美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS42S16800F-6TL 编号：C1351329

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 商业级温度范围 0°C 到 +70°C。

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￥57.521764
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￥54.32611
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￥46.869587
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￥43.141324

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型号：IS42S32400F-6TLI 编号：C108951

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

32位SDRAM,128Mb(16MB,4Mbx32),3.3v工业级-40°C~85°C,同MT48LC4M32B2P-7IT,MT48LC2M32B2P,W9864G2JH,W9812G2GH

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￥36.110682
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￥31.154313
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￥28.67613

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型号：IS42S16160G-7TLI 编号：C427371

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。

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￥78.097789
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￥73.759024
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￥63.635235
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￥58.573342

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型号：IS42S16400J-6BLI 编号：C1351293

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb SDRAM，1兆位 x 16位 x 4个bank，3.3V供电，支持多种时钟频率，内部4个bank可隐藏行访问/预充电周期，提供无缝高速随机访问操作。

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￥24.300845
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￥20.965435
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￥19.297729

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型号：IS42S16160G-7BLI 编号：C427373

封装：BGA-54

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。

数据手册

1+
￥37.84
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￥32.69
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￥27.48
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型号：IS42S16800F-5TLI 编号：C17430725

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 3.3V供电，支持200MHz时钟频率，四bank结构，支持自动刷新和低功耗模式。

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￥38.13
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￥32.81
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￥29.64
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￥26.44
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￥24.3

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型号：IS42S32400F-6BLI 编号：C1352183

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为166 MHz。

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￥41.21
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￥40.2
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￥39.53
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￥38.85

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型号：IS42S16800F-6BLI 编号：C1352537

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45S16800F 是一款128Mb同步动态随机存取内存，支持高带宽数据传输，采用四bank结构，支持多种时钟频率和突发长度。

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￥43.07
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￥37.33
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￥31.6
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￥28.67

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型号：IS42S16160G-6TLI 编号：C3039625

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。

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￥49.96
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￥43.04
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型号：IS42S16160G-7TL-TR 编号：C17569592

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G-7TL-TR 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（143 MHz）。该芯片采用54-Pin TSOP II封装，支持3.3V供电，工作温度范围为-40°C到+85°C。具备自动刷新和自刷新模式，适用于各种高速数据传输应用。

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￥16.95
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￥16.272
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￥15.7296
200+
￥15.4584
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￥15.1872

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型号：IS42S16160G-6BLI 编号：C7494652

封装：BGA-54

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。

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￥62.92
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型号：IS43TR16256A-125KBLI-TR 编号：C2982930

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD和VDDO = 1.5V ± 0.075V。低电压（L）：VDD和VDDO = 1.35V + 0.1V, -0.067V。向后兼容1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达1066 MHz。 8个内部存储体，可并发操作。 8n位预取架构

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￥71.14
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￥61.6
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￥51.35
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￥46.48

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型号：IS42S16160G-7TL 编号：C68510

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器，支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率，可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高性能计算和嵌入式系统。

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￥37.569759
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型号：IS43TR16256AL-125KBLI 编号：C2982595

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥89.87
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型号：IS42S32160D-6BLI 编号：C5803545

封装：BGA-90

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25LQ512B-JNLE-TR 编号：C2062590

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WQ040-JNLE-TR 编号：C2062513

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25LQ025B-JNLE-TR 编号：C2062580

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥2.623
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￥1.0151
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型号：IS25LQ025B-JNLE 编号：C1349094

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥2.7226
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￥1.0536
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预售商品

型号：IS25LQ010B-JNLE-TR 编号：C2062561

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥3.31
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￥1.28
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￥1.22

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型号：IS25WQ020-JBLE 编号：C1351009

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥3.88
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￥1.45
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型号：IS25LQ080-JNLE-TR 编号：C19339614

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥4.18
200+
￥1.67
500+
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型号：IS25WP040E-JNLE 编号：C7290382

封装：SOP-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WQ020-JZLE-TR 编号：C7290389

封装：XSON-8(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥4.44
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￥1.71
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型号：IS25WD040-JNLE-TR 编号：C19324005

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥4.52
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￥1.81
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￥1.75
1000+
￥1.72

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型号：IS25LQ512B-JBLE 编号：C1350170

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥4.6
200+
￥1.78
500+
￥1.72
1000+
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预售商品

型号：IS25WP040E-JYLE-TR 编号：C6062497

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥4.6
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￥1.84
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￥1.78
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￥1.75

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型号：IS25LQ010B-JBLE 编号：C1349116

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥4.6
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￥1.78
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￥1.72
1000+
￥1.69

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型号：IS25WP080D-JBLE-TR 编号：C2062990

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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单价：
￥4.424755 / 个

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型号：IS93C66A-2GRLI 编号：C19400876

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS93C66A是一款4K位的非易失性存储器，采用增强型CMOS设计和工艺，支持宽电压操作（1.8V至5.5V），具有自动增量功能，支持硬件和软件写保护，兼容Microwire接口，支持1百万次写周期寿命和40年的数据保留。

1+
￥4.94
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