美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：93LC46A-I/SN 编号：C185647

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC46A是一款1Kbit低电压串行EEPROM，支持8位组织结构，工作电压范围为2.5V至5.5V。该器件具有100万次擦写周期寿命，数据保留时间超过200年。支持行业标准的3线串行I/O接口，适用于工业温度范围。

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型号：93C46BT-I/OT 编号：C2061020

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93C46BT-I/OT 是一款1Kbit的低电压串行EEPROM，支持3线串行接口，具有自定时擦除/写入周期，自动擦除所有功能，数据保留超过200年，支持工业和汽车温度范围。

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型号：AT24CS02-XHM-T 编号：C616774

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS01/AT24CS02 是 I2C 兼容的串行 EEPROM，具有 128 位唯一工厂编程的序列号。存储容量分别为 1Kbit 和 2Kbit。支持 1.7V 至 5.5V 的低电压操作，工业温度范围为 -40°C 至 +85°C。

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型号：24LC02B-I/P 编号：C613680

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：AT24C32D-XHM-B 编号：C1353500

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为4,096 x 8（32K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。 I²C兼容（2线）串行接口: 100 kHz标准模式，1.7V至5.5V

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型号：AT24C16D-STUM-T 编号：C616254

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16D是一款16Kbit（2,048 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V到3.6V的低电压操作。它具有多种工作模式，包括标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和快速模式加（1MHz）。该器件还具有硬件写保护功能、超低功耗和高可靠性。

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型号：AT24CS04-STUM-T 编号：C616259

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS04是一款I2C兼容的串行EEPROM，具有唯一工厂编程的128位序列号。该器件提供4 Kbit (512 x 8)的存储容量，支持1.7V至5.5V的低电压操作，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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型号：25LC640A-I/MS 编号：C1350155

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：93LC46B-I/ST 编号：C619813

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC46B-I/ST是一款1Kbit低电压串行EEPROM，支持64x16组织结构，适用于2.5V至5.5V的工作电压范围，支持工业级温度范围。该器件具有自定时擦除/写入周期、数据保留超过200年等特性。

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型号：AT24C512C-MAHM-T 编号：C2980241

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 3.6V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 65,536 x 8 (512K)。工业温度范围：-40℃ 至 +85℃

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型号：24LC32AFT-E/MS 编号：C613349

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC32AFT 是一款32Kbit I2C EEPROM，具有半阵列写保护功能，支持2.5V至5.5V的工作电压，采用8-pin MSOP封装。

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型号：93LC56BT-E/ST 编号：C2061320

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2Kbit低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如93AA56C、93LC56C或93C56C）依赖于驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用8位通信，可使用相关设备，而某些设备提供专用16位通信。先进的CMOS技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个系列有标准封装和先进封装，所有封装均为无铅（雾锡）表面处理。

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型号：24AA025E48-I/SN 编号：C46840

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64（24AA02XEXX*）是一款2 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个128×8位存储块组成，具备两线串行接口。低电压设计使其能够在低至1 V的电压下工作

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型号：24AA08T-I/SN 编号：C2060935

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是一个8K位电可擦除PROM。该设备由四个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。该产品还具有高达16字节数据的页面写入能力。

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型号：24LC04B-E/SN 编号：C615183

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24LC04B是一款4Kbit I2C兼容的串行EEPROM。该设备分为两个256x8位的内存块，具有低功耗CMOS技术，支持2.5V至5.5V的工作电压。

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型号：24CW640T-I/CS1668 编号：C2062761

封装：CSP-4

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW640T-I/CS1668是一款64Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有软件写保护功能。支持32字节页面写入，内部自定时写周期，最高时钟频率为1MHz。工作电压范围为1.6V至5.5V，适用于工业温度范围。

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型号：93C46B/P 编号：C613841

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：AT24C128C-MAHM-T 编号：C616838

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压、中电压运行:1级，VCC = 2.5V至5.5V。3级，VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为16,384 x 8（128K）或32,768 x 8（256K）。扩展温度范围（AEC-Q100中定义的1级和3级）:1级温度范围：-40℃至+125℃

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型号：24LC64-I/SM 编号：C511297

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24**64*）是一款64 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：24CS256-I/SN 编号：C5883969

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CS256提供256 Kbit的串行EEPROM，采用具备3.4 MHz高速模式能力的I²C（两线制）串行接口。该器件组织形式为32,768个8位字节（32 Kbyte），针对消费、工业和汽车应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要。24CS256允许最多8个器件共享一条通用的I²C（两线制）总线，并且能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作

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型号：AT24C256C-XHL-B 编号：C619847

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C256C提供262,144位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为32,768个8位字。该设备支持低电压和标准电压操作，工作温度范围为-40°C至+85°C，具有高达1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留时间。

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型号：24LC64-I/ST 编号：C619690

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件被组织为一个具有两线串行接口的8K×8位单块存储器。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作

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型号：24LC256-I/P 编号：C411624

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24XX256）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：24LC64FT-I/SN 编号：C615719

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个8K×8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和读取电流分别仅为1μA和400μA。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。还具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多有八个设备，最多可提供512 Kbit的地址空间。有标准的8引脚PDIP、表面贴装SOIC、TSSOP、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23封装。

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型号：24LC16BT-E/MNY 编号：C616494

封装：TDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16BT是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，两线串行接口，可编程硬件写保护，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率。

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型号：24FC512T-I/Q4B 编号：C5229707

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有1MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备具有低功耗CMOS技术，读取电流最大400uA，待机电流最大1uA。支持页写操作，最大写周期时间为5ms。

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型号：SST25VF512A-33-4C-SAE-T 编号：C624758

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST的串行闪存系列具有四线、SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，并最终降低总系统成本。采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。该产品显著提高了性能，同时降低了功耗。对于任何给定的电压范围，SuperFlash技术在编程时使用的电流更少，擦除时间更短，因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。该产品使用2.7-3.6V单电源供电。

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