PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：H5AN4G6NBJR-VKC 编号：C2849414

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

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型号：EPCS4SI8N 编号：C569019

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

若要使用基于SRAM的器件配置系统，每次给器件上电时，都必须加载配置数据。EPCS器件是一种闪存器件，可存储用于在FPGA上电后进行配置的数据。您可以在所有支持AS x1配置方案的FPGA上使用EPCS器件

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型号：W25Q256JWFIQ 编号：C2940196

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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型号：IS66WVE4M16EBLL-70BLI 编号：C1350157

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

PSRAM产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心器件组织形式为4M×16位。这些器件具备行业标准的异步存储器接口，与其他低功耗SRAM或伪SRAM（PSRAM）产品相同

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型号：W631GG6MB-12 编号：C408825

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

W631GG6MB 是 1G bits 的 DDR3 SDRAM，组织方式为 8,388,608 words × 8 banks × 16 bits。该设备支持最高传输速率可达 2133 MT/s (DDR3-2133)，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。其中，12 工业级支持 0°C 至 95°C。

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型号：H5TC4G63EFR-RDA 编号：C2849413

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是一款4Gb低功耗双数据速率III（DDR3L）同步DRAM，非常适合需要大存储密度、高带宽和1.35V低功耗运行的主内存应用。提供与1.5V DDR3环境的向后兼容性，无需任何更改。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在时钟的上升沿（时钟的下降沿）锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在时钟的上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行8位预取，以实现非常高的带宽。

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型号：W958D8NBYA5I 编号：C7420405

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V。最大时钟频率：250MHz。双倍数据速率（DDR）高达500MB/s

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型号：MT48LC16M16A2P-6A IT:G 编号：C26393

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：micron(镁光)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：3.3V

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型号：K4B4G1646E-BYMA 编号：C500275

封装：FBGA-96(7.5x13.3)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：W25N04KVZEIR TR 编号：C6750381

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

40+
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￥64.24
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型号：IS42S16320F-7TLI 编号：C1348819

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

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型号：CSNP16GCR01-AOW 编号：C7527488

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND二代16Gb pSLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.高可靠性,>3万次擦写寿命,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.

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型号：CSNP32GCR01-BOW 编号：C5440134

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND 32Gb MLC.标准SD 2.0协议.即插即用.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.自动stand by,降低功耗.高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

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￥89.41
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型号：MKDV64GCL-STPA 编号：C48937380

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STP升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 5000次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

2+
￥151.8385 ￥159.83
60+
￥144.2575 ￥151.85

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型号：THGBMUG6C1LBAIL 编号：C7509349

封装：BGA-153(13X11.5)

品牌：KIOXIA(铠侠)

集成闪存和e-MMC控制器于单个BGA封装，执行纠错、损耗均衡、逻辑到物理地址转换和坏块管理等功能。支持符合JEDEC 5.0/5.1版本的高速内存接口，无需主机直接控制闪存。适用于因所需密度处于较低GB范围，或处理器尚不支持UFS接口而无法迁移到最新一代UFS的应用。

1+
￥156.36
30+
￥150

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型号：MKDV32GIL-STPB 编号：C48937379

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

32Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

1+
￥160.189 ￥168.62
30+
￥152.437 ￥160.46

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型号：MT25QU01GBBB8E12-0SIT 编号：C2061873

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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1+
￥180.55
30+
￥172.98

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型号：MKDN128GIL-ZAA 编号：C42415721

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

1+
￥199.538 ￥210.04
30+
￥189.392 ￥199.36

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型号：K4A8G165WC-BITD 编号：C2920133

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

特性：无

1+
￥282.05
30+
￥270.75

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型号：MT40A512M16LY-062E IT:E 编号：C2891577

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V-125mV / + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内的刷新时间: -40°C至85°C时为64ms。85°C至95°C时为32ms

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1+
￥354.78
30+
￥338.96
32+
￥290.4

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型号：AT24C02CDBVRG 编号：C19723706

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C02C是一款2 Kbit、兼容I²C的串行EEPROM器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

10+
￥0.2881
100+
￥0.2257
300+
￥0.1945
3000+
￥0.1711
6000+
￥0.1524
9000+
￥0.143

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型号：24C02N(XBLW) 编号：C18723548

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供多种封装选项，包括8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP、8引脚DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。

10+
￥0.320435 ￥0.3373
100+
￥0.249755 ￥0.2629
300+
￥0.214415 ￥0.2257
1000+
￥0.18791 ￥0.1978
4000+
￥0.166725 ￥0.1755
10000+
￥0.156085 ￥0.1643

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型号：24C32BN(XBLW) 编号：C18723546

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C32系列是32,768位的串行可擦除可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V。

10+
￥0.37772 ￥0.3976
100+
￥0.295925 ￥0.3115
300+
￥0.25498 ￥0.2684
1000+
￥0.224295 ￥0.2361
4000+
￥0.199785 ￥0.2103
8000+
￥0.18753 ￥0.1974

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型号：24C04S(XBLW) 编号：C41408451

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C04是一款4096位的串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为512个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。具备100年的数据保留能力和100万次写周期寿命。

10+
￥0.39178 ￥0.4124
100+
￥0.3097 ￥0.326
300+
￥0.26866 ￥0.2828
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
6000+
￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

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型号：HX24LC08BDBVRG 编号：C2987267

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

数据手册

5+
￥0.3939
50+
￥0.3419
150+
￥0.3159
500+
￥0.2964
3000+
￥0.2808

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型号：BL24C02F-NTRC 编号：C2828222

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F是一款2K位串行EEPROM，具有I2C双向数据传输协议，支持硬件数据保护，高可靠性，1百万次写周期寿命，100年的数据保留时间。

数据手册

10+
￥0.5278
100+
￥0.4339
300+
￥0.3869
3000+
￥0.3419
6000+
￥0.3137

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型号：24C64N(XBLW) 编号：C18723553

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行电气可擦除和可编程只读存储器，使用标准2线串行接口进行所有读写操作。

5+
￥0.59014 ￥0.6212
50+
￥0.459895 ￥0.4841
150+
￥0.39482 ￥0.4156
500+
￥0.346085 ￥0.3643
2000+
￥0.30704 ￥0.3232
4000+
￥0.28747 ￥0.3026

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型号：24C128BN(XBLW) 编号：C19708136

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C128系列是131,072位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为16,384个8位字。这些设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP和8引脚DFN封装。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。扩展的VCC范围（1.8V至5.5V）使应用范围广泛。