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封装：FBGA-153

e•MMC™产品遵循JEDEC e•MMC™ 5.1标准。它是众多电子设备的理想通用存储解决方案，这些设备包括智能手机、平板电脑、个人数字助理（PDA）、电子书阅读器、数码相机、录音机、MP3和MP4播放器、电子学习产品、数字电视和机顶盒。

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￥103.68
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型号：M24512-DRDW8TP/K 编号：C2832785

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，105°C工作温度

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型号：M24M01-DFDW6TP 编号：C222243

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

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型号：DS2502P+T&R 编号：C22443045

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)

DS2502 1Kb 只追加存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些特定批次或产品的信息可通过简易接口访问，例如，利用微控制器的单端口引脚。DS2502 包含一个工厂激光刻蚀的注册号，其中有唯一的 48 位序列号、8 位循环冗余校验码（CRC）和 8 位家族代码（09h），另外还有 1Kb 用户可编程的电可擦可编程只读存储器（EPROM）

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￥9.77
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型号：M24M01-RMN6P 编号：C1349431

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M24M01是一款1 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦可编程存储器），组织形式为128 K×8位。M24M01 - R可在1.8 V至5.5 V的电源电压下工作，M24M01 - DF可在1.7 V至5.5 V的电源电压下工作，工作环境为……（原句未完整）

数据手册

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型号：IS25LP064D-JKLA3-TR 编号：C27531352

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为简化引脚封装提供了高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

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型号：M95M01-DFCS6TP/K 编号：C221451

封装：WLCSP-8(1.7x2.6)

品牌：ST(意法半导体)

1-Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

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型号：HG25Q256BMW/TR 编号：C52204739

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

3V, 256M-BIT [ x1/ x2/ x4] (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

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型号：IS61WV6416BLL-12TLI 编号：C435811

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV6416BLL是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

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型号：24FC1025T-I/SN 编号：C219471

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：M95M02-DWMN3TP/K 编号：C222181

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用2048 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：W25Q256JVFIQ 编号：C115993

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

256Mbit(32Mx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),同W25Q256FVFIG,W25Q128JVSIQ,W25Q128FVSIG

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型号：X5045S8IZT1 编号：C11981

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

电压监控，阀值电压=4.5V to 5.5V

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型号：W25N512GVEIG 编号：C3024446

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：25LC1024T-I/SM 编号：C616166

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在字节或页写入操作中并非必需

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型号：AT24CM02-SSHD-T 编号：C461562

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位（262,144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持1.7V至5.5V低电压和标准电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。支持I2C兼容（两线）串行接口，包括100kHz标准模式、400kHz快速模式和1MHz快速模式加（FM+）。内置错误检测和校正功能，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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型号：IS42S16160J-6BLI 编号：C1351289

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：MT41K64M16TW-107 AIT:J TR 编号：C2060943

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。

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￥33.06
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￥26.23
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￥21.92

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型号：MT48LC16M16A2P-6A IT:G 编号：C26393

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：micron(镁光)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：3.3V

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￥47.13
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￥42.6
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￥37.55
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￥34.82

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型号：MT25QU256ABA1EW9-0SIT 编号：C2062658

封装：WPDFN-8-EP(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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￥56.38
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￥49.84
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￥45.85
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型号：FM31256-GTR 编号：C24383

封装：SOIC-14_150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM31256-GTR 是一款集成处理器伴生器件，集成了非易失性存储器、实时时钟、低电压复位、看门狗定时器、非易失事件计数器、锁定的64位序列号区域和通用比较器。该器件支持多种功能，包括早期电源失效警告、系统入侵检测等。存储器容量为256Kb，支持I2C接口，最大总线频率为1 MHz。

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￥58.87
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￥50.37
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￥37.34
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￥33

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型号：MKDV16GIL-STPA 编号：C20607687

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥100.8235 ￥106.13
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￥95.9595 ￥101.01
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￥87.5235 ￥92.13
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￥80.1705 ￥84.39

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型号：MKDN128GIL-ZAA 编号：C42415721

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

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￥199.538 ￥210.04
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￥189.392 ￥199.36

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型号：K4A8G165WC-BITD 编号：C2920133

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

特性：无

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￥282.05
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￥270.75

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型号：KLUFG8RHGB-B0E1 编号：C45261440

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥554.38
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￥526.91

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型号：AD24C02 编号：C5125033

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储256个字节数据，分为32页每页8字节，随机字寻址需要8位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。AD24C02为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

数据手册

10+
￥0.20916 ￥0.2324
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￥0.16596 ￥0.1844
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￥0.14436 ￥0.1604
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￥0.12816 ￥0.1424
4000+
￥0.11214 ￥0.1246
8000+
￥0.10566 ￥0.1174

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型号：ZD24C02B-SSGMB 编号：C5374786

封装：SOP8-150

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

20+
￥0.2424
200+
￥0.1885
600+
￥0.1585
2000+
￥0.1405
10000+
￥0.1249
20000+
￥0.1166

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型号：SL24C02D 编号：C5155390

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C02D是2K位电可擦除PROM，采用I2C总线接口，支持1.8V~5.5V的工作电压，具有低功耗待机模式，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

数据手册

10+
￥0.2587
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￥0.2059
300+
￥0.1795
1000+
￥0.1597
4000+
￥0.1372
8000+
￥0.1293

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型号：AD24C02 编号：C7507360

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AD24C02是一款低电压、低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护的施密特触发输入，自定时编程周期（最大5ms），1MHz（2.5-5V）和400kHz（1.8V）兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护的写保护引脚，高可靠性：通常1,000,000次耐久性，100年数据保留时间。标准8引脚DIP/SOP/MSOP/TSSOP/DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23无铅封装。

10+
￥0.2745
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￥0.2197
300+
￥0.1923
3000+
￥0.1456
6000+
￥0.1292
9000+
￥0.121

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型号：24C08BN(XBLW) 编号：C18723544

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

10+
￥0.2983 ￥0.314
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￥0.23446 ￥0.2468
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￥0.20254 ￥0.2132
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￥0.1786 ￥0.188
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￥0.15941 ￥0.1678
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