美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24CW640-I/SN 编号：C615149

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW640-I/SN是一款64Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有软件写保护功能。支持32字节页面写入，内部自定时写周期，最高时钟频率为1MHz。工作电压范围为1.6V至5.5V，适用于工业温度范围。

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型号：24LC32AT/SN 编号：C615716

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24LC32A 是一款32-Kbit 12C串行EEPROM。该设备被组织为一个4K x 8位的存储块，并具有两线串行接口。其低功耗CMOS技术允许在1.7V至5.5V的电压范围内工作，具有低功耗和高速读写能力。

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型号：93LC66CT-I/MC 编号：C612344

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC66CT-I/MC 是一款4-Kbit 2.5V低电压串行EEPROM，支持8位或16位组织方式，适用于工业级温度范围，采用MSOP封装。

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型号：24AA16-I/MC 编号：C612214

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA16-I/MC是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持100万次擦写，200年数据保持。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持400kHz时钟频率。具有低功耗CMOS技术，适用于各种低功耗应用。

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型号：24LC01BT/OT 编号：C2062266

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款1 Kbit电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。该设备由一个128×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达8字节数据的页写入能力。

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型号：24C02C-E/MS 编号：C613091

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24C02C 是一款2K位的串行EEPROM，工作电压范围为4.5V至5.5V。该设备组织为一个256x8位的存储块，具有I2C兼容的2线串行接口。支持高达100万次擦写，数据保留时间超过200年。

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型号：24C02C-E/P 编号：C613643

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位的串行EEPROM，工作电压为4.5V至5.5V，支持I2C接口，具有低功耗CMOS技术，可进行页写操作，具有硬件写保护功能。

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型号：25AA020AT-I/SN 编号：C615733

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA020A是一款2-Kbit SPI接口串行EEPROM，具有16字节页大小，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有低功耗CMOS技术，最大时钟频率为10 MHz，读写电流为5 mA，待机电流为5uA。存储器组织为256个8位地址，支持自定时擦除和写入周期（最大5 ms）。提供多种封装选项，包括MSOP、SOIC等。

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型号：AT24CS32-MAHM-T 编号：C2061575

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS32是一款32Kbit (4,096 x 8)的I2C兼容串行EEPROM，带有唯一工厂编程的128位序列号。支持1.7V至5.5V低电压操作，工业温度范围为-40°C至+85°C。具有32字节页写模式、超低功耗、1,000,000次写周期寿命和100年数据保留时间。

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型号：AT24CSW020-STUM-T 编号：C5224827

封装：TSOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CSW01X/AT24CSW02X 提供 1024/2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个 8 位字。该器件经过优化……

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型号：24AA04HT-I/OT 编号：C616200

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24××04H 是一款 4 Kbit 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个 256×8 位的存储块组成。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作

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型号：AT24CS04-SSHM-T 编号：C615970

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS04是一款4K位I2C兼容串行EEPROM，具有128位唯一工厂编程的序列号。支持1.7V至5.5V低电压操作，工业温度范围为-40°C至+85°C。提供多种封装选项，包括8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8引脚UDFN和5引脚SOT23。

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型号：24LC01BT-I/MS 编号：C2061496

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX01是一款1 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储组织为一个128×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：AT24CS64-MAHM-T 编号：C2061553

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS64提供64Kbit（8,192 x 8）的串行EEPROM，具有128位唯一工厂编程的序列号。支持I2C兼容的两线数字串行接口，适用于低功耗和低电压操作。

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型号：AT24C04C-SSHM-B 编号：C1348842

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04C/AT24C08C 是一款低电压操作的I2C兼容串行EEPROM，提供4Kbit (512 x 8) 和 8Kbit (1,024 x 8) 的存储容量。工业温度范围：-40°C 到 +85°C。

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型号：25AA040A-I/MS 编号：C1350517

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该存储器通过一个简单的兼容串行外设接口（SPI）的串行总线进行访问。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：AT21CS01-STUM11-T 编号：C5229258

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT21CS01/AT21CS11 是一款两针存储器（SI/O 和地），从 SI/O 引脚获取能量来供电。它提供 1,024 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 128 个 8 位字。

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型号：24AA64T-E/OT 编号：C616207

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24Xx64是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：24LC64T-I/MS 编号：C613356

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

64Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V供电，具有32字节页写缓冲区，支持硬件写保护，ESD保护超过4000V，数据保留超过200年。

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型号：AT24MAC402-XHM-B 编号：C1350676

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 256 × 8（2K）。工厂预编程 EUI-48 或 EUI-64 兼容地址。永久锁定，只读值存储在单独的存储区域。确保唯一的 EUI 地址。提供定制编程服务

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型号：93LC56BT-E/ST 编号：C2061320

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2Kbit低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如93AA56C、93LC56C或93C56C）依赖于驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用8位通信，可使用相关设备，而某些设备提供专用16位通信。先进的CMOS技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个系列有标准封装和先进封装，所有封装均为无铅（雾锡）表面处理。

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型号：24C02CT/SN 编号：C2061394

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位的串行EEPROM，工作电压范围为4.5V到5.5V，支持I2C接口，具有低功耗CMOS技术，最大读电流1mA，最大待机电流5uA，支持高达16字节的页写操作，写周期时间为1ms，支持超过1百万次擦写寿命，数据保持时间超过200年。

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型号：25LC010A-I/MS 编号：C1350677

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC010A是一款1Kbit的串行EEPROM，支持SPI接口，具有16字节的页大小，工作电压范围为2.5V至5.5V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有低功耗CMOS技术，最大时钟频率为10MHz，数据保留时间为200年。

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型号：23K256T-I/ST 编号：C2653520

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256T是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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型号：11LC040T-E/TT 编号：C616183

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11LC040T-E/TT 是一款4Kbit (512 x 8位) 的串行EEPROM，支持UNI/O单线接口。工作电压范围为2.5V至5.5V，适用于扩展温度范围（-40°C至+125°C）。该设备具有1,000,000次擦写周期寿命和超过200年的数据保留能力。

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型号：24CS256T-E/ST 编号：C20290516

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CS256提供256 Kbit的串行EEPROM，采用具备3.4 MHz高速模式能力的I²C（两线制）串行接口。该器件组织形式为32,768个8位字节（32 Kbyte），针对消费、工业和汽车应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要。24CS256允许最多8个器件共享一条通用的I²C（两线制）总线，并且能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作

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型号：24CS512T-E/OT 编号：C5497952

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：24LC32A-I/P 编号：C1349005

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个具有2线串行接口的4K x 8位内存单块。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达256 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：24FC512T-I/ST 编号：C619958

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：47C04-I/ST 编号：C1350981

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

47C04是一款4Kbit SRAM，带有EEPROM备份。该设备组织为512x8位或2,048x8位的内存，并利用I2C串行接口。47C04提供无限次读写SRAM，同时EEPROM单元提供高耐久性的非易失性数据存储。当外部电容器检测到电源丢失时，SRAM数据会自动传输到EEPROM。

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