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TC58BVG2S0HTA00
型号：TC58BVG2S0HTA00 编号：C17228640
封装：TFSOP-48-18.4mm
品牌：KIOXIA(铠侠)
TC58BVG2S0HTA00是一款单3.3V 4Gbit NAND闪存，支持自动擦除和编程操作，适用于需要高密度非易失性存储的应用场景。该芯片具有内部ECC逻辑，可以纠正每个528字节的数据中的8位错误。

  • 1+

    ￥27.88

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    IS42S32400F 7TLI TR
    型号：IS42S32400F-7TLI-TR 编号：C2064046
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。
    数据手册

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    IS43TR16256BL-107MBL-TR
    型号：IS43TR16256BL-107MBL-TR 编号：C17204661
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43TR16256BL-107MBL-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1866 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

    • 1+

      ￥92.65

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      ￥36.97

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    IS43TR16256BL-125KBL-TR
    型号：IS43TR16256BL-125KBL-TR 编号：C17216882
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43TR16256BL-125KBL-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

    • 1+

      ￥104.64

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    IS46TR16256BL-125KBLA1-TR
    型号：IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 编号：C17295876
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

    • 1+

      ￥107.69

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      ￥42.97

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    IS46TR16256B-125KBLA2-TR
    型号：IS46TR16256B-125KBLA2-TR 编号：C17204660
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS46TR16256B-125KBLA2-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1066 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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      ￥116.04

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    IS46TR16256B-107MBLA2-TR
    型号：IS46TR16256B-107MBLA2-TR 编号：C17296165
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS46TR16256B-107MBLA2-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1866 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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    IS42S16160D-75ETLI
    型号：IS42S16160D-75ETLI 编号：C20491009
    封装：TSOPII-54
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S16160D 是一款 256Mb 的 SDRAM，支持高速数据传输。该芯片具有全同步接口，所有信号都参考时钟的上升沿。内部配置为 4 个bank，每个bank为 4M x 16 x 4 bank。工作电压为 3.3V ± 0.3V，支持多种突发长度和可编程的 CAS 延迟。

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      ￥134.33

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    MT49H8M36SJ 25:B TR
    型号：MT49H8M36SJ-25:B TR 编号：C2062137
    封装：FBGA-144(11x18.5)
    品牌：micron(镁光)
    Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。

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      ￥157.08

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    IS43TR16512BL 125KBL
    型号：IS43TR16512BL-125KBL 编号：C1350343
    封装：TWBGA-96(10x14)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43TR16512BL-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。
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    • 单价：

      ￥138.156224 / 个
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    IS43TR16512BL 107MBL
    型号：IS43TR16512BL-107MBL 编号：C1236817
    封装：TWBGA-96(10x14)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43TR16512BL-107MBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。
    数据手册

    • 1+

      ￥255.35

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    MT49H8M36SJ-25E:B
    型号：MT49H8M36SJ-25E:B 编号：C2065622
    封装：FBGA-144(11x18.5)
    品牌：micron(镁光)
    Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。

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      ￥290.83

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    IS43TR81024B 125KBLI
    型号：IS43TR81024B-125KBLI 编号：C1236872
    封装：TWBGA-78(10x14)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43TR81024B-125KBLI 是一款512Mx16的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。
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    NAND32GW3F4AN6E
    型号：NAND32GW3F4AN6E 编号：C19529408
    封装：TSOP-48
    品牌：micron(镁光)
    NAND32GW3F4A是一款32Gbit（4 x 8Gbit）的单级单元（SLC）NAND闪存存储器，支持4224字节页面，双芯片使能，3V供电，多平面架构。适用于高密度存储应用。

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      ￥903.86

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    IS49RL36160 125EBL
    型号：IS49RL36160-125EBL 编号：C1353414
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL36160-125EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。
    数据手册

    • 1+

      ￥442.74

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    IS49RL18320 125EBL
    型号：IS49RL18320-125EBL 编号：C1353440
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL18320-125EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。
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      ￥442.74

    • 200+

      ￥171.34

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      ￥162.34
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    IS49RL18320-107BL
    型号：IS49RL18320-107BL 编号：C1353410
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达933MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。
    数据手册

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    IS49RL36160-107BLI
    型号：IS49RL36160-107BLI 编号：C1353418
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL36160-107BLI 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。
    数据手册

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    IS49RL36160 125EBLI
    型号：IS49RL36160-125EBLI 编号：C1353082
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达800MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。
    数据手册

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      ￥474.08

    • 200+

      ￥183.47

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    • 1000+

      ￥173.83
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    IS49RL18320-125EBLI
    型号：IS49RL18320-125EBLI 编号：C1353093
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达800MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。
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      ￥474.08

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      ￥183.47

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    IS49RL18320 107EBL
    型号：IS49RL18320-107EBL 编号：C1353073
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达933MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。
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    IS49RL36160-107EBL
    型号：IS49RL36160-107EBL 编号：C1353070
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达933MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。
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      ￥492.7

    • 200+

      ￥190.67

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      ￥180.66
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    IS49RL18320-093BLI
    型号：IS49RL18320-093BLI 编号：C1353586
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL18320-093BLI 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。
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      ￥192.87
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    IS49RL18320 093EBL
    型号：IS49RL18320-093EBL 编号：C1353581
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL18320-093EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。
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    IS49RL36160 093EBL
    型号：IS49RL36160-093EBL 编号：C1353580
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL36160-093EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。
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    IS49RL36160 093EBLI
    型号：IS49RL36160-093EBLI 编号：C1352938
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达1066MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。
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    IS49RL18320-093EBLI
    型号：IS49RL18320-093EBLI 编号：C1352940
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达1066MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。
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    MT41K512M16HA 107:A
    型号：MT41K512M16HA-107:A 编号：C1137480
    封装：FBGA-96(9x14)
    品牌：Alliance Memory
    MT41K512M16HA-107:A 是一款低功耗 DDR3L SDRAM，支持 64MB x 16 x 8 banks配置。它的工作电压为 1.35V (1.283-1.45V)，时钟频率为 1866MHz。该芯片支持多种命令和功能，包括自动预充电、突发写入和读取等。
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    AS4C512M16D3LC-12BCN
    型号：AS4C512M16D3LC-12BCN 编号：C17377236
    封装：FBGA-96(9x13)
    品牌：Alliance Memory
    8Gb双数据速率DDR3L SDRAM，采用双4Gb x8位芯片封装，支持JEDEC标准，工作温度范围为0°C至95°C，最大时钟频率为800MHz。

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    AS4C512M16D3LC-10BCN
    型号：AS4C512M16D3LC-10BCN 编号：C20348759
    封装：FBGA-96(9x13)
    品牌：Alliance Memory
    8Gb双数据速率DDR3L SDRAM，采用双4Gb x8位芯片封装，支持JEDEC标准，工作温度范围为0°C至95°C，最大时钟频率为933MHz。

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