美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24AA02T-I/MNY 编号：C616438

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

1+
￥6.61
10+
￥5.36
30+
￥4.74
100+
￥4.12
500+
￥3.75
1000+
￥3.56

订货

我要订货

型号：93LC66C-I/MS 编号：C1350907

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC66C-I/MS是一款4Kbit低电压串行EEPROM，支持512x8位或256x16位组织。工作电压范围为2.5V至5.5V，适用于工业温度范围。

数据手册

1+
￥6.63
10+
￥5.5
30+
￥4.88

有货

立即购买

型号：93LC56BT-E/ST 编号：C2061320

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2Kbit低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如93AA56C、93LC56C或93C56C）依赖于驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用8位通信，可使用相关设备，而某些设备提供专用16位通信。先进的CMOS技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个系列有标准封装和先进封装，所有封装均为无铅（雾锡）表面处理。

数据手册

1+
￥6.63
10+
￥5.38
30+
￥4.76

有货

立即购买

型号：23K256T-I/ST 编号：C2653520

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256T是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

数据手册

1+
￥6.9
10+
￥6.74
30+
￥6.63

有货

立即购买

型号：24LC08B/SN 编号：C615192

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24LC08B/SN 是一款8Kbit I2C兼容的串行EEPROM。该设备具有低功耗CMOS技术，支持2.5V至5.5V的工作电压，最大时钟频率为400kHz，工作温度范围为-40°C至+125°C。具有100万次擦写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

数据手册

1+
￥6.95
10+
￥5.79
30+
￥5.16

有货

立即购买

型号：24LC08BT-E/SN 编号：C2065836

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款8K位电可擦除PROM。该设备由四个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备最多16字节数据的页写入能力。

数据手册

1+
￥7.31
10+
￥6.01
30+
￥5.29

有货

立即购买

型号：AT24C128C-MAHM-T 编号：C616838

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压、中电压运行:1级，VCC = 2.5V至5.5V。3级，VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为16,384 x 8（128K）或32,768 x 8（256K）。扩展温度范围（AEC-Q100中定义的1级和3级）:1级温度范围：-40℃至+125℃

数据手册

1+
￥7.44
10+
￥6.18
30+
￥5.49

有货

立即购买

型号：AT25320B-SSHL-B 编号：C615491

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25320B/AT25640B 提供 32,768/65,536 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 4,096/8,192 个字节。该设备适用于许多工业和商业应用，低功耗和低电压操作至关重要。支持 SPI 接口，具有块写保护和硬件写保护功能。

数据手册

1+
￥7.69
10+
￥6.41
30+
￥5.71

有货

立即购买

型号：AT25256B-XHL-T 编号：C616790

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：与串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (VCC = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 64字节页模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 >4000V。高可靠性: -耐用性：100万次写循环。 -数据保留：100年。环保（无铅/无卤/符合RoHS标准）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

数据手册

1+
￥8.06
10+
￥7.35
30+
￥6.9
100+
￥6.45

有货

立即购买

型号：25LC040T-I/SN 编号：C2061461

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA040/25LC040/25C040（25XX040*）是一款 4 Kbit 串行电可擦除 PROM。可通过与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

数据手册

1+
￥8.45
10+
￥8.3
30+
￥8.2

有货

立即购买

型号：24AA256UIDT-I/ST 编号：C619926

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256UID是一款256Kbit（32Kx8）的串行EEPROM，带有预编程的EUI-48和EUI-64节点地址以及唯一的32位序列号。该设备支持1.7V至5.5V的工作电压范围，并具有页写能力。

数据手册

1+
￥8.56
10+
￥8.34
30+
￥8.2

有货

立即购买

型号：SST25VF010A-33-4C-SAE 编号：C10025

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST的串行闪存系列采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，并最终降低系统总成本。SST25VF010A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性

数据手册

1+
￥8.64
10+
￥7.12
30+
￥6.28

有货

立即购买

型号：24LC64-I/SM 编号：C511297

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24**64*）是一款64 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

