美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS42S16320F-7BLI 编号：C1350489

封装：TFBGA-54(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥70.05
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￥59.94
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￥53.79
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型号：IS42S32160F-7BLI 编号：C2064441

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM（536,870,912位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址

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￥74.3
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型号：IS42S16320F-6TLI 编号：C1352204

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，高速CMOS动态随机存取存储器，支持3.3V VDD/VDDQ，具有内部四bank结构和同步接口，适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。

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￥74.54
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￥61.88
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￥55.75
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￥50.62

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型号：IS64WV25616BLL-10CTLA3 编号：C6280245

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥76.19
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￥65.92
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￥59.66
135+
￥54.41

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型号：IS61NLP51236B-200B3LI 编号：C1349330

封装：TFBGA-165(13x15)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥62.34

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型号：IS22ES08G-JCLA1 编号：C1236828

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥82.26
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￥78.32
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￥71.49
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￥65.53

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型号：IS43QR16256B-083RBLI 编号：C1350209

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥163.792167
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￥136.493472

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型号：IS34ML04G081-TLI 编号：C17364552

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS34ML04G081-TLI是一款4Gb的NAND Flash存储器，支持1位ECC纠错，工作电压为3.3V，具备灵活高效的读写模式和高级安全保护功能。

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￥92.08
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￥87.6
30+
￥79.85
96+
￥73.08

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型号：IS61WV10248EEBLL-10TLI 编号：C6644072

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥99.84
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￥39.84
540+
￥38.51
945+
￥37.85

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型号：IS46TR16256B-125KBLA1-TR 编号：C17356730

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有低功耗模式，适用于商业、工业和汽车应用。

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￥106.08
200+
￥42.33
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￥40.22

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型号：IS43TR81024BL-125KBLI 编号：C1236873

封装：TWBGA-78(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR81024BL-125KBLI 是一款512Mx16的DDR3L SDRAM，支持1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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￥107.16
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￥95.19
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￥86.77
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型号：IS46TR16256B-125KBLA1 编号：C17390164

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有低功耗模式，适用于商业、工业和汽车应用。

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￥109.66
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￥106.32

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型号：IS43TR16256B-107MBLI 编号：C1349392

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256B-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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￥114.25
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￥110.77

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型号：IS43QR16512A-083TBLI 编号：C5119924

封装：TFBGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

这款8Gbit DDR4 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，其内部组织为8个存储体（x16配置下有2个存储体组，每组4个存储体；x8配置下有4个存储体组，每组4个存储体）。DDR4 SDRAM采用8n预取架构以实现高速运行。该8n预取架构与一个接口相结合，该接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字

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￥116.31
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￥103.74
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￥94.88
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型号：IS43TR16128B-15HBLI 编号：C5803544

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mx16 DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有系统兼容性，低功耗，自刷新功能，部分阵列自刷新，可编程延迟，多种工作模式。

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￥118.15
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￥112.04

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型号：IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR 编号：C2064913

封装：TFBGA-165(13x15)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥122.06
200+
￥47.24
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￥45.58
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型号：IS43LD32128C-18BLI 编号：C19673746

封装：FBGA

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥131.73
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￥125.97
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￥116.01
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型号：IS42S32160F-7TLI 编号：C2930998

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。

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￥132.7
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￥118.01
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￥107.66
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型号：IS61NLP25636A-200TQLI 编号：C1349139

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

9 Meg “NLP/NVP” 产品系列具备高速、低功耗同步静态随机存取存储器（SRAM），旨在为网络和通信应用提供可突发、高性能、“无等待”状态的器件。它们的组织形式为 256K 字×36 位和 512K 字×18 位，采用 ISSI 的先进 CMOS 技术制造。该系列产品具备 “无等待” 状态特性，当总线从读操作切换到写操作，或从写操作切换到读操作时，可消除等待周期

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￥145.31
200+
￥56.24
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￥54.26
1000+
￥53.28

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型号：IS61WV51216EEBLL-10BLI 编号：C1351916

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥87.84
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￥86.4
50+
￥82.8
100+
￥80.64
200+
￥79.2

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型号：IS21ES08G-JCLI 编号：C1351346

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥152.07
30+
￥145.41

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型号：IS22EF04GP-JQLA2 编号：C39643802

封装：LFBGA-100(14x18)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥236.14
30+
￥225.35

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型号：IS21TF16G-JCLI 编号：C17441928

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI IS21TF16G-JCLI是一款16GB的eMMC 5.1存储器，支持TLC NAND技术。它适用于工业应用，支持高速数据传输和多种数据保护功能。

1+
￥240.14
30+
￥228.91

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型号：IS43TR16K01S2AL-125KBLI 编号：C7603972

封装：LWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥329.47
30+
￥314.06

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我要订货

型号：IS21ES04G-JCLI 编号：C1349603

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥679.47
30+
￥651.02

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型号：IS41LV16100D-50TLI 编号：C1352186

封装：TSOP-50-4.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS41LV16100D 是一款 1,048,576x 16-bit 高性能 CMOS 动态随机存取存储器。支持 EDO 页面模式，具有自刷新模式和扩展数据输出页面模式。适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。

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￥28.49
10+
￥25.17
30+
￥22.08
100+
￥20.08
500+
￥19.16
1000+
￥18.74

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型号：IS66WVH16M8ALL-166B1LI 编号：C1348887

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mbit HyperRAM是一款高速CMOS自刷新动态RAM，具有HyperBus接口。该设备支持非常低的信号计数，双数据速率传输，汽车温度范围操作，适用于移动和汽车应用。

数据手册

1+
￥37.16
10+
￥31.8
30+
￥28.61
100+
￥25.39
480+
￥23.91
960+
￥23.24

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型号：IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR 编号：C17295843

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WVO16M8DALL/BLL 是一款128Mb的伪静态随机访问存储器，支持Octal Peripheral Interface协议，最大时钟频率为200MHz，支持双传输速率操作。工作温度范围包括工业级（-40°C至+85°C）、汽车级A2（-40°C至+105°C）和汽车级A3（-40°C至+125°C）。

1+
￥52.75
10+
￥51.57
30+
￥50.78
100+
￥50

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型号：IS61WV102416FBLL-10BLI 编号：C1352207

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、16M 位静态随机存取存储器，组织为 1024K 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当 CS# 为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP（I 型）、48 引脚微型 BGA（6mm x 8mm）和 54 引脚 TSOP（II 型）封装。

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1+
￥88.62
10+
￥85.79

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型号：IS61WV51216BLL-10MLI 编号：C1348785

封装：TFBGA-48(9x11)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥78.34
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