美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：25LC1024-E/P 编号：C613787

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除指令。这些指令在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：SST39VF1601-70-4I-EKE-T 编号：C21923

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：AT28BV64B-20SU 编号：C1348881

封装：SOIC-28-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT28BV64B是一款64K字节（8K x 8）的非易失性存储器（EEPROM）。它采用Atmel先进的非易失性CMOS技术，提供200ns的快速读取访问时间和低功耗特性。该设备在未选中时，CMOS待机电流小于20uA。支持自动页写操作，最多可同时写入64字节数据。

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￥42.8733 ￥63.99

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型号：24LC1025-I/P 编号：C613693

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：24AA1025-I/SN 编号：C1348782

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备具备字节写入和页写入功能，最多可写入128字节数据。该设备支持随机读取和顺序读取。读取可在地址边界0000h至FFFFh和10000h至1FFFh内顺序进行。功能地址线允许在同一数据总线上连接多达四个设备，这使得系统EEPROM总内存可达4Mbit。该设备提供标准的8引脚PDIP、SOIC和SOIJ封装。

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型号：SST38VF6401-90-5C-EKE 编号：C637366

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

4M x16 CMOS高级多功能闪存增强型（Advanced MPF+）器件采用专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更好的可靠性和可制造性。这些器件在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作，并且引脚分配符合JEDEC标准的x16存储器规范

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型号：SST38VF6401-90-5I-EKE 编号：C637367

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

4M x16 CMOS高级多功能闪存增强型（Advanced MPF+）器件采用专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更好的可靠性和可制造性。这些器件在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作，并且引脚分配符合JEDEC标准的x16存储器规范

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型号：AT28HC64B-70SU 编号：C609694

封装：SOIC-28-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT28HC64B是一款高性能电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。其64K内存组织为8192个字，每个字8位。该器件采用先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间可达55 ns，功耗仅为220 mW

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型号：SST38VF6403-90-5I-EKE 编号：C637373

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

4M x16 CMOS高级多功能闪存增强型（Advanced MPF+）器件采用专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更好的可靠性和可制造性。这些器件在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作，并且引脚分配符合JEDEC标准的x16存储器规范

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型号：AT28C256E-15JU 编号：C613974

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT28C256E是一款256Kbit（32,768 x 8）并行EEPROM，具有快速读取访问时间和自动页面写入操作。它采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性。

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型号：93C76C-I/SN 编号：C1353179

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX76A/B/C 系列器件是 8Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93xX76C 这类可进行字选择的器件，其字长大小取决于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平。93XX76A 器件采用专用的 8 位存储结构，而 93XX76B 器件则采用专用的 16 位存储结构

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型号：AT34C02D-MAHM-T 编号：C616892

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：24FC01T-E/OT 编号：C2064199

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24FC01是一款1Kbit I2C串行EEPROM，支持低功耗CMOS技术，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高时钟频率为1MHz。

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型号：24LC01B/SN 编号：C1348847

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX01是一款1 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储组织为一个128×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：AT24C01D-MAHM-E 编号：C616825

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01D是一款1-Kbit (128 x 8) I2C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM，工作电压1.7V至3.6V，工业温度范围-40°C至+85°C，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为100年。

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型号：AT21CS01-SSHM10-B 编号：C615450

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT21CS01是一款单线接口的1Kbit（128 x 8）串行EEPROM，具有唯一的64位工厂编程序列号。支持I2C协议结构，工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业环境。

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型号：24LC01B-I/SN 编号：C511265

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX01 是一款 1 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件的存储结构为一个 128×8 位的存储块，并配备双线串行接口。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作

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型号：24LC02BHT-I/OT 编号：C2062109

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC02BHT-I/OT 是一款2Kbit 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），具有半阵列写保护功能。该设备组织为一个256x8位的内存块，带有2线串行接口。低电压设计允许其在1.7V至5.5V范围内工作，待机和活动电流分别为1uA和1 mA。支持页写入功能，最多可写入8字节数据。

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型号：AT24CS02-XHM-T 编号：C616774

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS01/AT24CS02 是 I2C 兼容的串行 EEPROM，具有 128 位唯一工厂编程的序列号。存储容量分别为 1Kbit 和 2Kbit。支持 1.7V 至 5.5V 的低电压操作，工业温度范围为 -40°C 至 +85°C。

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型号：24AA01-I/SN 编号：C148037

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA01/24LC01B（24xxx01*）是一款1Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将128×8位存储器组织为一个存储块。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作

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型号：24LC025-I/ST 编号：C619655

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。

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型号：AT93C66B-SSHM-B 编号：C615516

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C56B/AT93C66B 提供 2048/4096 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当 ORG 引脚连接到 VCC 时，其组织形式为 128/256 个 16 位字；当 ORG 引脚连接到 GND 时，则为 256/512 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的汽车应用进行了优化。AT93C56B/AT93C66B 采用节省空间的 8 引脚 SOIC 和 8 引脚 TSSOP 封装

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型号：24AA025T-I/OT 编号：C616269

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA025T-I/OT 是一款2-Kbit I2C串行电可擦除只读存储器（EEPROM）。该设备组织为一个256x8位的内存块，具有两线串行接口。

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型号：AT24CS04-SSHM-T 编号：C615970

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS04是一款4K位I2C兼容串行EEPROM，具有128位唯一工厂编程的序列号。支持1.7V至5.5V低电压操作，工业温度范围为-40°C至+85°C。提供多种封装选项，包括8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8引脚UDFN和5引脚SOT23。

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￥2.72
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型号：24AA025E48T-E/OT 编号：C2066000

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA025E48是一款2Kbit I2C串行EEPROM，具有EUI-48节点身份，工作电压为1.7V至5.5V，支持400kHz的时钟频率，适用于工业和汽车级温度范围。该器件支持8字节页写操作，具有低功耗CMOS技术，最大读电流为1mA，最大待机电流为1uA。封装选项包括8引脚SOIC和6引脚SOT-23。

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型号：24LC04B/SN 编号：C1349244

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：AT93C56B-SSHM-B 编号：C1349851

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C56B/AT93C66B提供2048/4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为：当ORG引脚连接到VCC时，为128/256个16位字；当ORG引脚接地时，为256/512个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。AT93C56B/AT93C66B提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN和8球VFBGA封装

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