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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS42VM32200M 6BLI TR
型号：IS42VM32200M-6BLI-TR 编号：C2063633
封装：TFBGA-90(8x13)
品牌：ISSI(美国芯成)
64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。
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    IS25WX128-JHLA3-TR
    型号：IS25WX128-JHLA3-TR 编号：C21724715
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25WP064D-JBLA3-TR
    型号：IS25WP064D-JBLA3-TR 编号：C5772399
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LR32200C 6BLI TR
    型号：IS43LR32200C-6BLI-TR 编号：C2063378
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LR32200C是一款67,108,864位CMOS移动双倍数据速率同步DRAM，组织为4个banks，每个banks包含524,288个字×32位。该产品使用双数据率架构实现高速操作，数据输入/输出信号通过32位总线传输。
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    IS43DR81280C 25DBL
    型号：IS43DR81280C-25DBL 编号：C1348850
    封装：TWBGA-60(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    ISSI的1Gb DDR2 SDRAM，采用双数据率架构，支持高速数据传输。具有1.8V I/O接口，符合JEDEC标准，支持4n预取架构，内部包含8个独立的banks。
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    IS29GL064 70TLEB
    型号：IS29GL064-70TLEB 编号：C1236838
    封装：TSOPI-48
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    256/128Mb串行闪存存储器，八进制I/O，xSPI接口，带片上ECC，200MHz(1.8V)，133MHz(3.0V)
    型号：IS25LX128-JHLA3 编号：C22219567
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25WP128-JKLE-TR
    型号：IS25WP128-JKLE-TR 编号：C6211097
    封装：WSON-8(5x6)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS45S16100H 7BLA2 TR
    型号：IS45S16100H-7BLA2-TR 编号：C2063289
    封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS45S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围。
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    IS42SM32200M 6BLI TR
    型号：IS42SM32200M-6BLI-TR 编号：C2063353
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。
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    IS43R16800E 5TLI TR
    型号：IS43R16800E-5TLI-TR 编号：C2062904
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    高速、低引脚数八进制内存产品
    型号：IS25LX256-JHLE-TR 编号：C21247558
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    IS42SM32200M 75BLI
    型号：IS42SM32200M-75BLI 编号：C1351798
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。
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    IS43DR16160B 37CBL TR
    型号：IS43DR16160B-37CBL-TR 编号：C2063146
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS25LP256D RHLE TR
    型号：IS25LP256D-RHLE-TR 编号：C2063572
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42VM32200M 6BLI
    型号：IS42VM32200M-6BLI 编号：C1351762
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。
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    IS45S16160J 7BLA1 TR
    型号：IS45S16160J-7BLA1-TR 编号：C2063790
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS25LP128F-RMLE-TY
    型号：IS25LP128F-RMLE-TY 编号：C7290352
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LR32200C 6BLI
    型号：IS43LR32200C-6BLI 编号：C1351910
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LR32200C是一款67,108,864位CMOS移动双倍数据速率同步DRAM，组织为4个banks，每个banks包含524,288个字×32位。该产品使用双数据率架构实现高速操作，数据输入/输出信号通过32位总线传输。
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    IS42SM32200M 6BLI
    型号：IS42SM32200M-6BLI 编号：C1351688
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。
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    IS29GL064 70TLET
    型号：IS29GL064-70TLET 编号：C1236850
    封装：TSOPI-48
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42SM16800H 75BLI TR
    型号：IS42SM16800H-75BLI-TR 编号：C2063873
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16800H 是一种128Mb (2M x 16Bits x 4Banks) 的移动同步DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，具有完全同步操作，内部4个bank操作，自动刷新和自刷新等功能。
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    IS43DR81280C 3DBL
    型号：IS43DR81280C-3DBL 编号：C1350252
    封装：TWBGA-60(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    ISSI的1Gb DDR2 SDRAM，采用双数据率架构，支持高速数据传输。具有1.8V I/O接口，符合JEDEC标准，支持4n预取架构，内部包含8个独立的banks。
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    IS25WP128F-JLLE-TR
    型号：IS25WP128F-JLLE-TR 编号：C5741425
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25LP256D RMLE TR
    型号：IS25LP256D-RMLE-TR 编号：C2063380
    封装：SO-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43LR16800G 6BL TR
    型号：IS43LR16800G-6BL-TR 编号：C2063485
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LR16800G 是 134,217,728 bits CMOS Mobile Double Data Rate Synchronous DRAM，组织为 4 个banks，每个banks有 2,097,152 字 x 16 位。使用双数据速率架构实现高速操作，数据输入/输出信号通过 16 位总线传输。支持 64ms 刷新周期，1.8V 电源，自动刷新和自刷新功能，四内部banks并发操作，部分阵列自刷新等。
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    IS25WP064D-RHLA3-TR
    型号：IS25WP064D-RHLA3-TR 编号：C6577444
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25WP128-RMLE-TR
    型号：IS25WP128-RMLE-TR 编号：C6969449
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43R16160F 6BL TR
    型号：IS43R16160F-6BL-TR 编号：C2064302
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS25WP256D JMLE TR
    型号：IS25WP256D-JMLE-TR 编号：C2064319
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
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