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封装：SOP-8

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

数据手册

1+
￥7.41
10+
￥6.28
30+
￥5.66
100+
￥4.95
500+
￥4.35
1500+
￥4.2

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型号：24LC512T-I/SN 编号：C52088

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24XX12）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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1+
￥6.38
10+
￥5.08
30+
￥4.43
100+
￥3.79
500+
￥3.4
1000+
￥3.2

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型号：W25X40CLUXIG TR 编号：C401661

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25X40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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1+
￥6.73
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￥5.92
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￥5.51
100+
￥5.11
500+
￥4.67
1000+
￥4.54

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型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥7.21
10+
￥5.79
30+
￥5.08
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￥4.38
500+
￥3.73
1000+
￥3.51

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型号：MX25L3233FM2I-08G 编号：C190802

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

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10+
￥7.45
100+
￥6.36
300+
￥5.76
1000+
￥5.09
5000+
￥4.64
10000+
￥4.5

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型号：AT45DB161E-SHD-T 编号：C64021

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

16-Mbit(2M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥11.84
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￥10.14
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￥9.21
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￥8.16
500+
￥6.33
1000+
￥6.11

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型号：W25Q256JWEIQ 编号：C2980994

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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4+
￥31.02
40+
￥27.92
120+
￥25.11
400+
￥23.25
2000+
￥22.39
4000+
￥22

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型号：W25N01KVZEIR 编号：C22472329

封装：WSON-8(8x6)

品牌：Winbond(华邦)

为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。集成了流行的SPI接口和传统的大容量NAND非易失性存储空间，非常适合将代码映射到RAM。

4+
￥35.06
40+
￥31.38
120+
￥29.2
480+
￥26.98
1920+
￥25.96

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型号：MKDV4GCL-ABF 编号：C51966232

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥46.58 ￥54.8
10+
￥40.222 ￥47.32
30+
￥36.346 ￥42.76
100+
￥33.0905 ￥38.93

有货

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型号：W634GU6RB-11 编号：C29801372

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

10+
￥79.89
100+
￥69.57
300+
￥63.28
1000+
￥58

有货

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型号：H26M41208HPR 编号：C2927805

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：HYNIX(海力士)

e-NAND由NAND闪存和MMC控制器组成。e-NAND内置智能控制器，可管理接口协议、损耗均衡、坏块管理、垃圾回收和纠错码（ECC）。e-NAND可保护数据内容，防止主机突然断电故障

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1+
￥208.17
30+
￥202

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型号：MT29F8G08ABACAWP-IT:C 编号：C400999

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 8Gb NAND Flash Memory，支持单次编程操作，具有高可靠性和数据保留能力。该设备使用异步数据接口进行高性能I/O操作，通过高度复用的8位总线传输命令、地址和数据。控制信号包括CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。

数据手册

1+
￥213.5
10+
￥207.99
30+
￥190.33
100+
￥182

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型号：MT40A512M16LY-062E:E 编号：C1352320

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms

1+
￥251.94
30+
￥227.17

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型号：MKDV32GCL-STP 编号：C7500179

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 6万次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥260.205 ￥273.9
30+
￥250.8 ￥264

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型号：MT40A512M16LY-075:E 编号：C598779

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）

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1+
￥263.79
30+
￥250

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型号：24C32BN(XBLW) 编号：C18723546

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C32系列是32,768位的串行可擦除可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V。

10+
￥0.3989
100+
￥0.3125
300+
￥0.2693
1000+
￥0.2369
4000+
￥0.211
8000+
￥0.198

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型号：ZD24C02B-MAGMT 编号：C28314538

封装：UDFN-8L(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B提供2048位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低压操作至关重要。

5+
￥0.6629
50+
￥0.5285
150+
￥0.4614
500+
￥0.411
3000+
￥0.3455
6000+
￥0.3254

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型号：BL24C128A-PARC 编号：C90484

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C128A提供131,072位（16,384字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。BL24C128A具有两线串行接口，可在1.7V至5.5V的单电源电压下工作，工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

5+
￥0.7427
50+
￥0.5981
150+
￥0.5259
500+
￥0.4717
2500+
￥0.4283
5000+
￥0.4066

有货

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型号：M24C64-FMN6TP 编号：C143943

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.8744
50+
￥0.6833
150+
￥0.5877
500+
￥0.5161
2500+
￥0.4587
5000+
￥0.43

有货

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型号：M24C32-RMN6TP 编号：C79920

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.0695
50+
￥0.9028
150+
￥0.8194
500+
￥0.7569
2500+
￥0.6608

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型号：CAT24C08WI-GT3 编号：C80801

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.7468
50+
￥1.3766
150+
￥1.2179
500+
￥0.9411
3000+
￥0.8529
6000+
￥0.8

有货

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型号：CAT24C16WI-GT3 编号：C81197

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.7562
50+
￥1.3782
150+
￥1.2162
500+
￥1.0141
3000+
￥0.8491
6000+
￥0.7951

有货

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型号：ZD24C256A-SSGMT 编号：C2896642

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C256A提供256-Kbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥1.9733
50+
￥1.5841
150+
￥1.4172
500+
￥1.2091
3000+
￥1.0239
6000+
￥0.9683

有货

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型号：ZD25WQ16CEIGR 编号：C7304007

封装：USON-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,16Mbit,1.65~3.6V,USON-8(2x3)，Tape&Reel

5+
￥2.0559
50+
￥1.6324
150+
￥1.4508
500+
￥1.2244
3000+
￥1.1514
6000+
￥1.0909

有货

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型号：24AA02E48T-I/OT 编号：C38987

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM。该器件由两个128×8位存储器块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，I温度下的最大待机电流仅为1μA，E温度下为5μA，最大工作电流为1 mA。还具备最多八字节数据的页写能力（24AA025E48/24AA025E64为16字节）。有标准8引脚SOIC、5引脚SOT-23和6引脚SOT-23封装可供选择。

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥3.12
30+
￥2.79
100+
￥2.46
500+
￥2.4
1000+
￥2.29

有货

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型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

数据手册

1+
￥4.25
10+
￥3.59
30+
￥3.3
100+
￥2.95
500+
￥2.66
1000+
￥2.56

有货

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型号：GD25Q256EWIGR 编号：C6564321

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥20.82
10+
￥17.84
30+
￥16.08
100+
￥14.29
500+
￥13.46
1000+
￥13.09

有货

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型号：W25Q128JWSIQ TR 编号：C7150045

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥29.85
10+
￥28.05
30+
￥26.91
100+
￥25.76
500+
￥25.23
1000+
￥25

有货

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型号：W25Q512JVEIQ TR 编号：C7389628

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。

40+
￥51.09
400+
￥44.92
1200+
￥41.16
4000+
￥38

有货

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型号：W989D6DBGX6I 编号：C2641243

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

低功耗同步内存，包含536,870,912个存储单元，采用高性能工艺技术制造。设计功耗低于普通SDRAM，具备低功耗特性，适用于电池供电的应用。有两种组织形式：4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字×4个存储体×16位。以完全同步模式运行，输出数据与系统时钟的正边沿同步，能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。支持部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）等特殊低功耗功能。

数据手册

16+
￥51.37
160+
￥50.78
480+
￥50.39
1600+
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