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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS37SML01G1 LLI TR
型号：IS37SML01G1-LLI-TR 编号：C2064012
封装：WSON-8-EP(6x8)
品牌：ISSI(美国芯成)
IS37SML01G1是一款1Gb SLC SPI-NAND Flash存储器，支持104MHz多I/O SPI接口。具有灵活高效的读写模式，支持SPI-Mode 0和SPI-Mode 3。内部ECC实现1位ECC，最高性能和高级安全保护。
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    IS34MW02G084 TLI
    型号：IS34MW02G084-TLI 编号：C1351162
    封装：TSOPI-48
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS34MW02G084-TLI是一款2Gb SLC NAND Flash存储器，支持4位ECC，具有灵活高效的读写模式，适用于工业级应用。
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    IS46DR16320E 25DBLA1
    型号：IS46DR16320E-25DBLA1 编号：C1352291
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS46DR16320E 25DBLA2 TR
    型号：IS46DR16320E-25DBLA2-TR 编号：C2063448
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS46R16160F 5BLA1 TR
    型号：IS46R16160F-5BLA1-TR 编号：C2064879
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS29GL032-70BLED
    型号：IS29GL032-70BLED 编号：C5741435
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS46R16160F 6TLA2 TR
    型号：IS46R16160F-6TLA2-TR 编号：C2063498
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS29GL032-70TLED-TR
    型号：IS29GL032-70TLED-TR 编号：C5772407
    封装：TFSOP-48-18.4mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS29GL032-70TLET-TR
    型号：IS29GL032-70TLET-TR 编号：C7211297
    封装：TFSOP-48-18.4mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25LP128F-JLLA3-TR
    型号：IS25LP128F-JLLA3-TR 编号：C5656619
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS37SML01G1-MLI-TY
    型号：IS37SML01G1-MLI-TY 编号：C17681575
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS37SML01G1是一款1Gb SLC SPI-NAND Flash存储器，支持104MHz多I/O SPI接口。具有灵活高效的读写模式，支持SPI-Mode 0和SPI-Mode 3。内部ECC实现1位ECC，最高性能和高级安全保护。

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    IS26KS128S DPBLI00
    型号：IS26KS128S-DPBLI00 编号：C1236839
    封装：VFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS34ML02G084 TLI TR
    型号：IS34ML02G084-TLI-TR 编号：C2063709
    封装：TSOPI-48
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS34ML02G084-TLI-TR 是一款2Gb SLC-4b ECC 3.3V x8 NAND Flash Memory，具有高效读写模式、命令/地址/数据多路复用I/O、自动页面读取、坏块保护、复制回写操作、EDO模式、双平面操作等功能。工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。
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    IS34MW02G084 TLI TR
    型号：IS34MW02G084-TLI-TR 编号：C2063702
    封装：TSOPI-48
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS34MW02G084-TLI-TR是一款2Gb SLC NAND Flash存储器，支持4位ECC，具有灵活高效的读写模式，适用于工业级应用。
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    IS43LR32400G-6BLI
    型号：IS43LR32400G-6BLI 编号：C1352125
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LR32400G 是 134,217,728 bits CMOS 移动双倍数据速率同步 DRAM，组织为 4 个 1,048,576 字 x 32 位的banks。该产品使用双数据率架构实现高速操作。数据输入/输出信号通过 32 位总线传输。
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    IS43R16320F 6BL TR
    型号：IS43R16320F-6BL-TR 编号：C2064688
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43LR16160G 6BL TR
    型号：IS43LR16160G-6BL-TR 编号：C2064683
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS25WP128F-JBLA3-TR
    型号：IS25WP128F-JBLA3-TR 编号：C6280173
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43R32400E 4BL
    型号：IS43R32400E-4BL 编号：C1352278
    封装：BGA-144(12x12)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43LR32800G 6BL TR
    型号：IS43LR32800G-6BL-TR 编号：C2064464
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43LR32800G 是一款高性能的移动DDR SDRAM，支持200MHz的最大时钟频率，具备自刷新、部分阵列自刷新和深度掉电模式等特性，适用于便携式设备和嵌入式系统。
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    IS43R16320F 6TLI TR
    型号：IS43R16320F-6TLI-TR 编号：C2064424
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43DR16160B-25DBL-TR
    型号：IS43DR16160B-25DBL-TR 编号：C17356800
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
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    IS25LP064-JMLE
    型号：IS25LP064-JMLE 编号：C19370479
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    IS43R16320F-6TL-TR
    型号：IS43R16320F-6TL-TR 编号：C17296118
    封装：TSSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS34ML01G084-BLI
    型号：IS34ML01G084-BLI 编号：C17398535
    封装：VFBGA-63(9x11)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS46DR16320E 3DBLA1
    型号：IS46DR16320E-3DBLA1 编号：C1352071
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R32400E 5BLI
    型号：IS43R32400E-5BLI 编号：C1352479
    封装：BGA-144(12x12)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS46DR16320E 3DBLA2 TR
    型号：IS46DR16320E-3DBLA2-TR 编号：C2064799
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R16320F 5BL TR
    型号：IS43R16320F-5BL-TR 编号：C2064766
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS25LP256H-JLLE-TR
    型号：IS25LP256H-JLLE-TR 编号：C5741412
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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