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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS64WV6416BLL 15TLA3 TR
型号：IS64WV6416BLL-15TLA3-TR 编号：C2063883
封装：TSOPII-44-10.2mm
品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS64WV3216BLL 15CTLA3 TR
    型号：IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR 编号：C2063868
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS64WV6416DBLL 10CTLA3 TR
    型号：IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR 编号：C2063859
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS45S16100H-7TLA2
    型号：IS45S16100H-7TLA2 编号：C17328877
    封装：TSOPII-50
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS45S16100H 是一款16Mb同步动态随机存取存储器，支持双bank操作，具有200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V电源，LVTTL接口，可编程突发长度和序列。

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    IS61WV12816EFBLL-10TLI
    型号：IS61WV12816EFBLL-10TLI 编号：C6883900
    封装：TSOPII-44
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS61WV25616EDBLL 8TLI TR
    型号：IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR 编号：C2063719
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS45S16800F 7TLA1 TR
    型号：IS45S16800F-7TLA1-TR 编号：C2064271
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS66WVE4M16TBLL 70BLI TR
    型号：IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR 编号：C2063835
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS65C1024AL 45QLA3 TR
    型号：IS65C1024AL-45QLA3-TR 编号：C2064050
    封装：SOP-32-11.3mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS45S16400J 6CTLA1
    型号：IS45S16400J-6CTLA1 编号：C1351900
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64 Mb Synchronous DRAM，组织为1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank，用于高性能3.3V内存系统。支持全同步操作，所有信号参考正时钟沿，具有可编程突发长度和自动刷新模式。
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    IS62WV25616EALL 55BLI TR
    型号：IS62WV25616EALL-55BLI-TR 编号：C2063838
    封装：VFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS65WV12816BLL 55TLA3 TR
    型号：IS65WV12816BLL-55TLA3-TR 编号：C2063462
    封装：TSOPII-44
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS66WVS2M8ALL-104NLI
    型号：IS66WVS2M8ALL-104NLI 编号：C17616307
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS64WV6416EEBLL 10CTLA3
    型号：IS64WV6416EEBLL-10CTLA3 编号：C1351892
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42SM16800H 6BLI TR
    型号：IS42SM16800H-6BLI-TR 编号：C2063515
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16800H-6BLI-TR 是一款134,217,728位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。
    数据手册

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    IS66WVC2M16ECLL 7010BLI
    型号：IS66WVC2M16ECLL-7010BLI 编号：C1351776
    封装：VFBGA-54(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS62WV2568FBLL-45BLI-TR
    型号：IS62WV2568FBLL-45BLI-TR 编号：C5772468
    封装：TFBGA-36(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS61WV6416BLL-12BLI-TR
    型号：IS61WV6416BLL-12BLI-TR 编号：C6211127
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS62WV5128EBLL 45BLI
    型号：IS62WV5128EBLL-45BLI 编号：C1348908
    封装：TFBGA-36(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS45S16400J 6CTLA1 TR
    型号：IS45S16400J-6CTLA1-TR 编号：C2065615
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR
    型号：IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR 编号：C6577490
    封装：TSOPII-44
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS61WV2568EDBLL 10BLI TR
    型号：IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR 编号：C2063612
    封装：TFBGA-36(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS62WV12816BLL-55B2LI
    型号：IS62WV12816BLL-55B2LI 编号：C6644086
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS66WVC4M16ECLL 7010BLI TR
    型号：IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 编号：C2064122
    封装：VFBGA-54(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS65C1024AL 45TLA3
    型号：IS65C1024AL-45TLA3 编号：C1351813
    封装：TSOP-32-18.4mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS42RM16800H 75BLI TR
    型号：IS42RM16800H-75BLI-TR 编号：C2063899
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16800H 是一种128Mb (2M x 16Bits x 4Banks) 的移动同步DRAM，具有完全同步操作，内部4个bank操作，自动刷新和自刷新等功能。
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    IS64WV6416BLL 15BLA3
    型号：IS64WV6416BLL-15BLA3 编号：C1351731
    封装：MBGA-48(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS65WV12816BLL 55BLA3 TR
    型号：IS65WV12816BLL-55BLA3-TR 编号：C2064285
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS61WV5128FBLL-10TLI-TR
    型号：IS61WV5128FBLL-10TLI-TR 编号：C6061618
    封装：TSOPII-44
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS61C25616AS 25TLI
    型号：IS61C25616AS-25TLI 编号：C1348978
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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