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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS43DR16160B 25DBLI TR
型号：IS43DR16160B-25DBLI-TR 编号：C2064472
封装：TWBGA-84(8x12.5)
品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43TR81280A-15GBL
    型号：IS43TR81280A-15GBL 编号：C17240029
    封装：TWBGA-78(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mx8, 1Gb DDR3 SDRAM，支持高达933 MHz的数据传输速率，标准电压1.5V ± 0.075V，工业温度范围-40°C至85°C。

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    IS43DR16320E 25DBLI TR
    型号：IS43DR16320E-25DBLI-TR 编号：C2063660
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS46R16160F 6TLA1
    型号：IS46R16160F-6TLA1 编号：C1351623
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS43R32400E 5BL TR
    型号：IS43R32400E-5BL-TR 编号：C2063593
    封装：BGA-144(12x12)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS46DR16320E 25DBLA1 TR
    型号：IS46DR16320E-25DBLA1-TR 编号：C2063810
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43DR16160B 37CBLI
    型号：IS43DR16160B-37CBLI 编号：C1349112
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R16320F 6TL
    型号：IS43R16320F-6TL 编号：C1349124
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS34ML01G081 TLI TR
    型号：IS34ML01G081-TLI-TR 编号：C2063635
    封装：TSOPI-48
    品牌：ISSI(美国芯成)
    1Gb x8 3.3V NAND FLASH MEMORY with 1b ECC，具有高效读写模式、命令/地址/数据复用I/O、灵活的内存架构和高级安全保护功能。
    数据手册

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    IS43LR32400G 6BLI TR
    型号：IS43LR32400G-6BLI-TR 编号：C2063742
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LR32400G 是 134,217,728 bits CMOS 移动双倍数据速率同步 DRAM，组织为 4 个 1,048,576 字 x 32 位的banks。该产品使用双数据率架构实现高速操作。数据输入/输出信号通过 32 位总线传输。
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    IS25WX256-JHLA3
    型号：IS25WX256-JHLA3 编号：C21582084
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS46R16160F 5TLA1
    型号：IS46R16160F-5TLA1 编号：C1353076
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS37SML01G1 MLI
    型号：IS37SML01G1-MLI 编号：C1351501
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS37SML01G1是一款1Gb SLC SPI-NAND Flash存储器，支持104MHz多I/O SPI接口。具有灵活高效的读写模式，支持SPI-Mode 0和SPI-Mode 3。内部ECC实现1位ECC，最高性能和高级安全保护。
    数据手册

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    IS25LP064-JBLE
    型号：IS25LP064-JBLE 编号：C19562815
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LR32400G 6BL
    型号：IS43LR32400G-6BL 编号：C1351473
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LR32400G 是 134,217,728 bits CMOS 移动双倍数据速率同步 DRAM，组织为 4 个 1,048,576 字 x 32 位的banks。该产品使用双数据率架构实现高速操作。数据输入/输出信号通过 32 位总线传输。
    数据手册

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    IS46DR16320E 3DBLA1 TR
    型号：IS46DR16320E-3DBLA1-TR 编号：C2065403
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS25LP128F-RHLA3
    型号：IS25LP128F-RHLA3 编号：C5741396
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS29LV032T-70TLI
    型号：IS29LV032T-70TLI 编号：C19622378
    封装：TSOP-48
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS39LV040-70JCE
    型号：IS39LV040-70JCE 编号：C19368071
    封装：PLCC-32(11.4x14)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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      ￥34.89

    • 192+

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    IS43R32400E 4BL TR
    型号：IS43R32400E-4BL-TR 编号：C2063601
    封装：BGA-144(12x12)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS43TR16640C-125JBL-TR
    型号：IS43TR16640C-125JBL-TR 编号：C17672180
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43TR16640C-125JBL-TR是一款64Mx16 DDR3 SDRAM，支持1.5V供电，时序为10-10-10。适用于工业级应用，具有低功耗模式、自刷新模式和写入恢复时间等功能。

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    IS43TR16640CL-125JBL-TR
    型号：IS43TR16640CL-125JBL-TR 编号：C17475310
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mx8, 64Mx16 1Gb DDR3L SDRAM，支持1.35V供电，具有高速数据传输速率，部分阵列自刷新，异步复位引脚，TDQS支持最高1600MHz

    • 1+

      ￥35.32

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      ￥14.09

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    IS34ML01G084 TLI TR
    型号：IS34ML01G084-TLI-TR 编号：C2063638
    封装：TSOPI-48
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS46R16160F 6BLA1 TR
    型号：IS46R16160F-6BLA1-TR 编号：C2063387
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS43DR16320D-25DBL
    型号：IS43DR16320D-25DBL 编号：C17390120
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43DR16320D-3DBL
    型号：IS43DR16320D-3DBL 编号：C17595490
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥35.45

    • 209+

      ￥14.15

    • 418+

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    IS43R32400E 5BLI TR
    型号：IS43R32400E-5BLI-TR 编号：C2065344
    封装：BGA-144(12x12)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥35.63

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    IS25WP064-JBLE
    型号：IS25WP064-JBLE 编号：C19520403
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25WP128F-RHLA3
    型号：IS25WP128F-RHLA3 编号：C6644034
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43DR86400E 3DBLI TR
    型号：IS43DR86400E-3DBLI-TR 编号：C2063492
    封装：TWBGA-60(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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