Adesto存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MB85RC16PNF-G-AMERE2 编号：C46681954

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM（铁电随机存取存储器）。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性，远超其他非易失性存储产品。

1+
￥3.89
10+
￥3.18
30+
￥2.83
100+
￥2.47
500+
￥2.26
1500+
￥2.15

有货

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型号：AT24C02D-STUM-T 编号：C79996

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

5+
￥2.1917
50+
￥1.7482
150+
￥1.5581
500+
￥1.321
2500+
￥1.2154
5000+
￥1.152

有货

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型号：24LC16BT-I/OT 编号：C2061286

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.2729
50+
￥1.8193
150+
￥1.6249
500+
￥1.2924
3000+
￥1.1844
6000+
￥1.1196

有货

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型号：MB85RS16PNF-G-JNERE1 编号：C38647

封装：SOIC-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

16-Kbit(2K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

数据手册

1+
￥4.74
10+
￥3.99
30+
￥3.45
100+
￥3.01
500+
￥2.98
1500+
￥2.89

有货

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型号：MX25R8035FZUIL0 编号：C152596

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。支持模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，或每个块为32K/64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源供电

数据手册

12+
￥5.56
120+
￥4.72
360+
￥4.1
1200+
￥3.68
6000+
￥3.43
12000+
￥3.3

有货

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型号：W25Q80DVSSIG 编号：C98163

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。该设备采用2.7V至3.6V单电源供电，掉电时电流消耗低至1μA。所有设备均采用节省空间的封装。阵列由4096个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节

数据手册

1+
￥5.79
10+
￥5.12
30+
￥4.78
100+
￥4.45
500+
￥4.25
1000+
￥3.88

有货

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型号：GD25Q32ESIG 编号：C2685733

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q32E（32M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

1+
￥7.93
10+
￥6.77
30+
￥6.14
95+
￥3.99
475+
￥3.67
1045+
￥3.52

有货

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型号：MX25L6433FM2I-08G 编号：C706695

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

数据手册

1+
￥8.95
10+
￥7.61
30+
￥6.87
100+
￥6.04
500+
￥5.67
1000+
￥5.5

有货

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型号：W25Q64JWSSIQ 编号：C2985658

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥16.44
10+
￥14.82
30+
￥13.94
100+
￥12.94
500+
￥12.01
1000+
￥11.8

有货

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型号：W9864G6KH-6 编号：C62378

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问

数据手册

1+
￥22.46
10+
￥20.49
30+
￥18.58
100+
￥17.32
500+
￥16.75
1000+
￥16.5

有货

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型号：W25Q64JVXGIQ 编号：C2940195

封装：XSON-8-EP(4x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

5+
￥24.77
50+
￥23.16
150+
￥22.27
500+
￥20.65
2500+
￥20.21
5000+
￥20

有货

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型号：W9812G6KH-6 编号：C62379

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥26.08
10+
￥23.36
30+
￥20.37
100+
￥18.63
500+
￥17.85
1000+
￥17.5

有货

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型号：MKDV1GCL-ABF 编号：C51966230

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，MKDV1GCL-ABA升级款，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥29.0168 ￥31.54
10+
￥25.3552 ￥27.56
30+
￥23.4968 ￥25.54
100+
￥20.9944 ￥22.82
480+
￥20.0928 ￥21.84
960+
￥19.7064 ￥21.42

有货

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型号：W25N01GWZEIG 编号：C2940194

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

4+
￥52.1
40+
￥47.44
120+
￥44.68
480+
￥41.88
1920+
￥40.59

有货

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型号：H5TQ4G63EFR-RDI 编号：C7435512

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥61.32
10+
￥53.48
30+
￥48.7
100+
￥44.69

有货

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型号：H5TQ4G63EFR-RDC 编号：C2803259

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EFR-xxJ、H5TQ4G83EFR-xxK和H5TQ4G63EFR-xxK是一款4,294,967,296位的CMOS双倍数据速率III（DDR3）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。4Gb DDR3 SDRAM可实现完全同步操作，其参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿进行采样

数据手册

1+
￥77.43
10+
￥69.1
30+
￥64.02
100+
￥55.5

有货

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型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR 编号：C401001

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 4Gb NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能I/O操作。这些设备使用高度复用的8位总线（I/Ox）传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态（R/B#）。该设备具有内部4位ECC，可以通过GET/SET特性命令启用。

数据手册

1+
￥125.31
10+
￥120.04
30+
￥110.91
100+
￥102.94

有货

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型号：MT40A512M16TB-062E:R 编号：C2887392

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O

数据手册

1+
￥269.88
30+
￥250

有货

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型号：MKDV16GCL-STP 编号：C19192127

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥272.7545 ￥287.11
30+
￥259.5495 ￥273.21

有货

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型号：H5AN8G6NDJR-XNC 编号：C2961593

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

10+
￥273.74
320+
￥258.68

有货

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型号：M24C04-RMN6TP 编号：C81147

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.409
50+
￥0.357
150+
￥0.331
500+
￥0.3115
2500+
￥0.2959
5000+
￥0.288

有货

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型号：AT24C02CM/TR 编号：C7432364

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C02M/TR升级替代料，建议试样，串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

10+
￥0.4227
100+
￥0.3362
300+
￥0.293
2500+
￥0.2606
5000+
￥0.2347
10000+
￥0.2217

有货

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型号：FM24C16D-SO-T-G 编号：C285241

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C16D是一款16K位2线串行EEPROM，具有128位唯一ID和16字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为40年。

数据手册

5+
￥0.6406
50+
￥0.5163
150+
￥0.4541
500+
￥0.4075
2500+
￥0.3702
4000+
￥0.3516

有货

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型号：M24C08-RDW6TP 编号：C283440

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.7831
50+
￥0.6096
150+
￥0.5229
500+
￥0.4578
2500+
￥0.4057
4000+
￥0.3797

有货

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型号：AT24C64CM/TR 编号：C22446588

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C64M/TR升级替代料，建议试样

5+
￥0.8108
50+
￥0.6381
150+
￥0.5517
500+
￥0.4869
2500+
￥0.4459
5000+
￥0.4199

有货

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型号：M24C02-FMN6TP 编号：C114502

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.8233
50+
￥0.6597
150+
￥0.578
500+
￥0.5166
2500+
￥0.4676
5000+
￥0.443

有货

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型号：M24C08-WMN6TP 编号：C141771

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.887
50+
￥0.695
150+
￥0.599
500+
￥0.527
2500+
￥0.4694
5000+
￥0.4405

有货

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型号：FM24C64D-SO-T-G 编号：C192126

封装：SO-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C64D提供65,536位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为8,192个8位字，带有128位唯一ID和32字节安全区域。该设备支持最多8个设备共享一个2线总线，适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

数据手册

5+
￥1.1341
50+
￥0.8803
150+
￥0.7715
500+
￥0.6357
2500+
￥0.5753
4000+
￥0.539

有货

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型号：CAT24C02TDI-GT3A 编号：C81340

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 16 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 CAT24C02 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.3977
50+
￥1.123
150+
￥1.0053
500+
￥0.6878
3000+
￥0.6224
6000+
￥0.5832

有货

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型号：AT24C256CM/TR 编号：C7432367

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥1.7634
50+
￥1.379
150+
￥1.2142
500+
￥1.0086
2500+
￥0.917
5000+
￥0.8621

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