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首页 > 热门关键词 > 美国微芯存储器
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24XXX128是一款16K×8(128 Kbit)串行电可擦可编程只读存储器(EEPROM),能够在较宽的电压范围(1.7V至5.5V)内工作。
数据手册
  • 1+

    ¥13.07
  • 10+

    ¥11.14
  • 30+

    ¥9.93
  • 有货
  • AT24CM01提供1,048,576位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),组织为131,072个8位字。该设备的级联特性允许多达四个设备共享一个常见的两线总线。该设备适用于许多工业和商业应用,其中低功耗和低压操作是必需的。该设备提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8引脚SOIJ和8球WLCSP封装。所有封装均可在1.7V至5.5V范围内工作。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.21
    • 10+

      ¥11.11
    • 30+

      ¥9.79
  • 有货
  • 串行四路输入输出(Serial Quad I/O™,SQI™)系列闪存设备采用六线 4 位输入输出接口,可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016B 还支持与传统串行外设接口(Serial Peripheral Interface,SPI)协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小,最终可降低系统成本
    数据手册
    • 1+

      ¥13.34
    • 10+

      ¥11.32
    • 30+

      ¥10.06
  • 有货
  • 是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个具有2线串行接口的8K×8位单块内存。低电压设计允许低至1.7V的操作,待机和工作电流分别仅为1 μA和3 mA。它专为先进的低功耗应用而开发,如个人通信或数据采集。24Xx64还具有高达32字节数据的页写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备,寻址空间高达512 Kbits。24XX64有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。24Xx64也有5引脚SOT-23和芯片级封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.34
    • 10+

      ¥11.58
    • 30+

      ¥10.48
  • 有货
  • 25LC640A是一款64K位串行EEPROM,支持SPI接口。它具有低功耗CMOS技术,最大时钟频率为10MHz,工作电压范围为2.5V至5.5V,支持工业温度范围(-40°C至+85°C)。该设备具有32字节页写入功能,自定时擦除和写入周期,以及内置写保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.65
    • 10+

      ¥11.47
    • 30+

      ¥10.11
    • 100+

      ¥8.71
  • 有货
  • 25LC640是一款64Kbit SPI接口串行EEPROM,具有低功耗CMOS技术,支持3.3V至5.5V的工作电压,工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件支持高达2.5MHz的时钟频率,具有8192x8位组织结构,32字节页写保护,数据保留时间超过200年。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.6
    • 10+

      ¥12.41
    • 30+

      ¥11.04
  • 有货
  • 24AA515/24LC515/24FC515(24xxx515*)是一款64K x 8(512K位)串行电可擦除PROM,能在较宽的电压范围(1.7V至5.5V)内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达64字节数据的页写入能力
    数据手册
    • 1+

      ¥15.2892 ¥49.32
    • 10+

      ¥8.9607 ¥42.67
    • 60+

      ¥4.2482 ¥38.62
    • 120+

      ¥3.8742 ¥35.22
  • 有货
  • 25系列串行闪存产品家族具备四线SPI兼容接口,可采用低引脚数封装,占用更少的电路板空间,最终降低系统总成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面得到了优化。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造
    数据手册
    • 1+

      ¥15.35
    • 10+

      ¥13.03
    • 30+

      ¥11.58
  • 有货
  • 24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该器件采用两线串行接口,组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压
    数据手册
    • 1+

      ¥16.1247 ¥27.33
    • 10+

      ¥13.0928 ¥26.72
    • 30+

      ¥10.2609 ¥26.31
    • 100+

      ¥10.101 ¥25.9
  • 有货
  • 93LC76/86 是 8K 和 16K 低压串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。根据 ORG 引脚的设置,该器件的存储器可配置为 x8 或 x16 位。先进的 CMOS 技术使这些器件非常适合用于低功耗非易失性存储器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥16.77
    • 10+

      ¥14.37
    • 30+

      ¥12.87
  • 有货
  • 24AA256/24LC256/24FC256 是 32K x 8 (256Kbit) 的 I2C 兼容串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM),支持宽电压范围 (1.7V 至 5.5V)。具有页写功能,最多可写入 64 字节数据。支持高达 8 个设备的级联。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.62
    • 10+

      ¥15.94
    • 30+

      ¥14.34
  • 有货
  • 25系列串行闪存产品具备四线SPI兼容接口,可采用引脚数较少的封装,从而减少电路板占用空间,最终降低系统总体成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面均有提升。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造
    数据手册
    • 1+

      ¥18.66
    • 10+

      ¥15.7
    • 30+

      ¥13.84
  • 有货
  • 23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM,支持32字节页模式和顺序模式读写操作,具有低功耗CMOS技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.63
    • 10+

      ¥16.8
    • 30+

      ¥15.12
    • 100+

      ¥13.42
  • 有货
  • AT25512提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为65,536个8位字。该器件针对多种工业和商业应用进行了优化。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.51
    • 10+

      ¥17.55
    • 30+

      ¥15.8
  • 有货
  • SST的25系列串行闪存采用四线、兼容SPI的接口,从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装,并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件是增强型器件,与原有的SST25VFxxxA器件相比,提高了工作频率并降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.9
    • 10+

