美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS61WV20488BLL-10MLI 编号：C3033375

封装：TFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥126.8312
10+
￥124.752
50+
￥119.554
100+
￥116.4352
200+
￥114.356

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型号：IS61WV10248BLL-10TLI 编号：C1348769

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥119.88
30+
￥113.6

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型号：IS64WV51216BLL-10CTLA3 编号：C3033372

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥133.11
10+
￥118
30+
￥107.35
100+
￥98.06

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型号：IS64WV102416BLL-10CTLA3 编号：C1352944

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥269.22
3+
￥248.38
30+
￥235.78

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型号：IS42S16160J-6TLI 编号：C91278

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD和3.3V VDDQ存储系统中运行，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。每个67,108,864位的存储体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。该SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号都在时钟信号CLK的上升沿进行寄存。所有输入和输出都与LVTTL兼容

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1+
￥31.15
10+
￥26.99
30+
￥24.52
100+
￥22.03
500+
￥20.87
1000+
￥20.36

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型号：IS42S32200L-6TLI 编号：C521294

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，专为在3.3V内存系统中运行而设计，包含67,108,864位。其内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个16,777,216位存储体被组织为2,048行×256列×32位

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5+
￥95.199905
50+
￥83.626583
500+
￥76.999923

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型号：IS42S16160J-6BLI 编号：C1351289

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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5+
￥58.709376
10+
￥55.447745
100+
￥47.837269
1000+
￥44.032032

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型号：IS42S16400J-7TLI-TR 编号：C94865

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

3.3V SDRAM。容量：64Mbit（8MB），位宽：16，工业级温度范围：-40 - +85，最高频率：143MHz。动态RAM存储器，支持自刷新

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单价：
￥23.98 / 个

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型号：IS42S16800F-7TLI 编号：C69411

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128-Mbit(16M × 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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15+
￥24.54746
100+
￥21.178201
1000+
￥19.493571

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型号：IS25LQ512B-JNLE 编号：C1349820

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥1.1823
10+
￥0.9493
30+
￥0.8494
100+
￥0.7247
500+
￥0.6693
1000+
￥0.636

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型号：IS25LQ040B-JNLE 编号：C150436

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LQ040B/020B/010B/512B/025B（4M/2M/1M/512K/256K位）串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了兼具灵活性和高性能的存储解决方案。ISSI的“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双线和四线模式下还可作为多功能I/O引脚

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10+
￥2.456055
100+
￥2.36509
200+
￥2.18316
1000+
￥2.092195
2000+
￥2.037616

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型号：IS25LQ010B-JNLE 编号：C1349496

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥0.9424
10+
￥0.9194
30+
￥0.904
100+
￥0.8886

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型号：IS25LP512M-RMLE 编号：C1350491

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥21.25
20+
￥20.4
100+
￥19.72
200+
￥19.38
500+
￥19.04

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型号：IS42S32400F-6BL 编号：C1352182

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为166 MHz。

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1+
￥36.79
10+
￥31.94
30+
￥28.99
100+
￥26.51

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型号：IS42S32800G-7BLI 编号：C17636266

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四组DRAM。每个67,108,864位组由4,096行、512列和32位组成。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

1+
￥122.4
240+
￥48.84
480+
￥47.21
960+
￥46.4

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型号：IS25LQ040B-JNLE-TR 编号：C2062745

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LQ040B/020B/010B/512B/025B（4M/2M/1M/512K/256K位）串行闪存为用户提供了一种兼具灵活性和高性能的存储解决方案，采用简化引脚封装。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双路和四路模式下还可作为多功能I/O引脚。IS25xQ系列闪存非常适合用于代码映射到RAM、原地执行（XIP）操作以及存储非易失性数据

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50+
￥9.511187
200+
￥7.804051
500+
￥6.373308
1000+
￥5.462836

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型号：IS21ES08GA-JCLI-TR 编号：C17412956

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI eMMC 产品遵循 JEDEC eMMC 5.0 标准。它非常适合工业应用和汽车应用的嵌入式存储解决方案，这些应用需要在广泛的工作温度范围内具备高性能。eMMC 将 MLC NAND 闪存和 eMMC 控制器封装在一个 JEDEC 标准封装内，为主机提供标准接口

