PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：23K256T-I/SN 编号：C136317

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256T-I/SN 是一款256Kb的低功耗串行SRAM，通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作，工作电压为2.7-3.6V，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃）。采用8引脚SOIC封装。

数据手册

1+
￥15.6
10+
￥13.23
30+
￥11.75
100+
￥9.23
500+
￥8.55
1000+
￥8.25

有货

立即购买

型号：DS24B33S+T&R 编号：C117539

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

数据手册

1+
￥19.56
10+
￥16.58
30+
￥14.71
100+
￥12.79
500+
￥11.93
1000+
￥11.56

有货

立即购买

型号：DS28EC20P+T 编号：C2063099

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

数据手册

1+
￥20.17
10+
￥17.15
30+
￥15.27
100+
￥13.34
500+
￥12.47

有货

立即购买

型号：MT29F4G08ABAEAWP-IT:E 编号：C97456

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构:页面大小：x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备大小：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能:随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

1+
￥25.82
10+
￥22.13
30+
￥19.94
100+
￥17.72
500+
￥16.7
1000+
￥16.24

有货

立即购买

型号：AT45DB641E-SHN-T 编号：C2060948

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB641E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB641E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其69,206,016位的存储器被组织为32,768页，每页256字节或264字节

数据手册

1+
￥28.12
10+
￥24.11
30+
￥21.72
100+
￥19.3
500+
￥18.19
1000+
￥17.69

有货

立即购买

型号：IS25LP512M-JLLE 编号：C1351993

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

数据手册

1+
￥39.13
10+
￥33.66
30+
￥30.33
100+
￥27.54

有货

立即购买

型号：FM24V10-GTR 编号：C466851

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作，支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口（I2C）。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥39.79
10+
￥34.68
30+
￥28.05
100+
￥24.98
500+
￥23.56
1000+
￥22.93

有货

立即购买

型号：IS42S32800J-6BLI 编号：C1351419

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

数据手册

1+
￥43.45
10+
￥38.07
30+
￥32.94
100+
￥30.19

有货

立即购买

型号：W631GU6NB-11 编号：C3034990

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥49.36
10+
￥45.56
30+
￥41.93
198+
￥39.2436 ￥39.64
594+
￥38.2041 ￥38.59
990+
￥37.7388 ￥38.12

有货

立即购买

型号：MT25QL512ABB8ESF-0SIT 编号：C1350089

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

数据手册

1+
￥62.83
10+
￥55.43
30+
￥50.92
100+
￥47.15

有货

立即购买

型号：MKDV32GCL-STPA 编号：C47118466

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH/MKDV32GCL-STPA升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥87.7705 ￥92.39
10+
￥83.7615 ￥88.17
30+
￥76.8075 ￥80.85
100+
￥70.756 ￥74.48

有货

立即购买

型号：IS61WV51216BLL-10TLI 编号：C397874

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥95.17
10+
￥82.57
30+
￥72.47
100+
￥66.03

有货

立即购买

型号：SDINBDG4-8G-XI1 编号：C577445

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

数据手册

1+
￥164.37
10+
￥157.91
30+
￥138.02
100+
￥128.25

有货

立即购买

型号：IS61WV204816BLL-10TLI 编号：C1349134

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥177.88
10+
￥166.81
30+
￥152.76
100+
￥140.51

有货

立即购买

型号：H9HCNNNCPUMLXR-NEE 编号：C42396545

封装：BGA

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥527.8
30+
￥509.82

有货

立即购买

型号：MT40A1G16TB-062E:F 编号：C20561900

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C