EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：HT24C256ARZ 编号：C3019554

封装：SOP-8

HT24C256是一款256K位的串行读/写非易失性存储器，使用CMOS浮栅工艺。其2048位的存储器被组织成256个字，每个字8位。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。最多可将8个HT24C256设备连接到同一2线总线上。保证100万次擦写周期和40年的数据保留。

数据手册

1+
￥1.867035 ￥1.9653
10+
￥1.483995 ￥1.5621
30+
￥1.319835 ￥1.3893
100+
￥1.115015 ￥1.1737
500+
￥0.928815 ￥0.9777
1000+
￥0.874 ￥0.92

有货

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型号：HG24C256MT/TR 编号：C53200143

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2PROM

5+
￥1.9149
50+
￥1.5117
150+
￥1.3389
500+
￥1.1233
2500+
￥1.0273

有货

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型号：93LC46BT-I/SN 编号：C16253

封装：SOIC-8-150mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX46A/B/C 器件是 1Kbit 的低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA46C、93LC46C 或 93C46C 这类字可选器件，需依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 器件；而 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 器件则提供专用 16 位通信

数据手册

5+
￥2.0604
50+
￥1.642
150+
￥1.4626
500+
￥1.2389

有货

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型号：AT24C512CM/TR 编号：C19193470

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程读存储器(EEPROM)

5+
￥2.2428
50+
￥1.7621
150+
￥1.5561
500+
￥1.2991
2500+
￥1.1656
5000+
￥1.0969

有货

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型号：M93C46-WDW6TP 编号：C2061219

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

数据手册

1+
￥2.45
10+
￥1.9
30+
￥1.67
100+
￥1.38
500+
￥1.25
1000+
￥1.17

有货

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型号：CAT24C32YI-GT3 编号：C94264

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

1+
￥2.66
10+
￥2.1
30+
￥1.87
100+
￥1.57
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

有货

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型号：AT24C32E-SSHM-T 编号：C116670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT24C32E提供32,768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为4,096个8位字。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一条通用的两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

1+
￥2.92
10+
￥2.26
30+
￥1.98
100+
￥1.63
500+
￥1.48
1000+
￥1.38

有货

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型号：CAT24C256YI-GT3 编号：C146734

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256是一款256kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为32,768个8位字。支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速加（1MHz）I2C协议。具有硬件写保护、低功耗CMOS技术、工业和扩展温度范围。

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥2.93
30+
￥2.61
100+
￥2.21
500+
￥2.03
1000+
￥1.93

有货

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型号：MX25R1635FZUIL0 编号：C152595

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

16Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 2,097,152 x 8。在四 I/O 模式下，结构变为 4,194,304 位 x 4 或 8,388,608 位 x 2。具有串行外设接口。

数据手册

1+
￥5.98
10+
￥4.96
30+
￥4.45
100+
￥3.94
500+
￥3.56
1000+
￥3.4

有货

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型号：24AA64FT-I/OT 编号：C2061144

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/24FC64F(24XX64F*)是一款64Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储体组织为单个8K×8位的存储块。低电压设计使其能够在低至1V的电压下工作

数据手册

1+
￥6.56
10+
￥5.42
30+
￥4.8
100+
￥4.09
500+
￥3.56
1000+
￥3.42

有货

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型号：MX25L3233FM1I-08G 编号：C2802994

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

数据手册

1+
￥6.76
10+
￥5.63
30+
￥5.07
100+
￥4.51
500+
￥4.18
1000+
￥4

有货

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型号：AT24CM01-SSHM-T 编号：C68393

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

1+
￥8.24
10+
￥6.94
30+
￥6.23
100+
￥5.2
500+
￥4.85
1000+
￥4.69

有货

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型号：AT45DB161E-SSHD-T 编号：C66279

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

16-Mbit(2M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥10.15
10+
￥8.47
30+
￥7.55
100+
￥6.51
500+
￥6.05
1000+
￥5.84