1+
￥74.09
10+
￥70.59
30+
￥64.52
100+
￥59.23

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型号：IS25LP064A-JMLE 编号：C1349157

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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1+
￥27.07
10+
￥23.29
30+
￥21.04
100+
￥18.77
500+
￥17.72
1000+
￥17.25

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型号：IS42S32200L-7BLI 编号：C7503161

封装：BGA-90

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb SDRAM 是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器，设计用于工作在 3.3V 内存系统中，存储容量为 67,108,864 位。其内部配置为具有同步接口的四存储体 DRAM。每个 16,777,216 位存储体组织为 2,048 行×256 列×32 位

1+
￥85.29
10+
￥74.09
30+
￥67.27
100+
￥61.55

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型号：IS42S81600F-6TL 编号：C1351347

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 商业级温度范围 0°C 到 +70°C。

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1+
￥9.88
10+
￥9.65
30+
￥9.49
100+
￥9.34

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型号：IS42S16400J-6TL 编号：C1350840

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb SDRAM，1兆位 x 16位 x 4个bank，3.3V供电，支持多种时钟频率，内部4个bank可隐藏行访问/预充电周期，提供无缝高速随机访问操作。

数据手册

1+
￥10.83
10+
￥10.58
30+
￥10.41
100+
￥10.25

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型号：IS42S16400J-5TL 编号：C1353177

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

64 Mb Synchronous DRAM，组织为1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank，用于高性能3.3V内存系统。支持全同步操作，所有信号参考正时钟沿，具有可编程突发长度和自动刷新模式。

数据手册

1+
￥11.22
10+
￥9.44
30+
￥8.33
100+
￥7.2
500+
￥6.68
1000+
￥6.46

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型号：IS25LP128-JMLE 编号：C1348949

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥14.77
10+
￥12.54
30+
￥11.14
100+
￥9.71
500+
￥9.06
1000+
￥8.78

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我要订货

型号：IS25WP256D-JMLE 编号：C1349861

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥16.89
10+
￥16.5
30+
￥16.24
100+
￥15.97

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我要订货

型号：IS42S32400F-7BLI 编号：C1352115

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。

数据手册

1+
￥39.22
10+
￥33.93
30+
￥30.71
100+
￥28.01

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我要订货

型号：IS42S32800G-6BLI 编号：C2920767

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32800G 是一款 256Mb 的 Synchronous DRAM，支持 200MHz 的时钟频率，3.3V 单电源供电。具有 8M x 32 的组织结构，4 个内部bank，可编程的突发长度和 CAS 延迟。工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业应用。

数据手册

1+
￥40.5
10+
￥39.61
30+
￥36.28
100+
￥35.68

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型号：IS61C1024AL-12JLI 编号：C412832

封装：SOJ-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是非常高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态RAM。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CE1为高电平或CE2为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，通过使用CMOS输入电平可降低功耗。通过使用两个芯片使能输入CE1和CE2，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。有32引脚300密耳SOJ、32引脚400密耳SOJ、32引脚TSOP（I型，8x20）和32引脚sTSOP（I型，8x13.4）封装。

数据手册

1+
￥10.87
10+
￥10.61
30+
￥10.44
100+
￥10.26

订货

我要订货

型号：IS42S16400J-7BLI 编号：C3033373

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥13.58
10+
￥13.26
30+
￥13.05
100+
￥12.21

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型号：IS42S32200L-7TLI 编号：C5803543

封装：TSOP-86-400mil

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb SDRAM 是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器，设计用于工作在 3.3V 内存系统中，存储容量为 67,108,864 位。其内部配置为具有同步接口的四存储体 DRAM。每个 16,777,216 位存储体组织为 2,048 行×256 列×32 位

1+
￥19.11
10+
￥18.62
30+
￥18.3
108+
￥17.97

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型号：IS42S32400F-6TL 编号：C413752

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

数据手册

10+
￥29.123809
100+
￥25.126423
1000+
￥23.127731

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