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24LC64T-E/MNY

型号：24LC64T-E/MNY 编号：C2060994

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个具有2线串行接口的8K×8位单块内存。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和3 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。24Xx64还具有高达32字节数据的页写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，寻址空间高达512 Kbits。24XX64有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。24Xx64也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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￥9.29
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串行四路I/O（SQI）闪存

型号：SST26VF016-80-5I-S2AE 编号：C638554

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路I/O™（SQI™）系列闪存设备采用4位复用I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。采用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本。26系列SQI家族的所有成员均采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造

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1+
￥9.3242 ￥20.27
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AT25160B-MAHL-T

型号：AT25160B-MAHL-T 编号：C2061561

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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1+
￥9.37
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￥7.78
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32Kbit I2C兼容串行EEPROM带唯一128bit 序列号

型号：AT24CS32-MAHM-T 编号：C2061575

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS32是一款32Kbit (4,096 x 8)的I2C兼容串行EEPROM，带有唯一工厂编程的128位序列号。支持1.7V至5.5V低电压操作，工业温度范围为-40°C至+85°C。具有32字节页写模式、超低功耗、1,000,000次写周期寿命和100年数据保留时间。

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1+
￥9.38
10+
￥7.78
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￥6.9

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64K I2C串行EEPROM，带四分之一阵列写保护

型号：24LC64FT-I/SN 编号：C615719

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个8K×8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和读取电流分别仅为1μA和400μA。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。还具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多有八个设备，最多可提供512 Kbit的地址空间。有标准的8引脚PDIP、表面贴装SOIC、TSSOP、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23封装。

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1+
￥9.38
10+
￥7.75
30+
￥6.85

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128Kbit串行EEPROM，SPI接口，工业温度范围

型号：AT25128B-SSHL-B 编号：C615488

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25128B是一款128K位串行EEPROM，支持SPI接口，具有1.8V至5.5V的工作电压范围和-40°C至+85°C的工业温度范围。该器件支持20MHz的时钟频率，具有100年的数据保留时间和100万次的写周期寿命。

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1+
￥9.58
10+
￥7.91
30+
￥6.99
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￥5.95

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64K I²C 串行 EEPROM

型号：24LC64-I/ST 编号：C619690

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件被组织为一个具有两线串行接口的8K×8位单块存储器。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作

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1+
￥9.88
10+
￥8.12
30+
￥7.16

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64 Kbit I²C串行EEPROM

型号：24LC64-E/SM 编号：C616092

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24Xx64是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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￥10.24
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￥8.5
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具备128位序列号和增强型软件写保护功能的512 Kbit、3.4 MHz I²C串行EEPROM

型号：24CS512-E/SN 编号：C5883973

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CS512提供512 Kbit的串行EEPROM，采用具备3.4 MHz高速模式能力的I²C（两线制）串行接口。该器件组织形式为65,536个8位字节（64 Kbytes），针对需要可靠非易失性存储的消费类和工业应用进行了优化。24CS512允许多达8个器件共享一条通用I²C（两线制）总线，且能在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作

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￥11.82
10+
￥10
30+
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32KbitSPI串行EEPROM

型号：25AA320-I/SN 编号：C615252

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA320是一款32K位串行EEPROM，通过简单的SPI兼容串行总线访问。支持多种封装，包括PDIP、SOIC和TSSOP。适用于工业和汽车环境。

1+
￥12.34
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￥10.35
30+
￥9.11
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256-Kbit SPI总线低功耗串行SRAM

型号：23A256-I/SN 编号：C615089

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23A256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。

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1+
￥12.42
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SPI 串行 EEPROM

型号：AT25256B-XHL-B 编号：C1523847

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：与串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (VCC = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 64字节页模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 >4000V。高可靠性: -耐用性：100万次写循环。 -数据保留：100年。环保（无铅/无卤/符合RoHS标准）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

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1+
￥12.958 ￥13.64
10+
￥11.339 ￥13.34
30+
￥9.8475 ￥13.13
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1 Mbit，I2C兼容串行EEPROM

型号：AT24CM01-SHM-B 编号：C615468

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。

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1+
￥13.061 ￥35.3
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￥11.2998 ￥30.54
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￥10.2268 ￥27.64
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￥9.3277 ￥25.21

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64K SPI总线串行EEPROM

型号：25LC640A-E/SN 编号：C1349842

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640A/25LC640A（“25XX640A”）是 64 kbit 的串行电可擦除 PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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1+
￥13.31
10+
￥11.18
30+
￥9.86

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256K SPI总线串行EEPROM

型号：25LC256-I/P 编号：C511271

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

256K位串行EEPROM，通过SPI接口访问，支持2.5-5.5V供电，工业温度范围-40°C到+85°C。

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1+
￥14.1
10+
￥13.78
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8 Mbit SPI串行闪存

型号：SST25VF080B-50-4I-S2AF 编号：C80925

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品家族具备四线SPI兼容接口，可采用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面得到了优化。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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￥14.95
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￥12.64
30+
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带EUI-48和EUI-64标识符的16 Mbit串行四路I/O（SQI）闪存

