美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

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型号：IS66WVH16M8BLL-100B1LI 编号：C1351217

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mbit HyperRAM是一款高速CMOS自刷新动态RAM，具有HyperBus接口。该设备支持非常低的信号计数，双数据速率传输，汽车温度范围操作，适用于移动和汽车应用。

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型号：IS65C1024AL-45TLA3-TR 编号：C6644108

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS66WVO16M8DALL-200BLI 编号：C17328860

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WVO16M8DALL/BLL 是一款128Mb的伪静态随机访问存储器，支持Octal Peripheral Interface协议，最大时钟频率为200MHz，支持双传输速率操作。工作温度范围包括工业级（-40°C至+85°C）、汽车级A2（-40°C至+105°C）和汽车级A3（-40°C至+125°C）。

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型号：IS62WV51216ALL-70BLI 编号：C1352777

封装：MBGA-48(7.2x8.7)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61LF12836EC-6.5TQLI-TR 编号：C2063955

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42SM16800H-75BLI 编号：C17496630

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM16800H-75BLI 是一款134,217,728位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。

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型号：IS42S16400F-5TL 编号：C20493396

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR 编号：C2063840

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16800F-7CTLA2-TR 编号：C2063907

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42SM32400H-6BLI 编号：C1352754

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

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