      ¥18.87
    • 30+

      ¥17.08
  • 有货
  • 串行四路输入输出(SQI)系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口,可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口(SPI)协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小,最终可降低系统成本
    数据手册
    • 1+

      ¥22.6596 ¥24.63
    • 10+

      ¥19.7456 ¥24.08
    • 30+

      ¥17.0712 ¥23.71
    • 100+

      ¥16.812 ¥23.35
  • 有货
  • SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型(MPF+)器件,采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥23.8784 ¥45.92
    • 10+

      ¥18.858 ¥44.9
    • 30+

      ¥14.1472 ¥44.21
    • 100+

      ¥13.9296 ¥43.53
  • 有货
  • SST39WF1601/1602器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M x 16 CMOS多用途闪存增强型(MPF+)器件。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39WF1601/1602在1.65 - 1.95V电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥25.1314 ¥43.33
    • 10+

      ¥17.9904 ¥37.48
    • 30+

      ¥12.8934 ¥33.93
    • 100+

      ¥11.7572 ¥30.94
  • 有货
  • 24AA1026/24LC1026/24FC1026(24XX1026*)是一款128K×8(1024 Kbit)串行电可擦除PROM,能够在较宽的电压范围(1.7V至5.5V)内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力
    数据手册
    • 1+

      ¥26.1822 ¥39.67
    • 10+

      ¥21.7168 ¥38.78
    • 30+

      ¥17.5674 ¥38.19
    • 100+

      ¥17.296 ¥37.6
  • 有货
  • SST39VF168x 系列器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 2M x 8 CMOS 多用途闪存增强型(MPF+)器件。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF168x 可在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥27.586 ¥53.05
    • 10+

      ¥19.278 ¥45.9
    • 30+

      ¥13.2928 ¥41.54
    • 100+

      ¥12.1216 ¥37.88
  • 有货
  • SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存(MPF),采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥30.18
    • 10+

      ¥25.82
    • 30+

      ¥22.26
  • 有货
  • 24AA1025/24LC1025/24FC1025(24xx1025*)是一款128K x 8(1024K位)串行电可擦除可编程只读存储器(PROM),能够在较宽的电压范围(1.7V至5.5V)内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力
    数据手册
    • 1+

      ¥31.885 ¥45.55
    • 10+

      ¥26.724 ¥44.54
    • 30+

      ¥21.93 ¥43.86
    • 100+

      ¥21.59 ¥43.18
  • 有货
  • 串行四路输入/输出(Serial Quad I/O™,SQI™)系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口,可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064BEUI 还支持与传统串行外设接口(Serial Peripheral Interface,SPI)协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小,最终可降低系统成本
    数据手册
    • 1+

      ¥36.5753 ¥69.01
    • 10+

      ¥25.6753 ¥59.71
    • 30+

      ¥17.8332 ¥54.04
    • 100+

      ¥16.2624 ¥49.28
  • 有货
  • 25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器,具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除指令。这些指令在进行字节或页写入操作时并非必需
    数据手册
    • 1+

      ¥38.0518 ¥62.38
    • 10+

      ¥27.5247 ¥53.97
    • 30+

      ¥20.0285 ¥48.85
    • 100+

      ¥18.2655 ¥44.55
  • 有货
  • 24AA1025/24LC1025/24FC1025(24xx1025*)是一款128K x 8(1024K位)串行电可擦除可编程只读存储器(PROM),能够在较宽的电压范围(1.7V至5.5V)内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力
    数据手册
    • 1+

      ¥50.07
    • 10+

      ¥43.32
    • 30+

      ¥39.21
  • 有货
  • 4M x16 CMOS高级多功能闪存增强型(Advanced MPF+)器件采用专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更好的可靠性和可制造性。这些器件在2.7 - 3.6V电源下进行写入(编程或擦除)操作,并且引脚分配符合JEDEC标准的x16存储器规范
    数据手册
    • 1+

      ¥53.2282 ¥71.93
    • 10+

      ¥44.6336 ¥69.74
    • 30+

      ¥37.6596 ¥69.74
  • 有货
  • SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型(MPF+)器件,采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入(编程或擦除)操作
    数据手册
    • 1+

      ¥59.68
    • 10+

      ¥50.98
    • 30+

      ¥45.68
  • 有货
  • AT28HC64B是一款高性能电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。其64K内存组织为8192个字,每个字8位。该器件采用先进的非易失性CMOS技术制造,访问时间可达55 ns,功耗仅为220 mW
    数据手册
    • 1+

      ¥62.9772 ¥80.74
    • 10+

      ¥52.4348 ¥77.11
    • 30+

      ¥41.0698 ¥70.81
    • 100+

      ¥37.8856 ¥65.32
  • 有货
  • 4M x16 CMOS高级多功能闪存增强型(Advanced MPF+)器件采用专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更好的可靠性和可制造性。这些器件在2.7 - 3.6V电源下进行写入(编程或擦除)操作,并且引脚分配符合JEDEC标准的x16存储器规范
    数据手册
    • 1+

      ¥65.494 ¥119.08
    • 10+

      ¥51.174 ¥113.72
    • 30+

      ¥36.554 ¥104.44
    • 100+

      ¥33.719 ¥96.34
  • 有货
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