数据手册

1+
￥8.76
10+
￥7.18
30+
￥6.3

有货

立即购买

型号：24AA64F-I/SN 编号：C615135

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/ 24FC64F (24XX64F*) 是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该器件被组织为一个具有 2 线串行接口的 8Kx8 位内存单块。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和读取电流分别仅为 1 μA 和 400 μAᵢ。

数据手册

1+
￥9.15
10+
￥7.63
30+
￥6.79

有货

立即购买

型号：23K256-I/SN 编号：C219986

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

数据手册

1+
￥9.57
10+
￥7.95
30+
￥7.06

有货

立即购买

型号：SST25VF512A-33-4I-SAE 编号：C481386

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST的串行闪存系列采用四线SPI兼容接口，该接口所需引脚数量少，占用的电路板空间小，最终可降低系统总成本。SST25VF512A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性

数据手册

1+
￥10.06
10+
￥8.39
30+
￥7.47

有货

立即购买

型号：24AA64-E/SN 编号：C615134

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是64-Kbit电可擦除PROM（EEPROM）。该设备被组织为一个由8×8位内存组成的单块，具有两线串行接口。其低电压设计允许低至1V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。还具备高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达512-Kbit。

数据手册

1+
￥10.16
10+
￥8.54
30+
￥7.53

有货

立即购买

型号：24LC64-E/SM 编号：C616092

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24Xx64是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

数据手册

1+
￥10.24
10+
￥8.5
30+
￥7.55

有货

立即购买

型号：AT24CM01-SHD-B 编号：C615467

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。

数据手册

1+
￥10.49
10+
￥10.22
30+
￥10.04

有货

立即购买

型号：24AA32AT-I/MC 编号：C2061825

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32A/24LC32A（24×32A*）是一款32Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，将4K×8位的存储器组织为单块结构。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作

数据手册

1+
￥10.61
10+
￥8.81
30+
￥7.83

有货

立即购买

型号：24FC512T-E/OT 编号：C5229705

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有1MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备具有低功耗CMOS技术，读取电流最大400uA，待机电流最大1uA。支持页写操作，最大写周期时间为5ms。

数据手册

1+
￥12.29
10+
￥10.42
30+
￥9.25

有货

立即购买

型号：AT25256B-MAHL-T 编号：C616878

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥17.38
10+
￥15.1
30+
￥13.68

有货

立即购买

型号：24LC512T-E/SN 编号：C615717

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V供电，具有低功耗特性，支持页写操作，具有硬件写保护功能，适用于工业和扩展温度范围。

数据手册

1+
￥18.38
10+
￥17.95
30+
￥17.66

有货

立即购买

型号：23LC1024T-I/SN 编号：C114449

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI和SQI接口。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持无限次读写操作，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构。

1+
￥19.12
10+
￥16.22
30+
￥14.41

有货

立即购买

型号：23K256-E/SN 编号：C615092

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。

数据手册

1+
￥19.63
10+
￥16.8
30+
￥15.12
100+
￥13.42

有货

立即购买

型号：SST26VF016B-80E/SN 编号：C1350018

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Serial Quad I/O (SQI) 系列闪存设备具有六线、4 位 I/O 接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能操作。同时支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，最终降低系统成本。 26 系列 SQI 家族的所有成员均采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造

数据手册

1+
￥20.51
10+
￥20.01
30+
￥19.68

有货

立即购买

型号：SST25VF080B-50-4C-PAE 编号：C640669

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品家族采用四线SPI兼容接口，支持低引脚数封装，可减少电路板占用空间，最终降低系统总体成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面均有提升。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

数据手册

1+
￥22.97
10+
￥19.78
60+
￥17.17

有货

立即购买

型号：24LC512-I/ST 编号：C511288

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24xxx12）是一款64K×8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥26.59
10+
￥22.83
30+
￥20.6

有货

立即购买

型号：24LC512-E/SN 编号：C1348990

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24xxx12*）是一款64K×8（512 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥27.03
10+
￥22.9
30+
￥20.45

有货

立即购买

型号：SST39SF010A-55-4I-NHE 编号：C645929

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39SF010A/020A/040 是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 CMOS 多用途闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39SF010A/020A/040 器件在 4.5 - 5.5V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

数据手册

1+
￥31.26
10+
￥26.9
30+
￥23.46

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示