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封装：SOIC-8

的AT24C32E提供32,768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为4,096个8位字。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一条通用的两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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型号：BL24CM1A-PARC 编号：C414060

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM1A是一款1Mbit (131072 x 8)的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，提供高达4百万次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

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型号：HX24LC512BDRG 编号：C2987264

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC512B提供524,288位的串行EEPROM，组织为65,536个8位字。支持1.8V至5.5V的工作电压，具有硬件数据保护功能。工作温度范围为-40°C至+85°C，支持部分页写入，自定时写周期时间为5ms。写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。支持I2C两线串行接口。

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型号：24AA256T-I/SN-TUDI 编号：C41410998

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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型号：W25Q40CLSNIG 编号：C2641149

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：24LC02BT-E/SN 编号：C615682

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：93LC46B-I/P 编号：C511275

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是 1Kbit 低电压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA46C、93LC46C 或 93C46C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 设备；对于专用 16 位通信，有 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 设备。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用

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型号：MX25R8035FZUIL0 编号：C152596

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。支持模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，或每个块为32K/64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源供电

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型号：BL25CM2A-PARC 编号：C2932516

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL25CM2A 是一款2M位（256K字节）的串行EEPROM，支持SPI接口，具有写保护功能和高可靠性。工作电压范围为2.8V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C，写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。

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型号：GX2431SP2 编号：C22435412

封装：SMD,5x3mm

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位的EEPROM存储器，采用单总线接口，每颗芯片具有全球唯一的64位序列号，分为四页，每页256位。支持永久写保护或EPROM仿真模式，无需外围元器件，工作电压范围为2.5V~5.5V，读写数据温度范围为-55℃~+125℃。

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型号：AT24CM01-XHM-T 编号：C2653508

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。

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型号：APS1604M-3SQR-SN 编号：C18214056

封装：SOP-8

品牌：Apmemory

这款伪静态随机存取存储器（Pseudo - SRAM）器件具有高速、低引脚数接口的特点。它有 4 个输入/输出（I/O）引脚，可在串行外设接口（SPI）或四路外设接口（QP）模式下工作，频率高达 133 MHz。存储器的数据输入（A/DQ）依靠时钟（CLK）来锁存所有指令、地址和数据

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型号：M95M02-DRMN6TP 编号：C915963

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Mbit串行SPI总线EEPROM

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型号：IS42S16400J-7TLI 编号：C2979137

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为143MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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型号：W25Q256JVFIQ 编号：C2903917

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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型号：DS2505+ 编号：C1523881

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2505 16Kb 只写存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些批次或产品特定信息可通过最少的接口进行访问，例如微控制器的单个端口引脚。DS2505 包含一个工厂激光刻录的注册号，其中包括一个唯一的 48 位序列号、一个 8 位循环冗余校验码（CRC）和一个 8 位家族代码（0BH），外加 16Kb 用户可编程的 EPROM

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型号：MX25L51245GMI-08G 编号：C19191699

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。512Mb：536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位（双I/O模式）结构或134,217,728 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥33.78
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型号：MT29F2G08ABAEAWP:E 编号：C110895

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Flash 2GBIT

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型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

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型号：CY7C1051DV33-10ZSXIT 编号：C475876

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作，工作电压为3.3V ± 0.3V，工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式，具有自动断电功能。

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型号：MT48LC16M16A2B4-6A:G 编号：C1351430

封装：VFBGA-54(8x8)

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

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￥52.0478 ￥53.11
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￥41.2632 ￥46.89
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型号：MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2887393

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能 I/O 操作。这些设备使用高度复用的 8 位总线 (I/Ox) 来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态 (R/B#)。

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型号：MT25QU512ABB8ESF-0SIT 编号：C2061983

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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型号：CSNP64GCR01-BOW 编号：C41380595

封装：LGA-8(7x8.5)

品牌：CS(创世)

SD NAND 64Gb MLC.标准SD 2.0协议.内嵌Flash管理算法,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,支持EXT4/FAT系列文件系统.待机/工作功耗低.自动stand by模式,高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

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型号：EPCQ128ASI16N 编号：C1519138

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Intel/Altera

EPCQ128A串行配置设备支持FPGA的主动串行配置方案，具有低引脚数和非易失性存储特性，工作电压范围为2.7V至3.6V，支持在系统编程(ISP)。

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￥240.57
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￥224.97

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型号：MT40A2G8JC-062E IT:E 编号：C2887390

封装：TFBGA-78

品牌：micron(镁光)

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￥262.16
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￥248.6

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型号：KLMCG4JETD-B041 编号：C2915276

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：AT24C02 (LX) 编号：C26159244

封装：SOT-23-5

品牌：LX(灵星芯微)

24C02是一款提供2048比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为256x8比特，内部分为32页，每页8字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，施密特触发器，抑制输入噪声，双向数据传输协议，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，8-byte页，允许部分页写操作，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年，封装形式：DIP8、SOP8、TSSOP8、SOT23-5。

20+
￥0.16853 ￥0.1774
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￥0.1311 ￥0.138
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￥0.110295 ￥0.1161
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￥0.09785 ￥0.103
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￥0.08702 ￥0.0916
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￥0.081225 ￥0.0855

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型号：AT24C02S(TP) 编号：C51939533

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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型号：AT24C08CDR310 编号：C51026302

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

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￥0.280302 ￥0.3014
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￥0.220968 ￥0.2376
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