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AT25M01/CAT25M01提供1,048,576位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为131,072个8位字。该设备适用于多种工业和商业应用。

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型号：AT24CM02-SSHM-T-TUDI 编号：C36533661

封装：SOP-8

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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型号：FM25640B-GTR 编号：C365763

封装：SOIC-8

FM25640B是一款64-Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。该存储器适用于需要频繁快速写入的应用场景，如数据采集和工业控制。

数据手册

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型号：AT24C256C-MAHL-T 编号：C2063074

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压运行:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 32,768 x 8 (256K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I2C 兼容 (2 线) 串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

数据手册

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￥9.17
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型号：HG25Q256MW/TR 编号：C20613275

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

3.3v256m位串行闪存，带有双/四元SPI

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型号：MX25U6432FZNI02 编号：C2802906

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压范围为1.65至2.0伏。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式的快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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型号：M95P32-IXMNT/E 编号：C5267629

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗 32 Mbit 串行 SPI 页 EEPROM

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型号：FM24V01A-GTR 编号：C2759930

封装：SOIC-8

FM24V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺。它支持高达3.4 MHz的I2C接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。F-RAM无需内部升压电压，写入速度更快，功耗更低。

数据手册

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型号：MX25L25645GM2I-10GTR 编号：C2802976

封装：-

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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型号：DS24B33+ 编号：C1523890

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

数据手册

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￥20.94
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型号：AT24C1024B-PU25 编号：C36533652

封装：DIP-8

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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型号：AT24C1024-10PI-2.7 编号：C36533653

封装：DIP-8

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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型号：MT25QL128ABA1EW7-0SIT 编号：C2887898

封装：DFN-8(5x6)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

数据手册

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型号：AT25M02-SSHM-T-TUDI 编号：C41355580

封装：SOP-8

AT25M02/CAT25M02 是一款2M位（262,144x8）的串行EEPROM，具有256字节的可锁定识别页。支持部分页面写入，写保护功能可以保护四分之一、一半或整个内存阵列。工作电压范围为2.8V至5.5V，最高时钟频率为55MHz。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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￥14.212 ￥14.96

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型号：W25Q128JWBAQ 编号：C52993625

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W25Q256JWEIQ 编号：C2940048

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：IS42S16160J-7BLI 编号：C1348766

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

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￥27.88
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￥20.08
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型号：MKPV4G08IT-AFX 编号：C42433424

封装：TSOP-48

品牌：MK(米客方德)

4Gbit nand，Flash类型:SLC，并行接口, -40°C to +85°C，TSOP-48

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￥23.3464 ￥26.53

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型号：IS66WVO32M8DALL-200BLI 编号：C17535354

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WVO32M8DALL是一款256Mb Octal RAM串行PSRAM存储器，支持200MHz DTR协议。该存储器具有行业标准的串行接口，支持Octal Peripheral Interface (OPI)协议，适用于工业温度范围（-40°C到+85°C）。

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型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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￥23.21

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型号：MT41K256M8DA-125 IT:K 编号：C2063887

封装：FBGA-78(8x10.5)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。差分双向数据选通。 8n 位预取架构

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￥41.4
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￥36.79
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￥33.98
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￥31.62

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型号：FM28V100-TGTR 编号：C66026

封装：TSOP-32-12.5mm

FM28V100是一款128K x 8的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写寿命和151年的数据保留时间。它采用32引脚TSOP封装，工作电压为2.0V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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￥51.65
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￥44.16
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￥39.59
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￥35.76

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型号：FM28V020-SGTR 编号：C54935

封装：SOIC-28-300mil

FM28V020 是一款 256-Kbit (32K x 8) 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，具有高耐久性和长数据保留时间。它支持快速写入和读取操作，适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。该器件提供行业标准的 32K x 8 SRAM 引脚排列，可在标准 SRAM 系统中作为即插即用的替代品。

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￥78.45
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￥68.32
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￥55.65
100+
￥50.47

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型号：MT41K256M16TW-107 AAT:P 编号：C524865

封装：FBGA-96