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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS42S83200J 6TL TR
型号：IS42S83200J-6TL-TR 编号：C2065081
封装：TSOPII-54-10.2mm
品牌：ISSI(美国芯成)
数据手册

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    IS42SM16400M 75BLI TR
    型号：IS42SM16400M-75BLI-TR 编号：C2063551
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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    IS25LP064A-JMLE-TR
    型号：IS25LP064A-JMLE-TR 编号：C6640096
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LR32100D 6BLI TR
    型号：IS43LR32100D-6BLI-TR 编号：C2063375
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS42VM16400M 6BLI TR
    型号：IS42VM16400M-6BLI-TR 编号：C2063384
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42VM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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    128Mb 3V 串行闪存存储器，具备 133MHz 多 I/O SPI 和 Quad I/O QPI DTR 接口
    型号：IS25LX128-JHLE 编号：C21582083
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42SM16400M 6BLI TR
    型号：IS42SM16400M-6BLI-TR 编号：C2063254
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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    16Mb 同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16100E-7BLI-TR 编号：C20517012
    封装：60-TFBGA (6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LR32100D 6BLI
    型号：IS43LR32100D-6BLI 编号：C1351660
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS43R83200F 5TL
    型号：IS43R83200F-5TL 编号：C1351644
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R16160F 5TLI
    型号：IS43R16160F-5TLI 编号：C1351646
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43LR16400C 6BLI TR
    型号：IS43LR16400C-6BLI-TR 编号：C2064028
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LR16400C是一款67,108,864位CMOS移动双数据速率同步DRAM，组织为4个banks，每个banks包含1,048,576个字×16位。它使用双数据率架构实现高速操作，支持JEDEC标准1.8V电源供电，最大时钟频率可达166MHz。
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    16Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16100F-7BL 编号：C20516504
    封装：60-TFBGA (6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25LP128F-RHLA3-TR
    型号：IS25LP128F-RHLA3-TR 编号：C6883836
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    16Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16100F-6BLI-TR 编号：C20517305
    封装：60-TFBGA (6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    16Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16100F-7BLI-TR 编号：C20514820
    封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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      ￥23.56

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      ￥8.94
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    IS42S83200J 6TL
    型号：IS42S83200J-6TL 编号：C1351653
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43DR16640C 3DBL
    型号：IS43DR16640C-3DBL 编号：C1351977
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    ISSI的1Gb DDR2 SDRAM，采用双数据率架构，支持高速数据传输。具有1.8V I/O接口，符合JEDEC标准，支持4n预取架构，内部包含8个独立的banks。
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    IS45S16100H 7BLA1
    型号：IS45S16100H-7BLA1 编号：C1351654
    封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS45S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围。
    数据手册

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    IS42VM16400M 6BLI
    型号：IS42VM16400M-6BLI 编号：C1351602
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42VM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

    • 1+

      ￥23.86

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    IS25LX128-JHLA3-TR
    型号：IS25LX128-JHLA3-TR 编号：C21370576
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25WP064D-RHLA3
    型号：IS25WP064D-RHLA3 编号：C6969448
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42SM16400M 6BLI
    型号：IS42SM16400M-6BLI 编号：C1353477
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

    • 1+

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    IS46TR16128CL 125KBLA1
    型号：IS46TR16128CL-125KBLA1 编号：C1351985
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS42S83200J 6TLI TR
    型号：IS42S83200J-6TLI-TR 编号：C2063527
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥24.3

    • 200+

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    预售商品
    512Mb串行闪存存储器166/133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口
    型号：IS25LP512M-RGLE 编号：C20489119
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    预售商品
    IS42SM32200M 75BLI TR
    型号：IS42SM32200M-75BLI-TR 编号：C2065780
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。
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    16Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS45S16100H-7TLA1-TR 编号：C17490419
    封装：TSOPII-50
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS45S16100H 是一款16Mb同步动态随机存取存储器，支持双bank操作，具有200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V电源，LVTTL接口，可编程突发长度和序列。

    • 1+

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    IS43LR16400C 6BLI
    型号：IS43LR16400C-6BLI 编号：C1351722
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LR16400C是一款67,108,864位CMOS移动双数据速率同步DRAM，组织为4个banks，每个banks包含1,048,576个字×16位。它使用双数据率架构实现高速操作，支持JEDEC标准1.8V电源供电，最大时钟频率可达166MHz。
    数据手册

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    16Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16100F-7BLI 编号：C20515750
    封装：60-TFBGA (6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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