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25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：DS28EC20P+ 编号：C722466

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28EC20 是一个20480位的1-Wire EEPROM，分为80个256位的内存页，每个页面可以单独设置写保护或EPROM模式。该器件通过单线1-Wire协议通信，支持200k次擦写寿命（25℃），数据保留时间为40年（85℃）。工作电压范围为3.135V到5.25V，工作温度范围为-40℃到+85℃。

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型号：S25FL256LAGBHV020 编号：C2949988

封装：TBGA-24

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：S25FL256LAGBHI020 编号：C2947906

封装：TBGA-24

Flash非易失性存储产品采用浮栅技术和65nm工艺光刻。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（SIO），以及可选的双比特（DIO）和四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中编程最多256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：CY7C1399BN-12VXIT 编号：C2959513

封装：BSOJ-28

CY7C1399BN是高性能3.3V CMOS静态RAM，组织为32,768字×8位。通过有源低电平芯片使能 (CE)、有源低电平输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低95%以上。

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型号：IS43TR16512B-125KBLI 编号：C1349863

封装：TWBGA-96(10x14)

IS43TR16512B-125KBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：BY25D40ESOIG(R) 编号：C50176328

封装：TSSOP-8-173mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

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型号：GX2431G 编号：C2979159

封装：SFN-2(6x6)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431G是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：24LC32A-I/P 编号：C1349005

封装：PDIP-8

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个具有2线串行接口的4K x 8位内存单块。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达256 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：AT25FF161A-MAHN-T 编号：C1857753

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存设备，适用于各种大批量消费和联网应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行的系统，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，支持4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除。包含四个专用的128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器，可用于存储唯一设备ID和锁定密钥。支持读、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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型号：25LC512-I/SM 编号：C185540

封装：SOIJ-8-5.28mm

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：IS25LP128F-JBLA3-TR 编号：C6969441

封装：SOIC-8-208mil

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25LP128F-JKLE-TR 编号：C6062482

封装：WSON-8(5x6)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：CY7C1041G30-10ZSXIT 编号：C2952381

封装：TSOPII-44

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项和多种引脚配置。在CY7C1041GE设备中，ERR引脚会在读取周期中发出错误检测和纠正事件的信号。数据写入通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

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型号：AT27C256R-70JU-T 编号：C614001

封装：PLCC-32(11.4x14)

AT27C256R是一款低功耗、高性能的262,144位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），其结构为32,768个8位字。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源。任何字节的访问时间都小于45 ns，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态

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型号：AT27C512R-70JU 编号：C1523873

封装：PLCC-32(11.4x14)

AT27C512R是一款低功耗、高性能、524,288位、一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），组织形式为64K x 8位。在正常读取模式操作中，它仅需一个5V电源。任何字节都可在小于45ns内访问，无需在高性能微处理器系统上使用降低速度的WAIT状态。

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型号：NT5CB128M16IP-EK 编号：C2846879

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3 SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

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型号：S29GL064S80TFIV20 编号：C2948614

封装：TFSOP-56

品牌：Infineon(英飞凌)

3.0-V单电源闪存存储器，采用65-nm MRRORBIT™技术制造。有4,194,304字或8,388,608字节的容量。根据型号，设备只有16位宽的数据总线，或者可以通过BYTE#输入作为8位宽的数据总线。可在主机系统或标准EPROM编程器中进行编程。访问时间最快可达70 ns，每个访问时间都有特定的工作电压范围(VCC)。封装包括48引脚TSOP、56引脚TSOP、48球细间距BGA和64球加固BGA

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型号：DS1314S+T&R 编号：C2653356

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS1314 非易失性控制器带有电池监控功能，是一种CMOS电路，可以解决将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。该电路监测输入电源是否超出容许范围。当检测到这种状况时，会禁止芯片使能以实现写保护，并切换到电池供电，为RAM提供不间断的电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，可以在极低的电池消耗下实现精确的电压检测。除了支持电池备份外，DS1314还执行监测锂离子电池剩余容量的重要功能，并在电池接近寿命终点前提供警告。由于锂备份电池在其大部分使用寿命中的开路电压保持相对恒定，因此准确的电池监控需要测量负载下的电池电压。DS1314通过周期性地比较电池在支持内部电阻负载时的电压与精心选择的参考电压来执行这种测量。如果在这种条件下电池电压低于参考电压，则表明电池即将到达寿命终点。因此，电池警告引脚会被激活，以信号提示需要更换电池。

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型号：M48Z58-70PC1 编号：C1348741

封装：DIP-28

品牌：ST(意法半导体)

M48Z58 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

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型号：PM25LQ010B-SCE 编号：C411812

封装：SOIC-8

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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型号：CAT25020VI-GT3 编号：C890360

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI 器件，内部组织为 256x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25020 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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型号：25Q128-TD 编号：C47108715

封装：SOP-8-208mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

是128M-bit串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3(/HOLD)。双I/O数据传输速度为216Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为432Mbits/s。该器件使用单一低压电源，范围为2.7V至3.6V。此外，该器件支持JEDEC标准制造商和设备ID以及三个1024字节的安全寄存器。

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型号：GX2431S 编号：C2913558

封装：SFN-2(3.5x5)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431S是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：GX2431G 编号：C2926929

封装：SFN-2(6x6)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，由四个存储器页组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验无误后复制到EEPROM存储器。支持-40°C至+85°C的工作温度范围和2.8V至5.25V的工作电压。具有IEC1000-4-2 Level 4 ESD保护。

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型号：M24512-DFDW6TP 编号：C2061091

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：MX29LV400CTTI-70G 编号：C2802721

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：字节/字模式可切换。提供扇区保护功能，防止在受保护扇区进行编程或擦除操作。提供芯片未保护功能，允许更改代码。提供临时扇区未保护功能，以便在先前受保护的扇区中更改代码。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

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型号：S29AL008J70BFI020 编号：C511129

封装：FBGA-24(6x8)

8 Mbit、3.0 Volt-only Flash 内存，组织为 1,048,576 字节或 524,288 字。提供 48-球细间距 BGA（0.8 mm 间距）和 48-引脚 TSOP 封装。字宽数据 (x16) 出现在 DQ15-DQ0；字节宽 (x8) 数据出现在 DQ7-DQ0。该设备设计为使用标准系统 3.0 伏 VCC 电源进行系统内编程。写入或擦除操作不需要 12.0 V VPP 或 5.0 VCC。该设备也可以在标准 EPROM 编程器中进行编程

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型号：25AA512-I/SN 编号：C219767

封装：SOIC-8