美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

24LC08B-E/SN是一款8Kbit I2C串行EEPROM，具有400kHz的最大时钟频率，适用于扩展温度范围（-40°C至+125°C）。该器件支持页写功能，最大写周期时间为5ms，具有超过1百万次擦写寿命和超过200年的数据保留能力。

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型号：93LC66CT-I/MC 编号：C612344

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC66CT-I/MC 是一款4-Kbit 2.5V低电压串行EEPROM，支持8位或16位组织方式，适用于工业级温度范围，采用MSOP封装。

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型号：24LC32A-E/SN 编号：C615212

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XX32A是一款32 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储单元组织为一个4K×8位的单块存储器。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：24C02C-E/MS 编号：C613091

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24C02C 是一款2K位的串行EEPROM，工作电压范围为4.5V至5.5V。该设备组织为一个256x8位的存储块，具有I2C兼容的2线串行接口。支持高达100万次擦写，数据保留时间超过200年。

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型号：AT34C02D-XHM-B 编号：C1349398

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT34C02D 设计用于支持 JEDEC EE1002 和 EE1002A 串行存在检测 (SPD) 功能，适用于 DDR、DDR2 和 DDR3 双列直插式内存模块 (DIMM)。它提供 2,048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备还集成了永久性和可逆软件写保护功能，用于 EEPROM 的较低 128 字节。

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型号：24C02C-E/P 编号：C613643

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位的串行EEPROM，工作电压为4.5V至5.5V，支持I2C接口，具有低功耗CMOS技术，可进行页写操作，具有硬件写保护功能。

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型号：24AA64-I/ST 编号：C619613

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64-I/ST是一款64K位I2C串行EEPROM，具有1.7V至5.5V的工作电压范围，400kHz的时钟频率，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有低功耗特性，支持页写操作，具有硬件写保护功能。

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型号：24CS256T-E/OT 编号：C5486872

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

提供256 Kbits的串行EEPROM，采用具有3.4 MHz高速模式能力的I²C（两线）串行接口。该设备组织为32,768个8位字节（32 Kbyte），针对需要可靠和稳定的非易失性存储器存储的消费、工业和汽车应用进行了优化。允许最多八个设备共享一个公共的I²C（两线）总线，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内运行。具有一个1 Kbit的安全寄存器，与256 Kbit的存储阵列分开。安全寄存器的前半部分为只读，包含一个工厂编程的、全局唯一的128位序列号。128位序列号在整个CS系列串行EEPROM产品中是唯一的，消除了在生产线上对产品进行序列化的耗时步骤

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型号：AT24C32D-XHM-B 编号：C1353500

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为4,096 x 8（32K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。 I²C兼容（2线）串行接口: 100 kHz标准模式，1.7V至5.5V

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型号：AT24CS64-MAHM-T 编号：C2061553

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS64提供64Kbit（8,192 x 8）的串行EEPROM，具有128位唯一工厂编程的序列号。支持I2C兼容的两线数字串行接口，适用于低功耗和低电压操作。

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型号：24LC32AF-E/SN 编号：C615213

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC32AF 是一款32Kbit I2C EEPROM，具有半阵列写保护功能，支持2.5V至5.5V的工作电压，采用8-pin SOIC封装。

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型号：24LC01B-I/ST 编号：C619647

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC01B-I/ST是一款1Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，最高时钟频率为400kHz，具有100万次擦写寿命和超过200年的数据保留能力。

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型号：93LC86C-I/P 编号：C1350520

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

16K 位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93XX86C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。93XX86A 设备提供专用的 8 位存储器结构，而 93XX86B 设备提供专用的 16 位存储器结构。程序使能（PE）引脚允许用户对整个存储器阵列进行写保护

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型号：25AA040A-I/MS 编号：C1350517

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该存储器通过一个简单的兼容串行外设接口（SPI）的串行总线进行访问。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24LC16BH-I/SN 编号：C1351703

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24LC16BH是一款16Kbit的I2C串行EEPROM。该设备分为八个256x8位的内存块，具有低功耗CMOS技术，支持1.7V至5.5V的工作电压，最高时钟频率为400kHz。具有页写功能，最多可写入16字节数据，硬件写保护功能，以及超过1百万次擦写周期和200年的数据保持能力。

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型号：24LC16B-E/MC 编号：C612231

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16B-E/MC是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持100万次擦写，200年数据保持。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持400kHz时钟频率。具有低功耗CMOS技术，适用于各种低功耗应用。

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型号：25LC040AT-E/OT 编号：C2061682

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 25LC040A是一款4K位串行EEPROM，支持SPI接口。该器件的工作电压范围为2.5V至5.5V，最大时钟频率为10MHz，具有16字节的页写模式。其存储容量为512字节，支持写保护功能，并具有高可靠性和数据保留时间超过200年。

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型号：AT24C16C-XHM-B 编号：C1349291

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为2048 x 8（16K）。工业温度范围：-40℃至+85℃。I²C兼容（两线）串行接口:100 kHz标准模式，1.7V至5.5V

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型号：24AA32AF-I/MS 编号：C1348996

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32AF/24LC32AF（24XX32AF）是一款32Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件被组织为一个带有两线串行接口的4K×8位单块存储器。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作

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型号：24AA64T-I/MS 编号：C613297

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

64Kbit I2C串行EEPROM，具有32字节页写缓冲区，支持硬件写保护，ESD保护超过4000V，数据保留超过200年。

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型号：93LC56C-E/SN 编号：C1351689

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93LC56C-E/SN 是一款2K位低电压串行EEPROM，支持8位或16位组织，适用于各种工业和汽车应用。

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型号：24LC04BH-E/SN 编号：C1350824

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC04BH 是一款4K位I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有半阵列写保护功能。

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型号：93C66A-I/MS 编号：C1351842

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX66A/B/C 器件是 4 Kbit 的低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA66C、93LC66C 或 93C66C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX66A 器件；而 93XX66B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：24FC128-I/SN 编号：C615158

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX128是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：24AA128-I/SN 编号：C511330

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX128是一款16K×8（128 Kbit）串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：93AA66A-I/MS 编号：C1350759

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

4-Kbit Microwire Compatible Serial EEPROM, 低功耗CMOS技术，支持工业温度范围，具有自动擦除和写入功能，数据保留时间超过200年，ESD保护超过4000V。

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型号：SST25PF040C-40I/SN 编号：C515539

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST25PF040C 是串行闪存 25 系列的一员，具备四线、SPI 兼容接口，可采用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SPI 串行闪存采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性

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型号：24C02C-I/P 编号：C613644

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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型号：47C04-I/ST 编号：C1350981

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

47C04是一款4Kbit SRAM，带有EEPROM备份。该设备组织为512x8位或2,048x8位的内存，并利用I2C串行接口。47C04提供无限次读写SRAM，同时EEPROM单元提供高耐久性的非易失性数据存储。当外部电容器检测到电源丢失时，SRAM数据会自动传输到EEPROM。

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型号：24CS256T-E/ST 编号：C20290516

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CS256提供256 Kbit的串行EEPROM，采用具备3.4 MHz高速模式能力的I²C（两线制）串行接口。该器件组织形式为32,768个8位字节（32 Kbyte），针对消费、工业和汽车应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要。24CS256允许最多8个器件共享一条通用的I²C（两线制）总线，并且能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作

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