美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT25512-TH-T 编号：C615979

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25512提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为65,536个8位字。该器件针对多种工业和商业应用进行了优化。

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型号：SST39VF401C-70-4I-EKE 编号：C637407

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF401C/402C 和 SST39LF401C/402C 器件是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 256K x16 CMOS 多用途闪存 Plus（MPF+）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39LF401C/402C 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF1601-70-4I-EKE 编号：C34469

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：25AA1024-I/P 编号：C1349235

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA1024是1024 Kbit串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能，还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能对于字节或页写入操作不是必需的。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。

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￥32.776 ￥48.2
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型号：24AA1025-I/P 编号：C613618

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：SST39VF1601-70-4I-B3KE 编号：C633376

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：24AA1026-I/SM 编号：C1349961

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1026/24LC1026/24FC1026（24XX1026*）是一款128K×8（1024 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：24FC01T-I/OT 编号：C2066032

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX01是一款1 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储组织为一个128×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：AT24C08C-PUM 编号：C111545

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04C和AT24C08C提供4096/8192位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为512/1024个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT24C04C/08C有节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装可供选择，并通过两线串行接口进行访问

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型号：AT24C16D-XHM-T 编号：C616768

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16D是一款16Kbit (2,048 x 8) 的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压操作 (1.7V至3.6V)，工业温度范围 (-40°C至+85°C)，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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型号：24AA02UID-I/SN 编号：C1349294

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02UID是一款2K位串行EEPROM，带有预编程的32位唯一序列号。该设备分为两个128x8位的内存块，支持I2C接口。

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型号：24AA025E64T-I/OT 编号：C616268

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64 (24AA02XEXX) 是 2 Kbit 电可擦除 PROM。该器件由两个 128x8 位存储器块组成，具有 2 线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，I-Temp. 下的最大待机电流仅为 1 μA，E-Temp. 下为 5 μA，最大工作电流为 1 mA。

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型号：93LC66AT-I/OT 编号：C511344

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

4Kbit低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像93AA66C、93LC66C或93C66C这类字可选器件，需依靠驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用8位通信，可选用93XX66A器件；而93XX66B器件则提供专用16位通信

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型号：AT24MAC402-SSHM-T 编号：C615975

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 256 × 8（2K）。工厂预编程 EUI-48 或 EUI-64 兼容地址。永久锁定，只读值存储在单独的存储区域。确保唯一的 EUI 地址。提供定制编程服务

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型号：AT24C02C-MAHM-T 编号：C616828

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128 × 8（1K）或256 × 8（2K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至5.5V

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型号：AT93C46D-TH-T 编号：C2061936

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C46D提供1,024位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为64个16位字(当ORG引脚连接到Vcc时)或128个8位字(当ORG引脚连接到GND时)。所有封装支持1.8V至5.5V的工作电压。

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型号：AT24CS32-SSHM-T 编号：C615972

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS32是一款32Kbit (4,096 x 8)的I2C兼容串行EEPROM，带有唯一工厂编程的128位序列号。支持1.7V至5.5V低电压操作，工业温度范围为-40°C至+85°C。具有32字节页写模式、超低功耗、1,000,000次写周期寿命和100年数据保留时间。

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型号：93AA46AE48T-I/OT 编号：C2060984

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93AA46AE48器件是一款1 Kbit低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），字长为8位。先进的CMOS技术使该器件非常适合用于低功耗非易失性存储器应用。93AA46AE48提供标准的8引脚SOIC和6引脚SOT - 23封装

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型号：AT24C32E-MAHM-T 编号：C2061285

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C32E是一款32Kbit（4,096 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至3.6V低电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有多种封装选项，包括8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8垫UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23、8球VFBGA和4球WLCSP。

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型号：24AA02/SN 编号：C1350480

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM。该设备由一个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1 mA。还具备高达8字节数据的页写入能力。

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型号：AT24C08C-MAHM-T 编号：C2060973

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 512 × 8 (4K) 或 1,024 × 8 (8K)。工业温度范围：-40℃ 至 +85℃。I²C 兼容（两线）串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

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型号：AT93C66B-XHM-B 编号：C619884

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C56B/AT93C66B 提供 2048/4096 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当 ORG 引脚连接到 VCC 时，其组织形式为 128/256 个 16 位字；当 ORG 引脚连接到 GND 时，则为 256/512 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的汽车应用进行了优化。AT93C56B/AT93C66B 采用节省空间的 8 引脚 SOIC 和 8 引脚 TSSOP 封装

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1+
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￥4.11
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型号：AT21CS01-MSHM10-T 编号：C618424

封装：XSFN-2(3.5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT21CS01是一款单线数字串行接口的1-Kbit EEPROM，具有独特的64位工厂编程序列号。它支持标准速度和高速模式，最高位速率分别为15.4 kbps和125 kbps。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

1+
￥5.06
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￥3.59

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型号：24AA025-I/SN 编号：C615109

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由一个256×8位的存储块组成。其低电压设计允许在低至1的电压下工作

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￥4.09
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型号：AT24CSW010-STUM-T 编号：C5224830

封装：TSOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CSW01X/AT24CSW02X 提供 1024/2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个 8 位字。该器件经过优化……

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型号：24LC08B-I/MS 编号：C1349195

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx08 是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256×8 位的存储块组成，并配备两线串行接口。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作

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型号：AT24C08C-STUM-T 编号：C461561

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04C/AT24C08C 是一款低电压操作的I2C兼容串行EEPROM，提供4Kbit (512 x 8) 和 8Kbit (1,024 x 8) 的存储容量。工业温度范围：-40°C 到 +85°C。

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型号：93C46B/SN 编号：C1348803

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

1Kbit 低电压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA46C、93LC46C 或 93C46C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，可使用 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 设备；而 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 设备提供专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备非常适合低功耗、非易失性存储器应用

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