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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS43LR16200D 6BLI TR
型号：IS43LR16200D-6BLI-TR 编号：C2063676
封装：TFBGA-60(8x10)
品牌：ISSI(美国芯成)
IS43/46LR16200D 是一款双数据率架构的移动DDR SDRAM，支持高速操作。它具有两个内部banks，支持自动预充电和自刷新功能，最大时钟频率可达166MHz。
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    IS43R16800E 5TL
    型号：IS43R16800E-5TL 编号：C1351348
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS25LX128-JHLE-TR
    型号：IS25LX128-JHLE-TR 编号：C21687341
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25WP032D-JLLE-TR
    型号：IS25WP032D-JLLE-TR 编号：C7290378
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43R16160F 5TLI TR
    型号：IS43R16160F-5TLI-TR 编号：C2065064
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42VM16400M 75BLI TR
    型号：IS42VM16400M-75BLI-TR 编号：C2063517
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42VM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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    IS43LR16200D 6BLI
    型号：IS43LR16200D-6BLI 编号：C1351509
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LR16200D 是一款双数据率架构的移动DDR SDRAM，支持高速操作。它具有两个内部banks，支持自动预充电和自刷新功能，最大时钟频率可达166MHz。
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    IS43TR16128CL 15HBLI
    型号：IS43TR16128CL-15HBLI 编号：C1351817
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R83200F 5TL TR
    型号：IS43R83200F-5TL-TR 编号：C2065384
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS25WX128-JHLE-TR
    型号：IS25WX128-JHLE-TR 编号：C21468217
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    型号：IS25WP064A-RHLE 编号：C5772397
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    IS25LP064A JLLE TR
    型号：IS25LP064A-JLLE-TR 编号：C2062510
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    型号：IS43R83200F-6TL 编号：C1352892
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    IS43R16160F 6BLI
    型号：IS43R16160F-6BLI 编号：C1349036
    封装：TFBGA-60(8x13)
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    IS42S83200J 6TL TR
    型号：IS42S83200J-6TL-TR 编号：C2065081
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42SM16400M 75BLI TR
    型号：IS42SM16400M-75BLI-TR 编号：C2063551
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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    IS25LP064A-JMLE-TR
    型号：IS25LP064A-JMLE-TR 编号：C6640096
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LR32100D 6BLI TR
    型号：IS43LR32100D-6BLI-TR 编号：C2063375
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42VM16400M 6BLI TR
    型号：IS42VM16400M-6BLI-TR 编号：C2063384
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42VM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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    IS25LX128-JHLE
    型号：IS25LX128-JHLE 编号：C21582083
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42SM16400M 6BLI TR
    型号：IS42SM16400M-6BLI-TR 编号：C2063254
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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    IS42S16100E-7BLI-TR
    型号：IS42S16100E-7BLI-TR 编号：C20517012
    封装：60-TFBGA (6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LR32100D 6BLI
    型号：IS43LR32100D-6BLI 编号：C1351660
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R83200F 5TL
    型号：IS43R83200F-5TL 编号：C1351644
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R16160F 5TLI
    型号：IS43R16160F-5TLI 编号：C1351646
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43LR16400C 6BLI TR
    型号：IS43LR16400C-6BLI-TR 编号：C2064028
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LR16400C是一款67,108,864位CMOS移动双数据速率同步DRAM，组织为4个banks，每个banks包含1,048,576个字×16位。它使用双数据率架构实现高速操作，支持JEDEC标准1.8V电源供电，最大时钟频率可达166MHz。
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    IS42S16100F-7BL
    型号：IS42S16100F-7BL 编号：C20516504
    封装：60-TFBGA (6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25LP128F-RHLA3-TR
    型号：IS25LP128F-RHLA3-TR 编号：C6883836
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16100F-6BLI-TR
    型号：IS42S16100F-6BLI-TR 编号：C20517305
    封装：60-TFBGA (6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16100F-7BLI-TR
    型号：IS42S16100F-7BLI-TR 编号：C20514820
    封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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