EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZD24C1MA-MAGMT 编号：C52037962

封装：UDFN-8L(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C1MA提供1Mbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。UDFN-8L-EP(2x3)

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型号：CAV24C64WE-GT3 编号：C154621

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C64 是一款 64-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持 Fast (100 kHz) 和 Fast (400 kHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAV24C64 器件。

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型号：CAT24C512XI-T2 编号：C153760

封装：SOIC-8-208mil

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512是一款512Kb的CMOS串行EEPROM，内部组织为65,536个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有128字节的页写缓冲区，硬件写保护功能，以及工业和扩展温度范围。

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￥5.85
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型号：24AA256T-I/SN 编号：C152172

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24xx256*）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：CAT24M01YI-GT3 编号：C233776

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：W25Q80EWSNIG 编号：C2641148

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q80EW（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：AT25M01-SSHM-T-TUDI 编号：C41355578

封装：SOIC-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M01/CAT25M01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为131,072个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用。

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型号：25LC256-I/SN 编号：C84670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25XX256*) 是 256k -bit 串行电可擦除 PROM。该存储器可通过简单的串行外设接口 (SPI™) 兼容串行总线访问。所需的总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

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型号：W25Q64FWSSIQ 编号：C783717

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64FW（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双路/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：TC58BVG0S3HTA00 编号：C113406

封装：TSOPI-48

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG0S3HTA00 是一款单 3.3V、1 Gbit（1,107,296,256 位）的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E²PROM），其组织形式为（2048 + 64）字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 K 字节 + 4 K 字节：2112 字节×64 页）

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￥11.1
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型号：SST25VF016B-50-4I-S2AF 编号：C68557

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存系列具有四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件在原SST25VFxxxA器件的基础上，提高了工作频率，降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。

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￥14.39
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￥12.07
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型号：23LC1024-I/SN 编号：C48388

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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型号：IS42S16400J-7TLI 编号：C2979137

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为143MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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1+
￥17.55
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￥10.83

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型号：IS62WV12816BLL-55TLI 编号：C397872

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥14.03
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￥11.19

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型号：MX29LV160DBTI-70G 编号：C504714

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

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￥19.95
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￥17.41
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￥14.38
480+
￥13.68

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型号：M95M01-DWMN3TP/K 编号：C221456

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M95M01-A125和M95M01-A145是1 Mbit的串行EEPROM，符合汽车标准AEC-Q100等级0。这些设备通过简单的SPI兼容接口运行，最高可达16 MHz。存储阵列基于先进的真正EEPROM技术，具有嵌入式错误校正码逻辑，提高了可靠性。

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1+
￥20.55
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￥17.46
30+
￥15.63
100+
￥13.78

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型号：IS43TR16128DL-125KBLI 编号：C1349483

封装：BGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16128D, IS43TR16128DL 是 256Mx8 和 128Mx16 2Gb DDR3L SDRAM，支持低电压 1.35V。具有高速数据传输速率，系统频率高达 1066MHz。支持 8 个内部banks并发操作，具有自动预充电和部分阵列自刷新功能。

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1+
￥23.21
10+
￥19.65
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￥17.53

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型号：XTSDQ02GWSIGA 编号：C7429713

封装：WSON-8

品牌：XTX(芯天下)

工业级

1+
￥27.75
10+
￥26.5
30+
￥25.73
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￥25.09

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型号：IS42S16160J-7BLI 编号：C1348766

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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1+
￥27.88
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￥23.83
30+
￥20.08
100+
￥17.64
348+
￥16.52

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型号：MKDV2GIL-AST 编号：C26159625

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV2GIL-AS的升级款，2Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV2GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C6；IOPS R/W 1491/80；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

1+
￥28.458 ￥31.62
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￥24.327 ￥27.03
30+
￥21.879 ￥24.31
260+
￥19.395 ￥21.55
520+
￥18.252 ￥20.28
1040+
￥17.73 ￥19.7

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型号：24LC1025T-I/SN 编号：C615697

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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1+
￥30.71
10+
￥26.28
30+
￥23.65
100+
￥20.99
500+
￥19.76

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型号：MT47H64M16NF-25E IT:M 编号：C151066

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可选突发长度（BL）：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。汽车温度（AT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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1+
￥32.9
10+
￥28.9
30+
￥26.53
100+
￥23.38
500+
￥22.27

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型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

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1+
￥44
10+
￥39.06
30+
￥36.05
100+
￥31.03

有货

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型号：MX66L1G45GMI-10G 编号：C2802775

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。Mode 0和Mode 3。单电源操作。读写和擦除操作电压为2.7至3.6伏。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

数据手册

1+
￥45.4158 ￥65.82
10+
￥43.47 ￥63
30+
￥42.2832 ￥61.28
100+
￥41.2896 ￥59.84
500+
￥40.779 ￥59.1

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型号：M25P16-VMN6TP 编号：C151067

封装：SOIC-8-150mil

品牌：micron(镁光)

M25P16 是一款 16Mb（2Mb x 8）串行闪存存储器件，具备先进的写保护机制，可通过高速 SPI 兼容总线访问。该器件支持时钟频率高达 75MHz 的高性能命令。使用 PAGE PROGRAM 命令，每次可对 1 至 256 字节的存储器进行编程

数据手册

1+
￥46.02
10+
￥40.95
30+
￥35.56
100+
￥32.97

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型号：CY62167DV30LL-55ZXIT 编号：C2956479

封装：TSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备，如手机。它支持自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。

数据手册

1+
￥65.36
10+
￥56.59
30+
￥48.97

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型号：K4B4G0846E-BYMA 编号：C2875174

封装：FBGA-78

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥66.45
10+
￥58.74
30+
￥54.04

有货

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型号：XTSDQ08GWSIGA 编号：C29781617

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：XTX(芯天下)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

1+
￥69.33
10+
￥68.35
30+
￥66.64
100+
￥65.16

有货

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型号：FM28V020-SGTR 编号：C54935

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V020 是一款 256-Kbit (32K x 8) 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，具有高耐久性和长数据保留时间。它支持快速写入和读取操作，适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。该器件提供行业标准的 32K x 8 SRAM 引脚排列，可在标准 SRAM 系统中作为即插即用的替代品。

数据手册

1+
￥78.45
10+
￥68.32
30+
￥55.65
100+
￥50.47

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型号：MKDN032GCL-AA 编号：C2836411

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商用级别。它由NAND闪存和高性能控制器组成，支持SD3.0接口，允许大多数通用CPU利用。

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1+
￥95.646 ￥100.68
10+
￥91.637 ￥96.46
30+
￥78.9925 ￥83.15
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￥72.9315 ￥76.77

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