有货

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型号：PM002MNIATR 编号：C7434471

封装：SOP8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

1+
￥10.66
10+
￥9.78
30+
￥9.23
100+
￥8.66
500+
￥8.41
1000+
￥8.3

有货

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型号：23K256T-I/SN 编号：C136317

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256T-I/SN 是一款256Kb的低功耗串行SRAM，通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作，工作电压为2.7-3.6V，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃）。采用8引脚SOIC封装。

数据手册

1+
￥15.6
10+
￥13.23
30+
￥11.75
100+
￥9.23
500+
￥8.55
1000+
￥8.25

有货

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型号：W25Q128JVFIQ TR 编号：C2456298

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

数据手册

5+
￥21.16
50+
￥18.63
150+
￥17.05
1000+
￥14.55
2000+
￥13.82
5000+
￥13.5

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型号：IS61WV25616BLL-10TLI 编号：C53825

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

数据手册

1+
￥28.72
10+
￥25.63
30+
￥23.8
100+
￥21.17
500+
￥20.32
1000+
￥19.93

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型号：IS62WV5128BLL-55HLI-TR 编号：C2065138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥29.02
10+
￥25.02
30+
￥22.64
100+
￥20.24

有货

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型号：CSNP1GCR01-AOW 编号：C2838632

封装：LGA-8(6x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND二代1Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.5~10万次擦写寿命,高可靠性,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.

数据手册

1+
￥38.44
10+
￥32.9
30+
￥29.52
100+
￥26.69

有货

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型号：EPCQ4ASI8N 编号：C569021

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

EPCQ4ASI8N是用于FPGA配置的串行存储器，采用8引脚小外形集成电路封装(SOIC)，符合JEDEC MS-012标准。

数据手册

1+
￥39.84
10+
￥34.63
30+
￥31.45
100+
￥28.79

有货

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型号：MKDV1GIL-AST 编号：C26159624

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV1GIL-AS的升级款，1Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV1GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C4；IOPS R/W 1343/35；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

1+
￥41.154 ￥43.32
10+
￥35.948 ￥37.84
30+
￥32.7845 ￥34.51
100+
￥30.134 ￥31.72

有货

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型号：W25N02KVZEIR TR 编号：C17626844

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N02KV是一款2G-bit SLC QSPI NAND Flash存储器，支持双/四线SPI接口，具有低功耗、宽温度范围的特点。工作电压为2.7V至3.6V，支持高达104MHz的SPI时钟频率。

40+
￥47.51
400+
￥42.56
1200+
￥39.54
4000+
￥37

有货

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型号：K4B2G1646F-BYMA 编号：C500274

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

数据手册

1+
￥55.17
10+
￥49.96
30+
￥46.79
112+
￥43

有货

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型号：FM24V05-GTR 编号：C66021

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造，提供高耐久性和低功耗。支持I2C接口，最高时钟频率为3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥72.24
10+
￥62.07
30+
￥55.87
100+
￥50.68

有货

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型号：MT25QU512ABB8ESF-0SIT 编号：C2061983

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

数据手册

1+
￥79.8
10+
￥76.19
30+
￥69.95
100+
￥64.5

有货

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型号：MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR 编号：C2062650

封装：W-PDFN-8-EP(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

数据手册

1+
￥130.14
30+
￥123.52

有货

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型号：MT25QL01GBBB8ESF-0SIT 编号：C2061920

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为133 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s

数据手册

1+
￥136.64
30+
￥129.32

有货

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI 编号：C1349134

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥146.25
10+
￥136.5
30+
￥124.12
100+
￥113.32

有货

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型号：H5AN8G6NCJR-VKC 编号：C2803261

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行 8 位预取，以实现非常高的带宽。

数据手册

1+
￥188.83
30+
￥168

有货

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型号：MKEV008GCB-SC510 编号：C2987689

封装：FBGA-153

品牌：MK(米客方德)

MLC, 8GB, eMMC5.1, 11.5x13mm,-25°C to +85°C

数据手册

1+
￥258.2575 ￥271.85
30+
￥234.9825 ￥247.35

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