美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：25LC512-I/SN 编号：C127510

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：AT24MAC402-MAHM-T 编号：C2061210

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 256 × 8（2K）。工厂预编程 EUI-48 或 EUI-64 兼容地址。永久锁定，只读值存储在单独的存储区域。确保唯一的 EUI 地址。提供定制编程服务

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型号：24LC32A-I/P 编号：C1349005

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个具有2线串行接口的4K x 8位内存单块。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达256 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：93LC86AT-I/OT 编号：C616335

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX86A/B/C 器件是 16K 位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像 93XX86C 这类字可选器件，需依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。93XX86A 器件提供专用的 8 位存储器结构，而 93XX86B 器件提供专用的 16 位存储器结构

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型号：AT24C04D-PUM 编号：C613904

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V至3.6V。内部组织为512 × 8（4K）。工业温度范围：-40℃至+85℃。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至3.6V

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型号：24FC512T-I/Q4B 编号：C5229707

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有1MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备具有低功耗CMOS技术，读取电流最大400uA，待机电流最大1uA。支持页写操作，最大写周期时间为5ms。

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型号：AT24C512C-XHD-T 编号：C2062201

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C512C提供512Kbit（65,536 x 8）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。支持I2C兼容的两线接口，具有低功耗和标准电压操作。工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：24LC64T-I/MS 编号：C613356

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

64Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V供电，具有32字节页写缓冲区，支持硬件写保护，ESD保护超过4000V，数据保留超过200年。

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型号：25LC040/SN 编号：C615276

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

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型号：SST25VF040B-50-4I-S2AE 编号：C638551

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST26VF020A-104I/SN 编号：C1015629

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四通道I/O (SQI)系列闪存设备采用六线、4位I/O接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。26系列SQI家族的所有成员均采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：47L04-I/ST 编号：C1348825

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

47L04/47C04/47L16/47C16（47XXX）是一款带EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM。该器件的存储器组织形式为512×8位或2048×8位，并采用I²C串行接口。47XXX可为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则可实现数据的高耐久性非易失性存储

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型号：SST25VF040B-50-4I-SAE-T 编号：C624755

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该系列串行闪存采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。该器件具有更高的工作频率和更低的功耗。采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。该器件显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。该器件使用2.7V-3.0V的单电源进行写入（编程或擦除）。与其他闪存技术相比，SuperFlash技术在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量更少。

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型号：23K256-I/ST 编号：C148006

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256-I/ST 是一款256Kb的低功耗串行SRAM，通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作，工作电压为2.7-3.6V，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃）。采用8引脚TSSOP封装。

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型号：25AA640-I/SN 编号：C615255

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit串行电可擦除PROM [EEPROM]。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。可以通过保持引脚（HOLD）暂停与设备的通信。当设备暂停时，将忽略其输入上的转换，但片选除外，允许主机处理更高优先级的中断。

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型号：25LC640A-I/ST 编号：C619764

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640A/25LC640A（25XX640A）是64 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24LC256-I/P 编号：C411624

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24XX256）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：SST25PF040CT-40E/SN 编号：C624746

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：25AA128-I/ST 编号：C619711

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA128/25LC128 是一款128Kbit SPI串行EEPROM，支持10MHz时钟频率，采用低功耗CMOS技术。该器件具有64字节页写功能，自定时擦除和写周期，内置写保护功能，支持多种封装选项。

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型号：25LC128-I/P 编号：C613789

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：25LC256T-I/SM 编号：C2061146

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256（25××256）是256 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：25AA256-E/SN 编号：C615250

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256-E/SN是一款256K位SPI总线串行EEPROM，具有64字节页写功能，支持1.8V至5.5V的工作电压，适用于扩展温度范围。

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型号：25LC128-I/SN 编号：C1349855

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST26VF032BEUI-104I/SM 编号：C638560

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O（SQI）系列闪存设备采用六线4位I/O接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032BEUI还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST39VF1601C-70-4I-EKE 编号：C184156

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF1601C和SST39VF1602C器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF160xC在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：24LC65/SM 编号：C616137

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC65/SM 是一款64K位智能串行EEPROM，支持I2C协议，工作电压范围为2.5V至6.0V，适用于工业温度范围。

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型号：SST39SF010A-55-4C-NHE 编号：C645928

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39SF010A/020A/040 是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 CMOS 多用途闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39SF010A/020A/040 器件在 4.5 - 5.5V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF1602C-70-4I-EKE 编号：C637388

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF1601C和SST39VF1602C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M×16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：25LC512T-E/SN 编号：C615816

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需这些功能

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型号：SST39VF3201-70-4I-B3KE 编号：C633389

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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