型号：SST26VF016BEUI-104I/SN 编号：C631791

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入/输出（SQI）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016BEUI 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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1+
￥17.87
10+
￥17.41
30+
￥17.11

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512K I²C 串行CMOS EEPROM

型号：24LC515-I/P 编号：C613717

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA515/24LC515/24FC515（24xxx515*）是一款64K x 8（512K位）串行电可擦除PROM，能在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达64字节数据的页写入能力

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1+
￥18.7416 ￥49.32
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￥11.9476 ￥42.67
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￥6.9516 ￥38.62
120+
￥6.3396 ￥35.22

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SPI 串行 EEPROM

型号：AT25512N-SH-B 编号：C68030

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25512 提供 524,288 位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 65,536 个字，每个字 8 位。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要。该器件有节省空间的 8 引脚 JEDEC SOIC、8 引脚 TSSOP 和 8 焊盘 UDFN 封装可供选择

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1+
￥18.91
10+
￥15.92
30+
￥14.06

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128K SPI总线串行EEPROM

型号：25AA128-I/SN 编号：C1349794

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA128/25LC128（25xx128(1)）是128 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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1+
￥19.59
10+
￥16.85
30+
￥15.23

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16 Mb SPI串行闪存

型号：SST25VF016B-50-4C-S2AF 编号：C79951

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST的25系列串行闪存采用四线、兼容SPI的接口，从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装，并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件是增强型器件，与原有的SST25VFxxxA器件相比，提高了工作频率并降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。

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1+
￥19.84
10+
￥16.95
30+
￥15.23

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24FC512-I/MF

型号：24FC512-I/MF 编号：C612222

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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1+
￥20.69
10+
￥17.88
30+
￥15.59

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64 Mbit串行四路I/O闪存

型号：SST26VF064BT-104I/MN 编号：C629164

封装：WPDFN-8-EP(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入输出（SQI）系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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1+
￥24.3837 ￥24.63
10+
￥21.4312 ￥24.08
30+
￥18.7309 ￥23.71
100+
￥18.4465 ￥23.35

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16 Mbit（x16）多功能闪存增强版

型号：SST39WF1601-70-4I-B3KE 编号：C633409

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39WF1601/1602器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39WF1601/1602在1.65 - 1.95V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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1+
￥28.1645 ￥43.33
10+
￥20.614 ￥37.48
30+
￥15.2685 ￥33.93
100+
￥13.923 ￥30.94

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1024K I²C串行EEPROM

型号：24AA1026-I/P 编号：C613619

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1026/24LC1026/24FC1026（24XX1026*）是一款128K×8（1024 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

数据手册

1+
￥28.9591 ￥39.67
10+
￥24.4314 ￥38.78
30+
￥20.2407 ￥38.19
100+
￥19.928 ￥37.6

有货

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16Mbit 多功能闪存升级版

型号：SST39VF1681-70-4I-EKE 编号：C637390

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF168x 系列器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 2M x 8 CMOS 多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF168x 可在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

数据手册

1+
￥31.2995 ￥53.05
10+
￥22.491 ￥45.9
30+
￥16.2006 ￥41.54
100+
￥14.7732 ￥37.88

有货

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1024K I²C串行EEPROM

型号：24LC1026-E/SM 编号：C616084

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1026/24LC1026/24FC1026（24XX1026*）是一款128K×8（1024 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

数据手册

1+
￥34.5048 ￥52.28
10+
￥33.8976 ￥51.36
30+
￥33.495 ￥50.75
100+
￥33.0924 ￥50.14

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16Mbit/32Mbit多用途闪存增强版

型号：SST39VF1601-70-4C-B3KE 编号：C633375

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

数据手册

1+
￥35.8956 ￥60.84
10+
￥29.3069 ￥59.81
30+
￥22.2261 ￥56.99
100+
￥21.957 ￥56.3

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64Kbit工业级并行EEPROM，带页写和软件数据保护

型号：AT28C64B-15JU 编号：C613976

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT28C64B是一款高性能的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。其64K存储器组织为8,192字节x8位。该设备具有快速读取访问时间（150ns），自动页写操作（内部地址和数据锁存器支持64字节），低功耗（-40mA活动电流，100uA CMOS待机电流），硬件和软件数据保护，数据轮询和切换位用于写操作检测，高可靠性CMOS技术（耐久性：100,000次，数据保留：10年），单5V ± 10%电源，CMOS和TTL兼容输入和输出，JEDEC批准的8位宽引脚排列，工业温度范围，绿色（无铅/无卤素）封装选项。

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1+
￥38.33
10+
￥37.34
30+
￥36.69

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带有EUI-48和EUI-64标识符的64 Mbit串行四路I/O（SQI）闪存

型号：SST26VF064BEUI-104I/MF 编号：C637032

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入/输出（Serial Quad I/O™，SQI™）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064BEUI 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

数据手册

1+
￥39.3357 ￥69.01
10+
￥34.0347 ￥59.71
30+
￥30.8028 ￥54.04
100+
￥28.0896 ￥49.28

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