美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LC128-I/MS 编号：C1348930

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX128是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：SST25VF020B-80-4I-SAE 编号：C21719

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品线采用了四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF020B器件在工作频率上有所提升，功耗更低。SST25VF020B SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：SST26VF016B-104I/SN 编号：C631790

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O（SQI）系列闪存设备采用六线、4位I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016B还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：24AA256-E/MS 编号：C1350055

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256 是 32K x 8 (256Kbit) 的 I2C 兼容串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，支持宽电压范围 (1.7V 至 5.5V)。具有页写功能，最多可写入 64 字节数据。支持高达 8 个设备的级联。

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型号：24LC256-I/MS 编号：C613138

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC256是一款256K位（32K x 8）的I2C串行EEPROM，最高时钟频率为400kHz。它具有低功耗CMOS技术，适用于个人通信和数据采集等高级低功耗应用。

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型号：25LC512-I/SN 编号：C127510

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：25AA128-I/SN 编号：C1349794

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA128/25LC128（25xx128(1)）是128 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24LC512-I/ST 编号：C511288

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24xxx12）是一款64K×8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：SST26VF016BEUI-104I/SN 编号：C631791

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入/输出（SQI）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016BEUI 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST39LF010-55-4C-NHE 编号：C645925

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 CMOS 多功能闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：AT27C020-90PU 编号：C1348725

封装：PDIP-32

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT27C020是一款低功耗、高性能的2,097,152位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），按256K×8位方式组织。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源。任何字节都可在55ns内被访问，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态

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型号：AT17LV002-10SU 编号：C1523753

封装：SOIC-20-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT17LV系列FPGA配置用EEPROM支持3.3V和5.0V系统应用，具有低功耗CMOS工艺，支持在系统编程(ISP)，兼容多种FPGA设备，提供多种封装选项。

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型号：24FC08T-I/OT 编号：C1870703

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24XX08(1) 是一款8Kbit I2C串行EEPROM。该设备分为四个256x8位的内存块，具有低功耗CMOS技术，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，具有100 kHz、400 kHz和1 MHz的兼容性。

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型号：AT24CSW010-UUM0B-T 编号：C2061999

封装：WLCSP-4

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CSW010-UUM0B-T 是一款I2C兼容的串行EEPROM，具有1Kbit存储容量，支持低电压操作（1.7V到3.6V），带有安全寄存器和软件写保护功能。

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型号：24AA02T-I/SN 编号：C615609

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02T-I/SN是一款2-Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：93LC56AT-I/SN 编号：C2061173

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93LC56A/B/C 是2K位低电压串行EEPROM。这些设备采用先进的CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。支持128x16位和256x8位组织结构，具有自定时擦除/写入周期和自动擦除所有功能。

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型号：93AA66BT-I/OT 编号：C2061209

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93AA66BT 是一款4-Kbit 低电压串行EEPROM，具有16位组织结构，适用于工业温度范围。工作电压为1.8V至5.5V。

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型号：24LC04BT-I/MC 编号：C2065841

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：AT24C01D-MAHM-T 编号：C2061957

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压运行：VCC = 1.7V至3.6V。内部组织为128 × 8 (1K) 或256 × 8 (2K)。工业温度范围：-40℃至+85℃。I²C兼容（两线）串行接口:100 kHz标准模式，1.7V至3.6V

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型号：24LC04BT-I/ST 编号：C619989

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC04BT-I/ST是一款4Kbit I2C串行EEPROM，工作电压范围为2.5V至5.5V，支持高达400kHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备具有低功耗、高可靠性以及超过1百万次擦写周期的特性。

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型号：AT93C56B-SSHM-B 编号：C1349851

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C56B/AT93C66B提供2048/4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为：当ORG引脚连接到VCC时，为128/256个16位字；当ORG引脚接地时，为256/512个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。AT93C56B/AT93C66B提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN和8球VFBGA封装

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型号：24LC02BT-I/ST 编号：C2061280

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC02B是一款2K位I2C串行EEPROM，工作电压范围为2.5V至5.5V，支持400kHz和1MHz的时钟频率，具有超过1百万次的擦写寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：AT24C01D-SSHM-B 编号：C1349514

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压运行：VCC = 1.7V至3.6V。内部组织为128 × 8 (1K) 或256 × 8 (2K)。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至3.6V

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型号：24AA02E48T-E/OT 编号：C2061185

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：AT34C02D-XHM-T 编号：C514083

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT34C02D 设计用于支持 JEDEC EE1002 和 EE1002A 串行存在检测 (SPD) 功能，适用于 DDR、DDR2 和 DDR3 双列直插式内存模块 (DIMM)。它提供 2,048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备还集成了永久性和可逆软件写保护功能，用于 EEPROM 的较低 128 字节。

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