至 5.5V 的工作电压范围。具有 8 位或 16 位组织结构，支持 1,000,000 次擦写周期，数据保留时间超过 200 年。
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    1 Mbit，I2C兼容串行EEPROM
    型号：AT24CM01-SHD-B 编号：C615467
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。
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    32K I²C 串行 EEPROM
    型号：24AA32AT-I/MC 编号：C2061825
    封装：DFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA32A/24LC32A（24×32A*）是一款32Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，将4K×8位的存储器组织为单块结构。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作
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    8Kbit SPI接口串行EEPROM
    型号：25C080/SN 编号：C615261
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25C080是一款8Kbit串行EEPROM，通过SPI接口访问。具有1MHz的时钟频率。适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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    SST26VF020A 104I/SN
    型号：SST26VF020A-104I/SN 编号：C1015629
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    串行四通道I/O (SQI)系列闪存设备采用六线、4位I/O接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。26系列SQI家族的所有成员均采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造
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    128K SPI总线串行EEPROM
    型号：25AA128-I/SM 编号：C616139
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA128/25LC128（25xx128(1)）是128 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    SST25VF040B-50-4C-SAF-T
    型号：SST25VF040B-50-4C-SAF-T 编号：C624754
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    64K SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC640A-E/SN 编号：C1349842
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA640A/25LC640A（“25XX640A”）是 64 kbit 的串行电可擦除 PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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    SST25PF040CT-40E/SN
    型号：SST25PF040CT-40E/SN 编号：C624746
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    512K I²C串行EEPROM
    型号：24FC512-I/ST 编号：C619635
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24FC512是一款512Kbit I2C兼容的串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1MHz时钟频率。
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    25LC128-I/P
    型号：25LC128-I/P 编号：C613789
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    4Mbit 串行四线I/O（SQI）闪存
    型号：SST26VF040A-104I/MF 编号：C1015626
    封装：WDFN-8-EP(5x6)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    串行四路输入/输出（Serial Quad 1/O™，SQI™）系列闪存器件采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF040A 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存器件的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本
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    64K SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC640AT-E/SN 编号：C2061877
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA640A/25LC640A（25XX640A*）是64 kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线
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      ￥14.38

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    1 Mbit SPI 串行 SRAM，带电池备份和 SDI 接口
    型号：23LCV1024-I/ST 编号：C1523877
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23LCV1024是一款1 Mbit的SPI串行SRAM，支持电池备份和SDI接口。该设备采用低功耗CMOS技术，支持无限次读写操作，具有外部电池备份支持，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构，支持字节、页和顺序模式读写操作，具有高可靠性。工作温度范围为-40°C至+85°C。
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    • 1+

      ￥15.48

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      ￥14.19
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    512Kbit SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC512-I/SM 编号：C185540
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需
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    • 1+

      ￥17.47

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      ￥14.83

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      ￥13.17
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    256Kbit SPI串行EEPROM，工业级温度范围
    型号：25LC256-E/SM 编号：C1350101
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25LC256是一款256Kbit的SPI串行EEPROM，支持2.5V到5.5V的工作电压，具有64字节的页面写入功能，支持自定时擦除和写入周期，最高时钟频率为10MHz。
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    • 1+

      ￥18.9

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      ￥18.49

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      ￥18.21
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    SPI 串行 EEPROM
    型号：AT25512N-SH-B 编号：C68030
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT25512 提供 524,288 位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 65,536 个字，每个字 8 位。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要。该器件有节省空间的 8 引脚 JEDEC SOIC、8 引脚 TSSOP 和 8 焊盘 UDFN 封装可供选择
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    • 1+

      ￥18.91

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      ￥15.92

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      ￥14.06
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    SST26VF016B 80E/SN
    型号：SST26VF016B-80E/SN 编号：C1350018
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    Serial Quad I/O (SQI) 系列闪存设备具有六线、4 位 I/O 接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能操作。同时支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，最终降低系统成本。 26 系列 SQI 家族的所有成员均采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造
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      ￥20.51

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      ￥20.01

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      ￥19.68
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    64Kbit智能串行EEPROM
    型号：24LC65/SM 编号：C616137
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC65/SM 是一款64K位智能串行EEPROM，支持I2C协议，工作电压范围为2.5V至6.0V，适用于工业温度范围。
    数据手册

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      ￥24.73

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      ￥24.15

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      ￥23.76
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    512K I²C串行EEPROM
    型号：24LC512-E/SN 编号：C1348990
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24AA512/24LC512/24FC512（24xxx12*）是一款64K×8（512 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。
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    • 1+

      ￥27.15

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      ￥23.01

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      ￥20.55
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    16Mbit/32Mbit多用途闪存增强版
    型号：SST39VF400A-70-4I-EKE 编号：C59289
    封装：TSOP-48-18.4mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    CMOS 多用途闪存增强型 (MPF+) 采用专有高性能 CMOS 超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。采用 2.7-3.6V 电源进行写入（编程或擦除）操作，符合 x16 存储器的 JEDEC 标准引脚排列。具有高性能字编程功能，典型字编程时间为 7 μs
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      ￥20.11
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    256 Kbit（32K x 8）一次性可编程只读存储器
    型号：AT27C256R-70JU-T 编号：C614001
    封装：PLCC-32(11.4x14)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT27C256R是一款低功耗、高性能的262,144位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），其结构为32,768个8位字。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源。任何字节的访问时间都小于45 ns，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态
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    • 1+

      ￥28.97

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      ￥28.25

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      ￥27.77
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    AT27C512R 70JU
    型号：AT27C512R-70JU 编号：C1523873
    封装：PLCC-32(11.4x14)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT27C512R是一款低功耗、高性能、524,288位、一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），组织形式为64K x 8位。在正常读取模式操作中，它仅需一个5V电源。任何字节都可在小于45ns内访问，无需在高性能微处理器系统上使用降低速度的WAIT状态。
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      ￥31.51

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    SST39VF040-70-4I-NHE
    型号：SST39VF040-70-4I-NHE 编号：C645939
    封装：PLCC-32(11.4x14)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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