美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

IS43/46LR16800G 是 134,217,728 bits CMOS Mobile Double Data Rate Synchronous DRAM，组织为 4 个banks，每个banks有 2,097,152 字 x 16 位。使用双数据速率架构实现高速操作，数据输入/输出信号通过 16 位总线传输。支持 64ms 刷新周期，1.8V 电源，自动刷新和自刷新功能，四内部banks并发操作，部分阵列自刷新等。

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型号：IS43R16160F-5BLI 编号：C1349685

封装：TFBGA-60(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43R83200F-6TLI 编号：C1351195

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WP128F-JLLE 编号：C6062501

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WX128-JHLA3 编号：C22055301

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WP128F-RHLE-TR 编号：C6062503

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WP128F-RMLE-TY 编号：C6883841

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25LP064-JKLE 编号：C19622627

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS46R16160F-6TLA1-TR 编号：C2064040

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WP128F-RHLE 编号：C6969450

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43R16160F-5BLI-TR 编号：C2063976

封装：TFBGA-60(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43TR16640C-107MBLI 编号：C1236840

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mx8 DDR3 SDRAM，标准电压1.5V，低电压1.35V，部分自刷新，后向兼容1.5V，异步复位引脚，高速数据传输速率，8个内部bank，可编程的CAS延迟，工作温度范围：工业级-40°C至95°C

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型号：IS43LR32400G-6BL-TR 编号：C2063802

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43/46LR32400G 是 134,217,728 bits CMOS 移动双倍数据速率同步 DRAM，组织为 4 个 1,048,576 字 x 32 位的banks。该产品使用双数据率架构实现高速操作。数据输入/输出信号通过 32 位总线传输。

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型号：IS25LX256-JHLA3-TR 编号：C21909379

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43LR16800G-6BL 编号：C1351482

封装：TFBGA-60(8x10)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43/46LR16800G 是 134,217,728 bits CMOS Mobile Double Data Rate Synchronous DRAM，组织为 4 个banks，每个banks有 2,097,152 字 x 16 位。使用双数据速率架构实现高速操作，数据输入/输出信号通过 16 位总线传输。支持 64ms 刷新周期，1.8V 电源，自动刷新和自刷新功能，四内部banks并发操作，部分阵列自刷新等。

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