DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：24AA32AT-I/OT-TUDI 编号：C41411015

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

24LC32/24AA32提供32768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为4096字节。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。

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￥2.33
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￥1.64

有货

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型号：AT24C512CP064 编号：C51026310

封装：DIP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C512是一款512-Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有1MHz传输速率，工作温度范围为-40°C到+105°C。该设备集成了硬件写保护功能，用于保护整个内存阵列。

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￥1.1715 ￥1.65

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型号：M95040-DRDW8TP/K 编号：C2062181

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

数据手册

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型号：24AA256T-I/SN-TUDI 编号：C41410998

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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型号：M95128-WMN6P 编号：C283457

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M95128-WMN6P是一款128Kbit SPI接口的EEPROM，具有高时钟速度，适用于多种应用场景。

数据手册

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型号：M24M02-DRMN6TP-TUDI 编号：C36533665

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M24M02是一款2M位（262,144 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于多种工业应用。

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型号：ZD25C1MA-SSGMB 编号：C53552663

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD25C1MA是一款1Mbit (131,072x8) EEPROM，支持SPI接口，具有高可靠性，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至105°C，写周期寿命为2百万次，数据保留时间为200年

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型号：M24M01-DFMN6TP 编号：C222230

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

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型号：24LC16BT-E/OT 编号：C616242

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16BT是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，两线串行接口，可编程硬件写保护，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率。

数据手册

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￥7.32
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型号：CAT24C512XI-T2 编号：C153760

封装：SOIC-8-208mil

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512是一款512Kb的CMOS串行EEPROM，内部组织为65,536个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有128字节的页写缓冲区，硬件写保护功能，以及工业和扩展温度范围。

数据手册

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￥7.55
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型号：MX25L1606EM2I-12G 编号：C415878

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：保持功能。低功耗。自动擦除和自动编程算法。额外的512位安全一次性可编程（OTP）用于唯一标识符。单电源操作。读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

数据手册

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型号：FM24CL04B-GTR 编号：C914924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，FM24CL04B以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性

数据手册

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￥9.07
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型号：HG25Q128M/TR 编号：C5310797

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

串行闪存，带有双/四元SPI

数据手册

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型号：GD25Q64ETIGR 编号：C2976334

封装：SOIC-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q64E（64M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

数据手册

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型号：FM25L04B-GTR 编号：C66018

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25L04B是一款4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高频率可达20 MHz，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。

数据手册

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型号：XT25F128FWOIGT-W 编号：C3202839

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：XTX(芯天下)

XT25F128F-W（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。

数据手册

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￥9.94
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￥5.76
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￥5.55

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型号：MX25U6432FZNI02 编号：C2802906

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压范围为1.65至2.0伏。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式的快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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￥11.17
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￥7

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型号：MX25R6435FZAIL0 编号：C2802847

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

数据手册

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￥12.69
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型号：47L16T-I/SN 编号：C2062434

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

带有EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM的存储结构为512×8位或2,048×8位，并采用I²C串行接口。它为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外接电容，掉电时SRAM数据会自动传输到EEPROM中

数据手册

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￥13.83
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￥9.07

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型号：AT24CM02-SSHD-T-TUDI 编号：C36533662

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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￥15.67
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￥9.51
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￥9.21

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型号：24LC515T-I/SM 编号：C616117

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512K位I2C CMOS串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，支持100kHz和400kHz时钟频率，具有硬件写保护功能。

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￥22.31
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￥17.18
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￥14.36

有货

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型号：GD25WQ128ESIGR 编号：C5749721

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥22.76
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￥14.68

有货

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型号：DS2505+ 编号：C1523881

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2505 16Kb 只写存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些批次或产品特定信息可通过最少的接口进行访问，例如微控制器的单个端口引脚。DS2505 包含一个工厂激光刻录的注册号，其中包括一个唯一的 48 位序列号、一个 8 位循环冗余校验码（CRC）和一个 8 位家族代码（0BH），外加 16Kb 用户可编程的 EPROM

数据手册

1+
￥25.08
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￥21.75
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￥18.88
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￥16.88

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型号：IS42S16160J-7BLI 编号：C1348766

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥50.26
10+
￥45.07
30+
￥39.9
100+
￥37.24

有货

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型号：MT25QL128ABA1EW7-0SIT 编号：C2887898

封装：DFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

数据手册

1+
￥52.79
10+
￥46.76
30+
￥43.09
100+
￥40

有货

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型号：W958D8NBYA5I 编号：C7420405

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V。最大时钟频率：250MHz。双倍数据速率（DDR）高达500MB/s

1+
￥58.9
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￥55.48
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￥51.38
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￥50.43

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型号：XTSDQ02GWSIGA 编号：C7429713

封装：WSON-8

品牌：XTX(芯天下)

工业级

1+
￥61.792 ￥77.24
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￥60.936 ￥76.17
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￥59.448 ￥74.31
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￥58.144 ￥72.68

有货

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型号：K4B4G1646E-BYMA 编号：C2940213

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

数据手册

1+
￥86.11
10+
￥73.05
30+
￥65.08

有货

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型号：ZDSD04GLGEAG 编号：C2875854

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

数据手册

1+
￥91.73
10+
￥80.86
30+
￥74.23
100+
￥63.7

有货

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型号：F60C1A0004-M79W 编号：C5126839

封装：FBGA-96

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：家用IPC、无人机、智能音箱、智能电视、机顶盒、POS机、GPON、电视盒子等。商规DDR3、消费类DDR3、江波龙、LONGSYS、FORESEE、电视、机顶盒、网通、IPC、行车记录仪、智能手环、无人机、POS机、GPON等工业DDR3、工业宽温DDR3、工规DDR3、工规宽温DDR3、江波龙、LONGSYS、FORESEE、电视、机顶盒、网通、IPC、行车记录仪、智能手环、无人机、POS机、GPON、工业级

数据手册

1+
￥164.9
10+
￥160.89
30+
￥153.95
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