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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS46DR16640C 25DBLA1 TR
型号：IS46DR16640C-25DBLA1-TR 编号：C2064225
封装：TWBGA-84(8x12.5)
品牌：ISSI(美国芯成)
16Mx16 DDR2 SDRAM，支持5-5-5速度等级，工作电压1.8V，适用于汽车温度范围（-40°C至+85°C）。
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    IS43R16320F 6BLI TR
    型号：IS43R16320F-6BLI-TR 编号：C2064227
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS25LP256D-RMLE-TY
    型号：IS25LP256D-RMLE-TY 编号：C7290354
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS46DR16160B 3DBLA1
    型号：IS46DR16160B-3DBLA1 编号：C1351947
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43DR86400E-25DBL-TR
    型号：IS43DR86400E-25DBL-TR 编号：C17569653
    封装：TWBGA-60(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43DR86400E-3DBL-TR
    型号：IS43DR86400E-3DBL-TR 编号：C17499849
    封装：TWBGA-60(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS46DR16320E 25DBLA2
    型号：IS46DR16320E-25DBLA2 编号：C1353155
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS34MW01G164 BLI
    型号：IS34MW01G164-BLI 编号：C1348857
    封装：VFBGA-63(9x11)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS34MW01G164-BLI 是一款1Gb的NAND FLASH存储器，支持4位ECC，工作电压为1.8V，提供63球VFBGA封装。适用于工业级应用，工作温度范围为-40°C至+85°C。
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    IS43R16320F 6BL
    型号：IS43R16320F-6BL 编号：C1351898
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS34MW01G084-BLI
    型号：IS34MW01G084-BLI 编号：C17191586
    封装：VFBGA-63(9x11)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS34MW01G084-BLI 是一款1Gb的NAND FLASH存储器，支持4位ECC，工作电压为1.8V，提供63球VFBGA封装。适用于工业级应用，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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    IS25LP256H-RHLE-TR
    型号：IS25LP256H-RHLE-TR 编号：C7211275
    封装：TFBGA-24(6x8)
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    IS25LP256E-RHLE-TR
    型号：IS25LP256E-RHLE-TR 编号：C6577429
    封装：TFBGA-24(6x8)
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    IS43R86400F-6TL-TR
    型号：IS43R86400F-6TL-TR 编号：C17616308
    封装：TSSOP-66-10.2mm
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    IS43TR16128C 125KBL TR
    型号：IS43TR16128C-125KBL-TR 编号：C2064018
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R16160D-5TL-TR
    型号：IS43R16160D-5TL-TR 编号：C17232570
    封装：TSSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25LP256E-RMLE-TR
    型号：IS25LP256E-RMLE-TR 编号：C6577430
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43R32800D 5BL TR
    型号：IS43R32800D-5BL-TR 编号：C2064053
    封装：BGA-144(12x12)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R16320F 5BLI TR
    型号：IS43R16320F-5BLI-TR 编号：C2064188
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R16800E-6TLI-TR
    型号：IS43R16800E-6TLI-TR 编号：C17334853
    封装：TSSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43R86400E 6BL TR
    型号：IS43R86400E-6BL-TR 编号：C2064071
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS43TR16640C-125JBLI-TR
    型号：IS43TR16640C-125JBLI-TR 编号：C17239498
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64M x 16 1.5V DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，兼容1.5V和1.35V低电压操作。

    • 1+

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    IS46DR16320E 3DBLA2
    型号：IS46DR16320E-3DBLA2 编号：C1351862
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R16320F 5TLI
    型号：IS43R16320F-5TLI 编号：C1351946
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS43TR16128D 107MBL
    型号：IS43TR16128D-107MBL 编号：C1349473
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43TR16128D, IS43TR16128DL 是 256Mx8 和 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM，支持标准电压 1.5V 和低电压 1.35V。具有高速数据传输速率，系统频率高达 1866MHz。支持 8 个内部banks并发操作，具有自动预充电和部分阵列自刷新功能。
    数据手册

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    IS43R86400F 6BL
    型号：IS43R86400F-6BL 编号：C1352807
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R86400F 6TLI
    型号：IS43R86400F-6TLI 编号：C1351939
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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      ￥43.32

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    IS43R16320D-5BL
    型号：IS43R16320D-5BL 编号：C17430734
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43R16320D-5BL 是一款512Mb DDR SDRAM，支持双数据速率架构，实现高速数据传输。它具有四组128Mb的内部存储阵列，支持SSTL_2兼容I/O，适用于多种数据宽度（8位、16位和32位）。该器件支持自动刷新和自刷新模式，适用于商业温度范围。

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    IS46R16160F 6BLA2 TR
    型号：IS46R16160F-6BLA2-TR 编号：C2064026
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43DR86400E 3DBLI
    型号：IS43DR86400E-3DBLI 编号：C1349044
    封装：TWBGA-60(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS43LR32800G 6BL
    型号：IS43LR32800G-6BL 编号：C1352423
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43LR32800G 是一款高性能的移动DDR SDRAM，支持200MHz的最大时钟频率，具备自刷新、部分阵列自刷新和深度掉电模式等特性，适用于便携式设备和嵌入式系统。
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