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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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停产 采用多I/O SPI接口的3V四路串行闪存
型号：IS25LQ040B-JNLE-TR 编号：C2062745
封装：SOIC-8
品牌：ISSI(美国芯成)
IS25LQ040B/020B/010B/512B/025B（4M/2M/1M/512K/256K位）串行闪存为用户提供了一种兼具灵活性和高性能的存储解决方案，采用简化引脚封装。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双路和四路模式下还可作为多功能I/O引脚。IS25xQ系列闪存非常适合用于代码映射到RAM、原地执行（XIP）操作以及存储非易失性数据
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  • 360+

    ￥4.843895

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IS61C256AL 12JLI
型号：IS61C256AL-12JLI 编号：C1349797
封装：SOJ-28
品牌：ISSI(美国芯成)
IS61C256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达10 ns
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    停产 128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400F-7BLI 编号：C1352115
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。
    数据手册

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    256Mb同步动态随机存取存储器，高速数据传输，可编程突发长度和序列
    型号：IS42S16160G-6BLI 编号：C7494652
    封装：BGA-54
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。

    • 1+

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    IS42S16400J 5TL
    型号：IS42S16400J-5TL 编号：C1353177
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64 Mb Synchronous DRAM，组织为1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank，用于高性能3.3V内存系统。支持全同步操作，所有信号参考正时钟沿，具有可编程突发长度和自动刷新模式。
    数据手册

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    IS25LP128 JMLE
    型号：IS25LP128-JMLE 编号：C1348949
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS25WP256D JMLE
    型号：IS25WP256D-JMLE 编号：C1349861
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS25LP512M RMLE
    型号：IS25LP512M-RMLE 编号：C1350491
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42S81600F 6TL
    型号：IS42S81600F-6TL 编号：C1351347
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 商业级温度范围 0°C 到 +70°C。
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    IS42S16400J 6TL
    型号：IS42S16400J-6TL 编号：C1350840
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb SDRAM，1兆位 x 16位 x 4个bank，3.3V供电，支持多种时钟频率，内部4个bank可隐藏行访问/预充电周期，提供无缝高速随机访问操作。
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    128K X 8高速CMOS静态RAM
    型号：IS61C1024AL-12JLI 编号：C412832
    封装：SOJ-32
    品牌：ISSI(美国芯成)
    是非常高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态RAM。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CE1为高电平或CE2为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，通过使用CMOS输入电平可降低功耗。通过使用两个芯片使能输入CE1和CE2，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。有32引脚300密耳SOJ、32引脚400密耳SOJ、32引脚TSOP（I型，8x20）和32引脚sTSOP（I型，8x13.4）封装。
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    IS42S16400J-7BLI
    型号：IS42S16400J-7BLI 编号：C3033373
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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      ￥12.9272

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      ￥10.9384
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    停产 128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400F-6TL 编号：C413752
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。
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      ￥29.487076
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    停产 256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16160J-6TLI 编号：C91278
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD和3.3V VDDQ存储系统中运行，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。每个67,108,864位的存储体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。该SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号都在时钟信号CLK的上升沿进行寄存。所有输入和输出都与LVTTL兼容
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    • 1+

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    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16800F-6TL 编号：C1351329
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 商业级温度范围 0°C 到 +70°C。
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    • 1+

      ￥31.97

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    • 100+

      ￥30.23
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    停产 128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400F-6TLI 编号：C108951
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    32位SDRAM,128Mb(16MB,4Mbx32),3.3v工业级-40°C~85°C,同MT48LC4M32B2P-7IT,MT48LC2M32B2P,W9864G2JH,W9812G2GH
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    • 40+

      ￥46.991843

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      ￥43.437837

    • 1000+

      ￥39.982555
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    停产 IS42S16160G-7TLI
    型号：IS42S16160G-7TLI 编号：C427371
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。
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    • 1+

      ￥35.62

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      ￥22.04
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    IS42S16400J 6BLI
    型号：IS42S16400J-6BLI 编号：C1351293
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb SDRAM，1兆位 x 16位 x 4个bank，3.3V供电，支持多种时钟频率，内部4个bank可隐藏行访问/预充电周期，提供无缝高速随机访问操作。
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    • 单价：

      ￥15.66 / 个
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    IS42S16800F-5TLI
    型号：IS42S16800F-5TLI 编号：C17430725
    封装：TSOP-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 3.3V供电，支持200MHz时钟频率，四bank结构，支持自动刷新和低功耗模式。

    • 1+

      ￥38.13

    • 10+

      ￥32.81

    • 30+

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    IS42S32800G-6BLI 停产
    型号：IS42S32800G-6BLI 编号：C2920767
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S32800G 是一款 256Mb 的 Synchronous DRAM，支持 200MHz 的时钟频率，3.3V 单电源供电。具有 8M x 32 的组织结构，4 个内部bank，可编程的突发长度和 CAS 延迟。工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥40.5

    • 10+

      ￥39.61

    • 30+

      ￥36.28

    • 100+

      ￥35.68
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    IS42S32400F 6BLI
    型号：IS42S32400F-6BLI 编号：C1352183
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为166 MHz。
    数据手册

    • 1+

      ￥41.21

    • 10+

      ￥40.2

    • 30+

      ￥39.53

    • 100+

      ￥38.85
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    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16800F-6BLI 编号：C1352537
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45S16800F 是一款128Mb同步动态随机存取内存，支持高带宽数据传输，采用四bank结构，支持多种时钟频率和突发长度。
    数据手册

    • 1+

      ￥43.07

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      ￥37.33

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      ￥31.6

    • 100+

      ￥28.67
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    IS42S16160G-6TLI
    型号：IS42S16160G-6TLI 编号：C3039625
    封装：TSOP-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。
    数据手册

    • 30+

      ￥62.786706

    • 100+

      ￥58.038132

    • 1000+

      ￥53.421462
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    IS42S16160G-7TL-TR
    型号：IS42S16160G-7TL-TR 编号：C17569592
    封装：TSOP-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S16160G-7TL-TR 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（143 MHz）。该芯片采用54-Pin TSOP II封装，支持3.3V供电，工作温度范围为-40°C到+85°C。具备自动刷新和自刷新模式，适用于各种高速数据传输应用。

    • 1+

      ￥16.95

    • 20+

      ￥16.272

    • 100+

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      ￥15.1872

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      ￥14.916
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    停产 4Gb DDR3 同步动态随机存取存储器
    型号：IS43TR16256A-125KBLI-TR 编号：C2982930
    封装：BGA-96
    品牌：ISSI(美国芯成)
    特性：标准电压：VDD和VDDO = 1.5V ± 0.075V。 低电压（L）：VDD和VDDO = 1.35V + 0.1V, -0.067V。 向后兼容1.5V。 高速数据传输速率，系统频率高达1066 MHz。 8个内部存储体，可并发操作。 8n位预取架构
    数据手册

    • 1+

      ￥71.14

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      ￥61.6

    • 30+

      ￥51.35

    • 100+

      ￥46.48
  • 订货
    • 我要订货
    停产 IS42S16160G-7TL
    型号：IS42S16160G-7TL 编号：C68510
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。
    数据手册

    • 1+

      ￥80.54

    • 10+

      ￥77.01

    • 30+

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    芯片
    型号：IS43TR16256AL-125KBLI 编号：C2982595
    封装：BGA-96
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32800G-7BLI 编号：C17636266
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四组DRAM。每个67,108,864位组由4,096行、512列和32位组成。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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    IS42S32160D-6BLI
    型号：IS42S32160D-6BLI 编号：C5803545
    封装：BGA-90
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25LQ512B JNLE TR
    型号：IS25LQ512B-JNLE-TR 编号：C2062590
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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